多芯片集成电路及其交互通信方法技术

本发明专利技术公开了一种多芯片集成电路及其交互通信方法，通过多个低电压芯片串联代替一颗超高压芯片，以降低对芯片工艺的要求，且多个芯片之间通过内部专用的通信端口进行通信，采用差分传输增强了通信的可靠性。相邻两个芯片首尾相连以及低压电源的设置使得相邻两个芯片之间的通信端口的压差较小。

【技术实现步骤摘要】
多芯片集成电路及其交互通信方法
本专利技术涉及一种电力电子技术，更具体地说，涉及一种应用于电源中的多芯片集成电路及其交互通信方法。
技术介绍
如图1所示为现有技术的一个电池管理电路的结构框图，芯片IC用来监测M节电池电压，如果每节电池的电压以最大6V计算，那么端口VC(n)的耐压会达到(6*M)V。在汽车等多串电池应用场合，最高端口VC(n)可能会到100V以上，这种应用对芯片IC的工艺要求极高，而且显著增加了成本。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种多芯片集成电路及其交互通信方法，以降低对芯片IC工艺的要求，而代价仅仅是增加了内部通信端口。第一方面，提供一种多芯片交互通信方法，其特征在于，包括：相邻两个芯片之间至少通过两组通信端口进行通信，每个所述芯片内具有分别与所述两组通信端口相对应的发射电路和接收电路；且每个所述芯片内设置有低压电源为所述发射电路和接收电路供电，以减小所述相邻两个芯片之间的通信端口的压差。优选地，所述通信端口为传输差分信号的端口。优选地，每个所述芯片中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多芯片交互通信方法，其特征在于，包括：/n相邻两个芯片之间至少通过两组通信端口进行通信，每个所述芯片内具有分别与所述两组通信端口相对应的发射电路和接收电路；/n且每个所述芯片内设置有低压电源为所述发射电路和接收电路供电，以减小所述相邻两个芯片之间的通信端口的压差。/n

【技术特征摘要】
1.一种多芯片交互通信方法，其特征在于，包括：
相邻两个芯片之间至少通过两组通信端口进行通信，每个所述芯片内具有分别与所述两组通信端口相对应的发射电路和接收电路；
且每个所述芯片内设置有低压电源为所述发射电路和接收电路供电，以减小所述相邻两个芯片之间的通信端口的压差。


2.根据权利要求1所述的多芯片交互通信方法，其特征在于，所述通信端口为传输差分信号的端口。


3.根据权利要求1所述的多芯片交互通信方法，其特征在于，每个所述芯片中的所述发射电路通过一组发射通信端口发射信号，且相邻芯片中的所述接收电路通过一组接收通信端口接收所述信号；每个所述芯片中的所述接收电路通过一组接收通信端口接收信号，且相邻芯片中的所述发射电路通过一组发射通信端口发射所述信号。


4.根据权利要求1所述的多芯片交互通信方法，其特征在于，所述相邻两个芯片之间首尾相连，使得其中上游芯片的接地端连接至下游芯片的供电端。


5.根据权利要求4所述的多芯片交互通信方法，其特征在于，所述下游芯片的低压电源将所述上游芯片的接地端与所述下游芯片的供电端的公共节点处的电压，拉低第一阈值后为所述发射电路和接收电路供电；所述上游芯片的低压电源将所述上游芯片的接地端与所述下游芯片的供电端的公共节点处的电压，升高第二阈值后为所述发射电路和接收电路供电。


6.根据权利要求5所述的多芯片交互通信方法，其特征在于，所述第一阈值与所述第二阈值相等，且均小于对应芯片的供电端的电压。


7.根据权利要求4所述的多芯片交互通信方法，其特征在于，所述下游芯片的发射电路和接收电路连接至所述低压电源的输出端以及所述供电端之间；所述上游芯片的发射电路和接收电路连接至所述低压电源的输出端以及所述接地端之间。


8.根据权利要求1所述的多芯片交互通信方法，其特征在于，多个所述芯片依次连接至多个串联负载模块的相应节点，以减小每个所述芯片所承受的最大电压。


9.一种多芯片集成电路，具有不少于两个芯片，其特征在于，包括：
相邻两个芯片之间至少通过两组通信端口进行通信，每个所述芯片内具有分别与所述两组通信端口相对应的发射电路和接收电路；
且每个所述芯片内具有低压电源为所述发射电路和接收电路供电，以减小所述相邻两个芯片之间的通信端口的压差。


10.根据权利要求9所述的多芯片集成电路，其特征在于，每个所述芯片中，具有两个由所述低压电源、所述发射电路以及所述接收电路构成的通信模块，且所述两个通信模块分别用以与该芯片的上游芯片和下游芯片进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：武传欣，胡琴芬，
申请(专利权)人：南京矽力微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32