显示装置制造方法及图纸

根据本发明专利技术实施方式的显示装置的有源矩阵基板在各像素中具有：TFT、实质上覆盖TFT的绝缘层、由透明导电材料形成并电连接于TFT的像素电极、位于TFT与像素电极之间的彩色滤光片以及中间层电极，该中间层电极由透明导电材料形成，且至少一部分位于绝缘层与彩色滤光片之间，并将TFT的漏极电极与像素电极电连接。在彩色滤光片中所形成的接触孔中，像素电极与中间层电极连接。从显示面法线方向观察时，接触孔与TFT的栅极电极至少部分重叠。

【技术实现步骤摘要】
显示装置
本专利技术涉及一种显示装置，尤其是涉及具备有源矩阵基板的显示装置，该有源矩阵基板具有彩色滤光片。
技术介绍
在一般的液晶显示装置中，彩色滤光片设置在与有源矩阵基板对置的对置基板上。因此，对置基板有时也称为彩色滤光片基板。近年来，液晶显示装置的高清晰度正在推进。尤其，在用于头戴式显示器(HeadMountedDisplay：HMD)的液晶显示装置中，用透镜放大显示画面并进行观看，因此需要非常高的清晰度。在这样的超高清的液晶显示装置中，由于像素间距小，所以如果在对置基板侧设置彩色滤光片，则在产生贴合错位时容易发生色偏等问题。因此，需要尽量减小贴合错位，这导致了成品率降低。作为能够防止由于贴合错位引起的色偏的结构，已经提出了在有源极矩阵基板上设置彩色滤光片的结构(称为“阵列彩色滤光片(ColorfilteronArray：COA)结构”)。COA结构例如在专利文献1和2中有所公开。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开平11-24061号公报专利文献2：日本专利特开2002-350886号公报
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题然而，经本申请专利技术人对COA结构在超高清的液晶显示装置上的应用进行了详细研究发现：由于COA结构的应用，产生了开口率降低的新问题。产生这个问题的原因在于，如后续详细描述那样，在各像素中，需要在彩色滤光片中形成用于电连接TFT(薄膜晶体管)和像素电极的接触孔。此外，在底部发射型的有机EL显示装置中，期望进一步提高开口率。本专利技术是鉴于上述问题而完成的，其目的在于提高具备具有彩色滤光片的有源矩阵基板的显示装置的开口率。解决问题的方案本说明书公开了以下项目中记载的显示装置。[项目1]一种显示装置，其具备有源矩阵基板，所述有源矩阵基板具有排列成包含多行以及多列的矩阵状的多个像素；以及沿着行方向延伸的多条扫描配线以及沿着列方向延伸的多条信号配线，在所述显示装置中，所述有源矩阵基板在所述多个像素的每一个中具有：TFT，其具有半导体层、栅极绝缘层、栅极电极、源极电极以及漏极电极；绝缘层，其实质上覆盖所述TFT；像素电极，其由透明导电材料形成，并电连接于所述TFT；彩色滤光片，其位于所述TFT与所述像素电极之间；以及中间层电极，其由透明导电材料形成，且至少一部分位于所述绝缘层与所述彩色滤光片之间，并将所述TFT的所述漏极电极与所述像素电极电连接，在所述彩色滤光片中所形成的接触孔中，所述像素电极与所述中间层电极连接，从显示面法线方向观察时，所述接触孔与所述TFT的所述栅极电极至少部分重叠。[项目2]在项目1所述的显示装置中，当将由所述多条扫描配线中的彼此相邻的两条扫描配线和所述多条信号配线中的彼此相邻的两条信号配线包围的区域称为像素开口区域时，所述像素开口区域包括形成有所述绝缘层的第一区域和未形成有所述绝缘层的第二区域。[项目3]在项目2所述的显示装置中，除了所述多条扫描配线、所述多条信号配线以及所述TFT的上方和它们的附近以外，未形成有所述绝缘层。[项目4]在项目2或3所述的显示装置中，从显示面法线方向观察时，在所述像素开口区域内，所述第二区域所占比例为30％以上。[项目5]在项目2至4中任一项所述的显示装置中，所述TFT的所述漏极电极由金属材料形成，在所述像素开口区域中的所述第二区域中，所述TFT的所述漏极电极与所述中间层电极连接。[项目6]在项目2至4所述的显示装置中，所述TFT的所述漏极电极是与所述中间层电极一体形成的透明漏极电极，在所述像素开口区域中的所述第二区域中，所述透明漏极电极与所述半导体层连接。[项目7]在项目1至6的任一项所述的显示装置中，所述有源矩阵基板在所述多个像素的每一个中还具有设置在所述栅极电极的下方的遮光层。[项目8]在项目7所述的显示装置中，从显示面法线方向观察时，所述遮光层包含与所述栅极电极重叠的部分和与所述栅极电极不重叠的部分。[项目9]在项目1至8的任一项所述的显示装置中，所述TFT的所述半导体层为氧化物半导体层。[项目10]在项目9所述的显示装置中，所述氧化物半导体层包含In-Ga-Zn-O系半导体。[项目11]在项目10所述的显示装置中，所述In-Ga-Zn-O系半导体包含结晶部分。[项目12]在项目1至11的任一项所述的显示装置中，所述显示装置为液晶显示装置，所述液晶显示装置还包括：对置基板，与所述有源矩阵基板对置；以及液晶层，其设置在所述有源矩阵基板与所述对置基板之间。专利技术效果根据本专利技术的实施方式，可以提高具备具有彩色滤光片的有源矩阵基板的显示装置的开口率。附图说明图1是示意性示出本专利技术的第一实施方式的液晶显示装置100的俯视图，并示出了一个像素所对应的区域。图2是示意性示出液晶显示装置100的剖视图，并示出了沿着图1中的2A-2A’线的剖面结构。图3是液晶显示装置100的有源矩阵基板10的剖视图，并示出了沿着图1中的3A-3A’线的剖面结构。图4A是示出有源矩阵基板10的制作工序的剖视图，并示出了与图3所示的区域相同的区域(TFT11附近的区域)。图4B是示出有源矩阵基板10的制作工序的剖视图，并示出了与图3所示的区域相同的区域(TFT11附近的区域)。图4C是示出有源矩阵基板10的制作工序的剖视图，并示出了与图3所示的区域相同的区域(TFT11附近的区域)。图4D是示出有源矩阵基板10的制作工序的剖视图，并示出了与图3所示的区域相同的区域(TFT11附近的区域)。图4E是示出有源矩阵基板10的制作工序的剖视图，并示出了与图3所示的区域相同的区域(TFT11附近的区域)。图4F是示出有源矩阵基板10的制作工序的剖视图，并示出了与图3所示的区域相同的区域(TFT11附近的区域)。图4G是示出有源矩阵基板10的制作工序的剖视图，并示出了与图3所示的区域相同的区域(TFT11附近的区域)。图4H是示出有源矩阵基板10的制作工序的剖视图，并示出了与图3所示的区域相同的区域(TFT11附近的区域)。图4I是示出有源矩阵基板10的制作工序的剖视图，并示出了与图3所示的区域相同的区域(TFT11附近的区域)。图5是示意性示出本专利技术的实施方式的其他液晶显示装置200的俯视图，并示出了一个像素所对应的区域。图6是示意性示出液晶显示装置200的剖视图，并示出了沿着图5中的6A-6A’线的剖面结构。图7是本专利技术的实施方式的另一液晶显示装置300的有源矩阵基板10的剖视图。图8是示意性示出比较例的液晶显示装置900的剖视图。具体实施方式以下参照附图说明本专利技术的实施方式。另外，在下面本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置，其具备有源矩阵基板，所述有源矩阵基板具有排列成包含多行以及多列的矩阵状的多个像素；以及沿着行方向延伸的多条扫描配线以及沿着列方向延伸的多条信号配线，所述显示装置的特征在于，/n所述有源矩阵基板在所述多个像素的每一个中具有：/nTFT，其具有半导体层、栅极绝缘层、栅极电极、源极电极以及漏极电极；/n绝缘层，其实质上覆盖所述TFT；/n像素电极，其由透明导电材料形成，并电连接于所述TFT；/n彩色滤光片，其位于所述TFT与所述像素电极之间；以及/n中间层电极，其由透明导电材料形成，且至少一部分位于所述绝缘层与所述彩色滤光片之间，并将所述TFT的所述漏极电极与所述像素电极电连接，/n在所述彩色滤光片中所形成的接触孔中，所述像素电极与所述中间层电极连接，/n从显示面法线方向观察时，所述接触孔与所述TFT的所述栅极电极至少部分重叠。/n

