电子设备的频率校准方法、装置、介质及电子设备制造方法及图纸

本公开实施例提供了一种电子设备的频率校准方法、装置、介质及电子设备。所述电子设备包括晶体振荡器，该电子设备的频率校准方法包括：在所述电子设备的工厂生产线的工艺流程中，获取所述晶体振荡器在预设温度区间中的每一采样温度下的实际输出频率；基于每一采样温度及其对应的实际输出频率和期望频率修正所述晶体振荡器的温度频率偏差特性函数的参数；根据修正后的温度频率偏差特性函数校准所述晶体振荡器的输出频率。本公开实施例的技术方案通过在工厂生产过程中，在包含预设温度区间的环境中对晶体振荡器的实际输出频率进行采样，以修正晶体振荡器的频率偏差特性函数的参数，能够在电子设备的生产过程中实现频率校准，提高频率准确度。

【技术实现步骤摘要】
电子设备的频率校准方法、装置、介质及电子设备
本公开涉及晶体振荡器测试领域，具体而言，涉及一种电子设备的频率校准方法、装置、介质及电子设备。
技术介绍
石英晶体本身具有压电效应，晶体振荡器可产生非常稳定的谐振频率，可作为电子产品的时钟频率，因此被称为电子产品的心脏。目前，为实现电子设备的频率校准，首先在生产过程中进行粗校准，然后在出厂后的使用过程中，通过联网进行电子设备的频率参数的持续调整，然而出厂后的持续调试过程耗时较长，初期将无法保证电子设备定位精度的准确度。相关技术中，还可采用温控晶体振荡器和压控晶体振荡器实现电子设备的时钟频率校准，然而，温控晶体振荡器和压控晶体振荡器的外围电路复杂，在印制电路板(Printedcircuitboard，PCB)中占板率较大，且相比于普通晶体振荡器具有较高的成本。因此，需要一种新的电子设备的频率校准方法、装置、介质及电子设备。需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
技术实现思路
本公开实施例提供一种电子设备的频率校准方法、装置、介质及电子设备，进而至少在一定程度上克服相关技术中存在的由于电子设备的频率校准耗时较长造成前期输出频率准确性低或者相关技术中的温控晶体振荡器、压控晶体振荡器由于外围电路复杂造成的占板面积大且成本较高的技术问题。本公开的其他特性和优点将通过下面的详细描述变得显然，或部分地通过本公开的实践而习得。根据本公开的一个方面，提供一种电子设备的频率校准方法，所述电子设备包括晶体振荡器；所述方法包括：在所述电子设备的工厂生产线的工艺流程中，获取所述晶体振荡器在预设温度区间中的每一采样温度下的实际输出频率；基于每一采样温度及其对应的实际输出频率和期望频率修正所述晶体振荡器的温度频率偏差特性函数的参数；根据修正后的温度频率偏差特性函数校准所述晶体振荡器的输出频率。在本公开的一种示例性实施例中，所述电子设备包括载板，所述晶体振荡器贴片于所述载板上，所述电子设备还包括电源管理芯片，所述电源管理芯片与所述晶体振荡器电连接，所述方法应用于所述电源管理芯片。在本公开的一种示例性实施例中，所述电子设备的工厂生产线的工艺流程包括所述电子设备的老化测试流程。在本公开的一种示例性实施例中，所述预设温度区间包括第一温度区间、第二温度区间和第三温度区间，其中所述第一温度区间的温度低于所述第二温度区间的温度，所述第二温度区间低于所述第三温度区间的温度。在本公开的一种示例性实施例中，所述参数包括第一参数和第二参数；其中，基于每一采样温度及其对应的实际输出频率和期望频率修正所述晶体振荡器的温度频率偏差特性函数的参数，包括：基于所述第二温度区间的每一采样温度及其对应的实际输出频率，确定所述第二温度区间的每一采样温度的第一频率偏差值；根据所述第一频率偏差值和所述期望频率修正所述第一参数和所述第二参数。在本公开的一种示例性实施例中，所述参数包括第三参数和第四参数；其中，基于每一采样温度及其对应的实际输出频率和期望频率修正所述晶体振荡器的温度频率偏差特性函数的参数，包括：基于所述第一温度区间和所述第三温度区间的每一采样温度及其对应的实际输出频率，确定所述第一温度区间和所述第三温度区间的每一采样温度的第二频率偏差值；根据所述第二频率偏差值和所述期望频率修正所述第三参数和所述第四参数。在本公开的一种示例性实施例中，所述预设温度区间为[-20℃,+55℃]。在本公开的一种示例性实施例中，所述第一温度区间为[-20℃,-10℃]，所述第二温度区间为(-10℃，+45℃)，所述第三温度区间为[+45℃,+55℃]。在本公开的一种示例性实施例中，所述电子设备还包括定位模组；其中，所述方法还包括：利用所述晶体振荡器的输出频率，获取卫星的发射信号至所述定位模组的到达时间；根据所述到达时间计算所述卫星与所述电子设备之间的距离。根据本公开的一个方面，提供一种电子设备的频率校准装置，所述电子设备包括晶体振荡器；所述装置包括：频率采样模块，用于在所述电子设备的工厂生产线的工艺流程中，获取所述晶体振荡器在预设温度区间中的每一采样温度下的实际输出频率；参数修正模块，用于基于每一采样温度及其对应的实际输出频率和期望频率修正所述晶体振荡器的温度频率偏差特性函数的参数；频率校准模块，用于根据修正后的温度频率偏差特性函数校准所述晶体振荡器的输出频率。根据本公开的一个方面，提供一种计算机可读介质，其上存储有计算机程序，所述程序被处理器执行时实现上述任一实施例所述的电子设备的频率校准方法。根据本公开的一个方面，提供一种电子设备，一个或多个处理器；存储装置，用于存储一个或多个程序；当所述一个或多个程序被所述一个或多个处理器执行，使得所述一个或多个处理器实现上述任一实施例所述的电子设备的频率校准方法。本公开实施例提供的技术方案可以包括以下有益效果：在本公开的一些实施例所提供的技术方案中，通过在工厂生产过程中，包含预设温度区间的环境中对晶体振荡器的输出频率进行采样，以修正晶体振荡器的频率偏差特性函数的参数，能够在电子设备的生产过程中实现频率校准，提高频率准确度。应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。附图说明此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：图1示意性示出了根据本公开的一个实施例的电子设备的频率校准方法的流程图。图2示意性示出了根据本公开的一个实施例的电源管理芯片的示意图；图3示意性示出了图1中的步骤S120的一个实施例的流程图。图4示意性示出了根据本公开的又一个实施例的电子设备的频率校准方法的流程图。图5示意性示出了根据本公开的一个实施例的电子设备的频率校准装置的框图。图6示意性示出了根据本公开的一个实施例的电子设备的框图。具体实施方式现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施方式使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。此外，所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本公开的实施例的充分理解。然而，本领域技术人员将意识到，可以实践本公开的技术方案而没有特定细节中的一个或更多，或者可以采用其它的方法、组元、装置、步骤等。在其它情况下，不详细示出或描述公知方法、装置、实现或者操作以避免模糊本公开的各方面。附图中所示的方框图仅仅是功能实体，不一定必须与物理上独立的实体相对应。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电子设备的频率校准方法，其特征在于，所述电子设备包括晶体振荡器；所述方法包括：/n在所述电子设备的工厂生产线的工艺流程中，获取所述晶体振荡器在预设温度区间中的每一采样温度下的实际输出频率；/n基于每一采样温度及其对应的实际输出频率和期望频率修正所述晶体振荡器的温度频率偏差特性函数的参数；/n根据修正后的温度频率偏差特性函数校准所述晶体振荡器的输出频率。/n

