本发明专利技术提供一种带过流保护的APD偏压电路，包括用于输出高电压的APD Bias芯片电路、用于实现四路电路放大输出且输出可调的运放芯片电路，所述APD Bias芯片电路包括APD Bias芯片，所述运放芯片电路包括运放芯片，APD Bias芯片的电压输出端口与运放芯片的电源输入端口电连接，运放芯片内设有四个运算放大器，运算放大器的运放电源为APD Bias芯片的输出电压，运算放大器的负输入端通过第一电阻接地，运算放大器的输出端口通过第二电阻与运算放大器的负输入端电连接，运算放大器的正输入端通过第三电阻与控制器电连接。本发明专利技术采用一只APD Bias芯片和一只运放芯片，实现了传统的四只APD BIAS芯片才能完成的高压供电功能，并且性能相当，本发明专利技术物料成本低，节省布板空间。
【技术实现步骤摘要】
一种带过流保护的APD偏压电路
本专利技术涉及电源供电领域，尤其涉及一种带过流保护的APD偏压电路。
技术介绍
随着技术的发展，光通信模块的传输速率越来越高，传输距离也越来越远。长距离的传输需要接收端的光器件有较高的光信号灵敏度。几乎每款长距传输的光模块都会用到APDROSA，这种ROSA就必须要使用高压进行驱动，低则十几伏，高则三十几伏，传统方案是采用四只APDBIAS芯片完成的高压供电功能，但是该方案耗费的成本高，且浪费布板空间。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术之缺陷，提供了一种带过流保护的APD偏压电路，以降低物料成本，节省布板空间。本专利技术是这样实现的：本专利技术提供一种带过流保护的APD偏压电路，包括用于输出高电压的APDBias芯片电路、用于实现四路电路放大输出且输出可调的运放芯片电路，所述APDBias芯片电路包括APDBias芯片，所述运放芯片电路包括运放芯片，所述APDBias芯片的电压输出端口与所述运放芯片的电源输入端口电连接，所述运放芯片内设有四个运算放大器，运算放大器的运放电源为APDBias芯片的输出电压，运算放大器的负输入端通过第一电阻接地，运算放大器的输出端口通过第二电阻与运算放大器的负输入端电连接，运算放大器的正输入端通过第三电阻与控制器电连接。作为优选，所述APDBias芯片电路还包括第四电阻R125、第五电阻R126和第一电容C350，所述APDBias芯片的monin端口依次通过第四电阻R125和第五电阻R126接地，所述第一电容C350与第四电阻R125并联。作为优选，所述第四电阻R125的阻值为1M，所述第五电阻R126的阻值为33K。作为优选，所述APDBias芯片的型号为LT3571芯片、LT3482芯片或LT3905芯片。作为优选，所述运放芯片的型号为运算放大器阵列SGM8429C-4。作为优选，所述运算放大器的输出端口电连接有第六电阻和用于过流保护的第七电阻，所述第七电阻通过第六电阻与所述所述运算放大器的输出端口电连接。作为优选，所述第六电阻的阻值为2k，所述第七电阻的阻值为8k。作为优选，所述控制器为单片机。作为优选，所述第一电阻与第三电阻的阻值相等且均为10k，所述第二电阻的阻值为200K。作为优选，所述LT3571芯片的输入电压为3.3V。本专利技术具有以下有益效果：1、本专利技术仅采用一只APDBias芯片和一只运放芯片，实现了传统的四只APDBIAS芯片才能完成的高压供电功能，并且性能相当，本专利技术物料成本低，节省布板空间。2、为了在有限的光模块布板空间里，放下四路APD电路的难题，本专利技术使用了Linear公司的APDBIAS芯片LT3571，SGM公司的运算放大器阵列SGM8429C-4。巧妙地利用了LT3571输出高电压，结合运算放大器的放大特性，较好地实现了四路电路放大输出，输出可调，过流保护的功能。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。图1为本专利技术实施例提供的30V电压源电路图；图2为本专利技术实施例提供的运放输出电压放大设计的原理图；图3为本专利技术实施例提供的10V～30V四路电压输出并可调电路图；图4为本专利技术实施例提供的采用本专利技术供电电路制作的两个光模块(1#和2#)灵敏度性能表。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本专利技术保护的范围。