【技术特征摘要】
20190614 US 62/8613401.一种显示装置，其具备有源矩阵基板，所述有源矩阵基板具有排列成包含多行以及多列的矩阵状的多个像素；以及沿着行方向延伸的多条扫描配线以及沿着列方向延伸的多条信号配线，所述显示装置的特征在于，
所述有源矩阵基板在所述多个像素的每一个中具有：
TFT，其具有半导体层、栅极绝缘层、栅极电极、源极电极以及漏极电极；
绝缘层，其实质上覆盖所述TFT；
像素电极，其由透明导电材料形成，并电连接于所述TFT；
彩色滤光片，其位于所述TFT与所述像素电极之间；以及
中间层电极，其由透明导电材料形成，且至少一部分位于所述绝缘层与所述彩色滤光片之间，并将所述TFT的所述漏极电极与所述像素电极电连接，
在所述彩色滤光片中所形成的接触孔中，所述像素电极与所述中间层电极连接，
从显示面法线方向观察时，所述接触孔与所述TFT的所述栅极电极至少部分重叠。


2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
当将由所述多条扫描配线中的彼此相邻的两条扫描配线和所述多条信号配线中的彼此相邻的两条信号配线包围的区域称为像素开口区域时，所述像素开口区域包括形成有所述绝缘层的第一区域和未形成有所述绝缘层的第二区域。


3.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，
除了所述多条扫描配线、所述多条信号配线以及所述TFT的上方和它们的附近以外，未形成有所述绝缘层。


4.根据权利要求2或3所述的显示装置，其特征在于，
从显示面法线方向观察时，在所述像素开口区域内...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈田训明，吉田圭介，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP