一种Zn制造技术

本发明专利技术涉及发光材料及器件的技术领域，具体涉及一种Zn

【技术实现步骤摘要】
一种Zn2+掺杂CsPbBr3纳米晶磷硅酸盐玻璃的制备方法及其应用
本专利技术涉及发光材料及器件的
，具体涉及一种Zn2+掺杂CsPbBr3纳米晶磷硅酸盐玻璃的制备方法及其应用。
技术介绍
在过去的几十年，光电信息领域有了极大的发展，而光学材料广泛应用于光电子领域，在社会发展中起着重要的作用，直接影响着人们的日常生活。其中，发光材料的质量尤为重要，一般依赖于某几项重要的性质，如量子产率(PLQY)、光谱纯度和稳定性等。半导体纳米晶是一种准零维的半导体纳米晶颗粒。当半导体材料的晶粒尺寸逐渐减小至激子波尔半径时，大块材料的连续能带结构变成分立能级结构。随着纳米晶尺寸的逐渐减小，其禁带宽度逐渐增大，其荧光光谱呈现蓝移趋势。因此可以通过简单的尺寸调控机制来调控纳米晶的光谱性质。CsPbBr3钙钛矿型材料是直接带隙半导体材料，其带隙能为2.30eV。CsPbBr3纳米晶的荧光在520nm附近，一般呈现为绿光。CsPbBr3纳米晶的制备方法有很多，其中玻璃熔融法是一项成熟的钙钛矿纳米晶制备工艺，可以为CsPbBr3纳米晶提供稳本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种Zn

【技术特征摘要】
1.一种Zn2+掺杂CsPbBr3纳米晶磷硅酸盐玻璃的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)根据玻璃设计组分按摩尔百分比称取原料，混合均匀；
(2)将混合均匀后的原料在一定温度下熔融，得到玻璃液；
(3)将熔融的玻璃液倒在模具中成型，再在一定温度下退火一定时间后冷却至室温；
(4)将步骤(3)制得的产品在一定温度下进行热处理一定时间，得到所述Zn2+掺杂CsPbBr3纳米晶磷硅酸盐玻璃。


2.根据权利要求1所述的Zn2+掺杂CsPbBr3纳米晶磷硅酸盐玻璃的制备方法，其特征在于：所述步骤(1)中，玻璃原料包括PbBr2和ZnBr2，PbBr2和ZnBr2占玻璃原料的总摩尔百分比为4％～6％，其中PbBr2与ZnBr2的摩尔比为1：1.5-5。


3.根据权利要求1所述的Zn2+掺杂CsPbBr3纳米晶磷硅酸盐玻璃的制备方法，其特征在于：所述步骤(2)中，熔融温度为1100-1300℃。


4.根据权利要求1所述的Zn2+掺杂CsPbBr3纳米晶磷硅酸盐玻璃的制备方法，其特征在于：所述步骤(3)中，退火温度为200-400℃，退火时间为2～3h。


5.根据权利要求1所述的Zn2+掺杂C...

【专利技术属性】
技术研发人员：张继红，余淼，田启航，程方亮，张福军，李明，
申请(专利权)人：武汉理工大学，
类型：发明
国别省市：湖北;42