【技术实现步骤摘要】
一种多层异质熟瓷基片高精度对位堆叠的方法
本专利技术涉及多层陶瓷基片领域,进一步来说,涉及电子元器件、组件模块或电路板多层异质熟瓷基片领域,具体来说,涉及一种多层异质熟瓷基片的精密对位与堆叠方法。
技术介绍
陶瓷由于具有耐温、耐湿,不老化、强度高等特点,在电子元器件、组件模块以及电路板行业得到大量应用,目前量大面广的电阻、电容、电感、环形器、功分器、TR组件等高性能电子产品基本都含有陶瓷。目前熟瓷(烧结过后的陶瓷)由于无法像硅片那样进行多层热压键合,只能通过厚膜/薄膜方式在单层陶瓷基片上制备电路结构,属于二维平面布局,不能往三维空间布局发展,产品尺寸难以缩小。在此背景下,目前多层共烧陶瓷技术:包括LTCC(多层低温共烧陶瓷)和HTCC(多层高温共烧陶瓷)技术得到非常大面积的应用。多层共烧陶瓷(包括LTCC/HTCC)技术是于1982年由美国休斯公司开始发展起来的令世界瞩目的整合电子组件技术,目前该技术已经成为无源集成的主流技术,成为无源元件领域的发展方向和新的元件产业的经济增长点。该技术是将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确 ...
【技术保护点】
1.一种多层异质熟瓷基片高精度对位堆叠的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:/n(1)生瓷片制备:通过配料、混合球磨、流延成型、裁片制作所需尺寸大小的生瓷片;/n(2)熟瓷基片制备:通过层压、热切、排胶、烧结,制备不同种类的单层熟瓷基片;或者提拉法等方法制备不同种类的单晶基片;/n(3)研磨减薄及抛光处理:将制备得到的熟瓷基片进行表面研磨减薄及抛光处理;/n(4)制作对位孔、电路通孔或热路通孔:在熟瓷基片通过激光加工制备对位孔、电路通孔或热路通孔;/n(5)制作电路通孔或热路通孔填充:对电路通孔或热路通孔填充金属浆料;/n(6)制作电路图形:根据电路设计在每层熟瓷基片上 ...
【技术特征摘要】
1.一种多层异质熟瓷基片高精度对位堆叠的方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:
(1)生瓷片制备:通过配料、混合球磨、流延成型、裁片制作所需尺寸大小的生瓷片;
(2)熟瓷基片制备:通过层压、热切、排胶、烧结,制备不同种类的单层熟瓷基片;或者提拉法等方法制备不同种类的单晶基片;
(3)研磨减薄及抛光处理:将制备得到的熟瓷基片进行表面研磨减薄及抛光处理;
(4)制作对位孔、电路通孔或热路通孔:在熟瓷基片通过激光加工制备对位孔、电路通孔或热路通孔;
(5)制作电路通孔或热路通孔填充:对电路通孔或热路通孔填充金属浆料;
(6)制作电路图形:根据电路设计在每层熟瓷基片上加工电路图形,得到单层陶瓷电路板;
(7)印刷粘合剂浆料:然后在每层电路板上印刷粘合剂浆料;
(8)对位堆叠:将印有粘合剂浆料的每层陶瓷电路板通过自制的销钉台夹具进行销钉对位堆叠;
(9)真空脱泡:叠完后进行真空脱泡处理;
(10)固化或烧结:并进行烘干固化或烧结,完成多层异质熟瓷基片的对位堆叠及粘合。
2.如权利要求1所述的一种多层异质熟瓷基片高精度对位堆叠的方法,其特征在于:所述单层熟瓷基片可以是不同类型的基片,包括不同介电常数介质陶瓷基片、单晶片、铁氧体陶瓷基片、压电陶瓷基片、热释电陶瓷基片、热敏陶瓷基片、压敏陶瓷基片、气敏陶瓷基片等;
所述单层熟瓷基片包括介电常数4~30000介质陶瓷基片、不同磁导率的铁氧体基片、或不同类型的单晶基片;
所述单层熟瓷基片的具体厚度和尺寸:尺寸大小30mm~80mm,厚度为0.3mm~1.2mm。
3.如权利要求1所述的一种多层异质熟瓷基片高精度对位堆叠的方法,其特征在于:所述研磨减薄及抛光处理,是提高基片的平整度及表面质量,保证基片的厚度精度;
所述陶瓷基片表面的研磨减薄及抛光处理的基片厚度为0.15mm~1.0mm、厚度误小于10μm、表面粗糙度0.02μm~0.4μm。
4.如权利要求1所述的一种多层异质熟瓷基片高精度对位堆叠的方法,其特征在于:所述制作电路图形,是采用目前常规的厚膜或薄膜技术,可以在不同类型的陶瓷基片上制备电路图形,包括金、银导体线路,电阻、微波传输线等;
所述电路图形的加工,是在每层熟瓷上通过厚膜印刷或者薄膜溅射等方式来实现。
5.如权利要求1所述的一种多层异质熟瓷基片高精度对位堆叠的方法,其特征在于:所述印刷粘合剂浆料,通过在每层熟瓷基片之间印刷有机/无机粘合剂浆料,保障了每层熟瓷基片之间形成良好的附着力,提高本发明多层异质熟瓷基片/电子产品使用过程中的可靠性;
所述的粘合剂浆料可以是有机浆料或无机玻璃浆料,粘度范围10Pa.S~100Pa.S,优选30Pa.S~60Pa.S,对于有机浆料固化温度选择150℃~300℃,对于无机玻璃浆料烧结温度选择500℃~700℃。
6.如权利要求1所述的一种多层异质熟瓷基片高精度对位堆叠的方法,其特征在于:所述对位孔、电路通孔或热路通孔的加工,是通过激光打孔设备的CCD镜头识别激光加工的对位孔、电路通孔或热路通孔,对位孔、电路通孔或热路通孔的孔径大小可以根据要制备的电子产品实际情况而定,优选范围0.2mm~0.5mm,大小误差小于10μm;
所述对位孔是用于最终堆叠用的,大小为1mm~5mm,优选2mm~3mm,对位孔的孔径误差要求小于10μm,个数2~6个,位于基片的四周,距离基片边缘距离大于1mm,对位孔图形可以根据要加工的电子产品进行自我设计。
7.如权利要求1所述的一种多层异质熟瓷基片高精度对位堆叠的方法,其特征在于:所述销钉台夹具的销钉位置及个数与熟瓷基片上的对位孔一一对应,其中销钉直径比对位孔的孔径要小20μm~60μm,销钉高度1mm~8mm,销钉材质为不锈钢或硬铝合金等;
所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:庞锦标,舒国劲,韩玉成,袁世逢,钟清华,刘凯,谭天波,陈庆红,
申请(专利权)人:中国振华集团云科电子有限公司,
类型:发明
国别省市:贵州;52
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