【技术特征摘要】
1.一种电子设备的频率校准方法，其特征在于，所述电子设备包括晶体振荡器；所述方法包括：
在所述电子设备的工厂生产线的工艺流程中，获取所述晶体振荡器在预设温度区间中的每一采样温度下的实际输出频率；
基于每一采样温度及其对应的实际输出频率和期望频率修正所述晶体振荡器的温度频率偏差特性函数的参数；
根据修正后的温度频率偏差特性函数校准所述晶体振荡器的输出频率。


2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电子设备包括载板，所述晶体振荡器贴片于所述载板上，所述电子设备还包括电源管理芯片，所述电源管理芯片与所述晶体振荡器电连接，所述方法应用于所述电源管理芯片。


3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述电子设备的工厂生产线的工艺流程包括所述电子设备的老化测试流程。


4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设温度区间包括第一温度区间、第二温度区间和第三温度区间，其中所述第一温度区间的温度低于所述第二温度区间的温度，所述第二温度区间低于所述第三温度区间的温度。


5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述参数包括第一参数和第二参数；其中，基于每一采样温度及其对应的实际输出频率和期望频率修正所述晶体振荡器的温度频率偏差特性函数的参数，包括：
基于所述第二温度区间的每一采样温度及其对应的实际输出频率，确定所述第二温度区间的每一采样温度的第一频率偏差值；
根据所述第一频率偏差值和所述期望频率修正所述第一参数和所述第二参数。


6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述参数包括第三参数和第四参数；其中，基于每一采样温度及其对应的实际输出频率和期望频率修正所述晶体振荡器的温度频率偏差特性函数的参数，包括：
基于所述第一温度区间和所述第三...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨鑫，
申请(专利权)人：OPPO广东移动通信有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44