如图1-图4，本专利技术实施例提供一种带过流保护的APD偏压电路，包括用于输出高电压的APDBias芯片电路、用于实现四路电路放大输出且输出可调的运放芯片电路，所述APDBias芯片电路包括APDBias芯片，所述APDBias芯片的型号可采用LT3571芯片、LT3482芯片或LT3905芯片，在本实施例中采用Linear公司的APDBIAS芯片LT3571，所述LT3571芯片的输入电压为3.3V，所述运放芯片电路包括运放芯片，在本实施例中，所述运放芯片的型号为SGM公司的运算放大器阵列SGM8429C-4，所述APDBias芯片的电压输出端口monin与所述运放芯片的电源输入端口+vs电连接，所述运放芯片内设有四个运算放大器，运算放大器的运放电源为APDBias芯片的输出电压30V，运算放大器的负输入端通过第一电阻接地，运算放大器的输出端口通过第二电阻与运算放大器的负输入端电连接，运算放大器的正输入端通过第三电阻与单片机电连接，如图3，在本实施例中，所述第一电阻与第三电阻的阻值相等且均为10k，所述第二电阻的阻值为200K，即运算放大器的放大倍数为20。所述APDBias芯片电路还包括第四电阻R125、第五电阻R126和第一电容C350，所述APDBias芯片的monin端口依次通过第四电阻R125和第五电阻R126接地，所述第一电容C350与第四电阻R125并联。如图1，在本实施例中，所述第四电阻R125的阻值为1M，所述第五电阻R126的阻值为33K，即Vmonin＝(R125/R126+1)*1V＝31V。所述运算放大器的输出端口电连接有第六电阻和用于过流保护的第七电阻，所述第七电阻通过第六电阻与所述所述运算放大器的输出端口电连接。如图3，所述第六电阻包括R161、R163、R166、R167，所述第六电阻的阻值为2k，所述第七电阻包括R177、R180、R181、R182，所述第七电阻的阻值为8k。本专利技术仅采用一只APDBias芯片和一只运放芯片，实现了业界常用的4只APDBIAS芯片完成的高压供电功能，并且性能相当，本专利技术物料成本低，节省布板空间。为了在有限的光模块布板空间里，放下四路APD电路的难题，本专利技术使用了Linear公司的APDBIAS芯片LT3571，SGM公司的运算放大器阵列SGM8429C-4。巧妙地利用了LT3571输出高电压，结合运算放大器的放大特性，较好地实现了四路电路放大输出，输出可调，过流保护的功能。本专利技术的专利技术点主要涉及电源原理、输出可调和过流保护三个方面。(1)在电源电路方面，本专利技术改用运放阵列实现四路输出，而不采用业内常用的直接使用四片APD芯片提供高压偏置。图1为本专利技术实施例提供的30V电压源电路图，该电路采用LT3571芯片，LT3571芯片具有2.7V～20V的直流宽幅输入电压范围，输出能力则高达70V。本专利技术使用的输入电压则是光模块供电的标准电压3.3V。因为运放电路的最高供电电压为32V本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种带过流保护的APD偏压电路，其特征在于：包括用于输出高电压的APD Bias芯片电路、用于实现四路电路放大输出且输出可调的运放芯片电路，所述APD Bias芯片电路包括APD Bias芯片，所述运放芯片电路包括运放芯片，所述APD Bias芯片的电压输出端口与所述运放芯片的电源输入端口电连接，所述运放芯片内设有四个运算放大器，运算放大器的运放电源为APD Bias芯片的输出电压，运算放大器的负输入端通过第一电阻接地，运算放大器的输出端口通过第二电阻与运算放大器的负输入端电连接，运算放大器的正输入端通过第三电阻与控制器电连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种带过流保护的APD偏压电路，其特征在于：包括用于输出高电压的APDBias芯片电路、用于实现四路电路放大输出且输出可调的运放芯片电路，所述APDBias芯片电路包括APDBias芯片，所述运放芯片电路包括运放芯片，所述APDBias芯片的电压输出端口与所述运放芯片的电源输入端口电连接，所述运放芯片内设有四个运算放大器，运算放大器的运放电源为APDBias芯片的输出电压，运算放大器的负输入端通过第一电阻接地，运算放大器的输出端口通过第二电阻与运算放大器的负输入端电连接，运算放大器的正输入端通过第三电阻与控制器电连接。
2.如权利要求1所述的带过流保护的APD偏压电路，其特征在于：所述APDBias芯片电路还包括第四电阻R125、第五电阻R126和第一电容C350，所述APDBias芯片的monin端口依次通过第四电阻R125和第五电阻R126接地，所述第一电容C350与第四电阻R125并联。
3.如权利要求1所述的带过流保护的APD偏压电路，其特征在于：所述第四电阻R125的阻值为1M，所述第五电阻R126的阻值为33K。
4.如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：何超，李林科，吴天书，杨现文，张健，
申请(专利权)人：武汉联特科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42
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