【技术实现步骤摘要】
介电陶瓷组合物和包括其的多层陶瓷电容器本申请要求于2019年6月14日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0070783号韩国专利申请的优先权的权益,所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
本公开涉及一种具有改善的可靠性的介电陶瓷组合物和包括该介电陶瓷组合物的多层陶瓷电容器。
技术介绍
通常,诸如电容器、电感器、压电元件、压敏电阻、热敏电阻等的使用陶瓷材料的电子组件包括利用陶瓷材料形成的陶瓷主体、形成在陶瓷主体中的内电极以及安装在陶瓷主体的表面上以连接到内电极的外电极。由于近来存在使电子产品以及片式组件小型化和多功能化的趋势,因此存在对尺寸较小但具有较大电容的多层陶瓷电容器的需要。用于既使多层陶瓷电容器小型化同时又增大其电容的方法是减小介电层和内电极层的厚度以层叠更多数量的层。目前,介电层的厚度为约0.6μm,并且已经在努力开发更薄的介电层。在这样的情况下,确保介电层的可靠性正成为介电材料的主要问题。另外,由于介电材料的绝缘电阻的劣化增加,因此难以管理质量和良率已经成为问题。为了解决这样的问题,需要不仅针对多层陶瓷电容器的结构而且特别针对电介质的组分开发一种用于确保高可靠性的新方法。当确保能够改善目前的可靠性的介电组合物时,可制造较薄的多层陶瓷电容器。
技术实现思路
本公开的一方面在于提供一种具有改善的可靠性的介电陶瓷组合物和包括该介电陶瓷组合物的多层陶瓷电容器。根据本公开的一方面,一种介电陶瓷组合物包括钛酸钡(BaTiO3) ...
【技术保护点】
1.一种介电陶瓷组合物,包括:/n钛酸钡基基体材料主成分和副成分,其中:/n所述副成分包含作为第一副成分的Dy和Nd;并且/n基于100mol的所述钛酸钡基基体材料主成分的Ti,Nd的含量小于0.699mol。/n
【技术特征摘要】
20190614 KR 10-2019-00707831.一种介电陶瓷组合物,包括:
钛酸钡基基体材料主成分和副成分,其中:
所述副成分包含作为第一副成分的Dy和Nd;并且
基于100mol的所述钛酸钡基基体材料主成分的Ti,Nd的含量小于0.699mol。
2.如权利要求1所述的介电陶瓷组合物,其中,基于100mol的所述钛酸钡基基体材料主成分的Ti,Nd的含量满足0.233mol≤Nd≤0.466mol。
3.如权利要求1所述的介电陶瓷组合物,其中,基于100mol的所述钛酸钡基基体材料主成分的Ti,Dy和Nd的总含量小于或等于1.0mol。
4.如权利要求1所述的介电陶瓷组合物,其中,所述第一副成分还包括包含La的氧化物或碳酸盐。
5.如权利要求1所述的介电陶瓷组合物,其中,基于100mol的所述钛酸钡基基体材料主成分的Ti,所述介电陶瓷组合物包含大于或等于0.1mol且小于或等于2.0mol的第二副成分,
其中,所述第二副成分包括包含从由Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn组成的组中选择的至少一种元素的一种或更多种氧化物和/或包含从由Mn、V、Cr、Fe、Ni、Co、Cu和Zn组成的组中选择的至少一种元素的一种或更多种碳酸盐。
6.如权利要求1所述的介电陶瓷组合物,基于100mol的所述钛酸钡基基体材料主成分的Ti,所述介电陶瓷组合物还包含大于或等于0.001mol且小于或等于0.5mol的第三副成分,
其中,所述第三副成分包括包含固定价态受主元素Mg的氧化物或碳酸盐。
7.如权利要求1所述的介电陶瓷组合物,其中,基于100mol的所述钛酸钡基基体材料主成分的Ti,所述介电陶瓷组合物包含大于或等于0.001mol且小于或等于4.0mol的第四副成分,
其中,所述第四副成分包括包含Si和Al中的至少一种元素的一种或更多种氧化物或者包含Si的玻璃化合物。
8.一种多层陶瓷电容器,包括:
陶瓷主体,包括介电层以及第一内电极和第二内电极,所述第一内电极和所述第二内电极设置为彼此面对且各介电层介于所述第一内电极和所述第二内电极之间;以及
第一外电极和第二外电极,设置在所述陶瓷主体的外表面上,所述第一外电极电连...
【专利技术属性】
技术研发人员:田喜善,杜世翰娜,赵志弘,金庆植,
申请(专利权)人:三星电机株式会社,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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