一种自支撑g-C3N4/CDots纳米纤维薄膜制备工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种自支撑g‑C3N4/CDots纳米纤维薄膜制备工艺，自支撑膜制备工艺领域，一种自支撑g‑C3N4/CDots纳米纤维薄膜制备工艺，具体步骤为：首先使用一步烧结法将尿素、碳点和乙醇混合溶液加热获得块状产物，然后将快状产物研磨成粉后加入分散剂和水配置成分散液A，取部分分散液A加入成膜助剂、干燥控制剂和消泡剂制得悬浊液B，在两个自支撑基体上涂覆悬浊液B后铺设多孔纳米纤维材料再将两个自支撑基体合并，进行高压复合、干燥和氮气保护下退火获得复合g‑C3N4/CDots纳米纤维膜层，可以实现使成型复合g‑C3N4/CDots纳米纤维膜层呈有波浪起伏结构，以提高成型膜层的接触面，提高膜层的受力能力，且膜层具有一定的刚性、韧性和较好的弯曲性能。

【技术实现步骤摘要】
一种自支撑g-C3N4/CDots纳米纤维薄膜制备工艺
本专利技术涉及模具领域，更具体地说，涉及一种自支撑g-C3N4/CDots纳米纤维薄膜制备工艺。
技术介绍
高质量有机半导体薄膜由于其在有机发光二极管，有机场效应晶体管，有机光电器件、太阳能电池、有机传感器件等方面具有潜在用途已经成为研究热点。目前，人们开拓了各种各样的不同方法来制备这种具有高结晶性的半导体薄膜。石墨相氮化碳(g-C3N4)是一种类石墨烯状二维半导体材料，具有独特的电子结构、比表面积大、廉价易得、化学稳定性和热稳定性良好等特点，在制动材料领域有着巨大的应用前景。但是，现有技术中如果制作的半导体薄膜的厚度较大，其变形程度和速度受到较大的限制。而制动材料的厚度较小时，不易成型，且刚度较差。这都影响了半导体薄膜的应用和发展。
技术实现思路
1.要解决的技术问题针对现有技术中存在的问题，本专利技术的目的在于提供一种自支撑g-C3N4/CDots纳米纤维薄膜制备工艺，可以实现使成型复合g-C3N4/CDots纳米纤维膜层呈有波浪起伏结构，以提高成型本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种自支撑g-C3N4/CDots纳米纤维薄膜制备工艺，其特征在于：具体步骤为：/nS1，将尿素与碳点通过乙醇溶液溶解在烧杯中，超声处理10min后转移至坩埚中，将坩埚移至马弗炉中，采用一步烧结法加工后得到块状产物；/nS2，将上一步获得的块状产物用乙醇洗涤干燥后，使用研磨机研磨成粉末，即得g-C3N4/CDots复合物。再进行干磨后，加入分散剂和水进行湿磨并配置成分散液A；/nS3，取部分纳米g-C3N4/CDots分散液，向其中加入成膜助剂、干燥控制剂、消泡剂制得悬浊液B；/nS4，对两个自支撑基体(1)进行预处理；/nS5，在两个自支撑基体(1)涂覆S3步骤中的悬浊液B，然后在支撑基...

【技术特征摘要】
1.一种自支撑g-C3N4/CDots纳米纤维薄膜制备工艺，其特征在于：具体步骤为：
S1，将尿素与碳点通过乙醇溶液溶解在烧杯中，超声处理10min后转移至坩埚中，将坩埚移至马弗炉中，采用一步烧结法加工后得到块状产物；
S2，将上一步获得的块状产物用乙醇洗涤干燥后，使用研磨机研磨成粉末，即得g-C3N4/CDots复合物。再进行干磨后，加入分散剂和水进行湿磨并配置成分散液A；
S3，取部分纳米g-C3N4/CDots分散液，向其中加入成膜助剂、干燥控制剂、消泡剂制得悬浊液B；
S4，对两个自支撑基体(1)进行预处理；
S5，在两个自支撑基体(1)涂覆S3步骤中的悬浊液B，然后在支撑基体自支撑基体(1)上铺设多孔纳米纤维膜，再将S2步骤中获得的分散液A涂覆在一个多孔纳米纤维膜上，经过高压复合、干燥和氮气保护下退火得到复合g-C3N4/CDots纳米纤维膜层；
S6，将复合g-C3N4/CDots纳米纤维膜层从自支撑基体(1)的表面剥离，并对复合g-C3N4/CDots纳米纤维膜层进行还原处理得到自支撑g-C3N4/CDots纳米纤维薄膜。


2.根据权利要求1所述的一种自支撑g-C3N4/CDots纳米纤维薄膜制备工艺，其特征在于：所述S1步骤中一步烧结法的具体操作为：将马弗炉中的溶液在马弗炉中程序升温至550℃，保持550℃继续加热2h，然后关闭马弗炉冷却至室温，升温速率为2℃/min。


3.根据权利要求1所述的一种自支撑g-C3N4/CDots纳米纤维薄膜制备工艺，其特征在于：所述S...

【专利技术属性】
技术研发人员：周雪娇，张明义，邵长路，李兴华，
申请(专利权)人：哈尔滨师范大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23