【技术实现步骤摘要】
一种谐振型SAW温度-湿度传感器及其制备方法
本专利技术涉及一种谐振型SAW温度-湿度传感器及其制备方法,属于微电子机械系统
技术介绍
在生产过程和科学实验中,要对各种各样的参数进行监测和控制,温度和湿度作为系统的基本参量,很难找出一个与湿度无关的领域。随着科学技术的发展,在高温、高压力、强电磁干扰等的极端环境下的生产过程和科学实验越来越多,因此原始的使用热电偶或半导体材料制成的温度传感器有局限性,而基于谐振型SAW的温度-湿度集成传感器能够做到无线无源,即该传感器无需任何能量提供,可实现绝对无源。经过测定,SAW传感器在高温、高压力、强电磁干扰等极端恶劣环境中,依然保持优异的性能。而基于MEMS加工技术的SAW传感器更具有体积小,价格低,与集成电路工艺兼容,产品一致性好的特点。本专利技术提出的一种谐振型SAW的温度-湿度集成传感器,在制备中时采用了一种外延单晶硅封腔工艺,使在单晶硅衬底中生成密封腔,通过SAW谐振器检测密封腔变量的大小,检测所在环境的压力,再通过MEMS加工技术集成微带天线返回电波,使得该 ...
【技术保护点】
1. 一种基于谐振型SAW的温度-湿度传感器,其特征在于,包括单晶硅衬底(1)、氧化硅(2)、氮化铝(3)、金属Al (4)、聚酰亚胺介质层(5)和密封腔(6);所述单晶硅衬底(1)外表面下设有若干密封腔(6),所述单晶硅衬底(1)外表面上均匀生长有氧化硅(2);所述氧化硅(2)两端分别生长有氮化铝(3);两端所述氮化铝(3)上溅射有金属Al(4),并且一端所述金属Al(4)上涂覆有聚酰亚胺介质层(5)。/n
【技术特征摘要】
1.一种基于谐振型SAW的温度-湿度传感器,其特征在于,包括单晶硅衬底(1)、氧化硅(2)、氮化铝(3)、金属Al(4)、聚酰亚胺介质层(5)和密封腔(6);所述单晶硅衬底(1)外表面下设有若干密封腔(6),所述单晶硅衬底(1)外表面上均匀生长有氧化硅(2);所述氧化硅(2)两端分别生长有氮化铝(3);两端所述氮化铝(3)上溅射有金属Al(4),并且一端所述金属Al(4)上涂覆有聚酰亚胺介质层(5)。
2.根据权利要求1所述的一种基于谐振型SAW的温度-湿度传感器,其特征在于,所述金属Al(4)包括微带天线(7)、叉指电极IDTs(8)和反射栅(9)。
3.根据权利要求1所述的一种基于谐振型SAW的温度-湿度传感器,其特征在于,所述聚酰亚胺介质层(5)覆盖在一端的叉指电极IDTs(8)上方。
4.根据权利要求1所述的一种基于谐振型SAW的温度-湿度传感器,其特征在于,所述单晶硅衬底(1)为N型单晶硅。
5.一种基于谐振型SAW的温度-湿度传感器的制备方法,其特征在于,权利要求1-4所述的基于谐振型SAW的温度-湿度传感器的具体制备步骤如下:
S1.通过各向异...
【专利技术属性】
技术研发人员:蔡春华,滕思茹,金纪东,
申请(专利权)人:河海大学常州校区,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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