一种基于全桥LLC谐振电路的熔喷布驻极电源电路拓扑制造技术

本发明专利技术公开了一种基于全桥LLC谐振电路的熔喷布驻极电源电路拓扑，其拓扑由以下部件构成：包括交流电源，滤波电容，电力电子器件MOSFET，二极管，谐振电感，谐振电容，高压包，本发明专利技术提出的基于全桥LLC谐振电路的熔喷布驻极电源电路拓扑中的关键部分在于全桥LLC谐振电路的电压利用率为传统半桥电路的两倍，使电力电子器件与高压包低压侧绕组所需的额定电流减小，且高压包低压侧的绕组可以选择较细绕组，降低了高压包制作难度，减小了体积；在使用高频率功率开关器件时，全桥LLC电路可以减少开关转换时的电流电压重叠区，使器件损耗降低，提高系统可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种基于全桥LLC谐振电路的熔喷布驻极电源电路拓扑
本专利技术涉及交-直-交流变流
，具体为一种基于全桥LLC谐振电路的熔喷布驻极电源电路拓扑。
技术介绍
目前，高压驻极处理技术应用于熔喷布生产领域，能提升熔喷布的病毒过滤效果，使其达到N95标准。但由于高压设备的短缺与性能的参差不齐，将影响产品的质量与产量。相比于普通熔喷布驻极电源，基于LLC谐振电路的熔喷布驻极电源可以稳定输出40kV以上的高电压，且可以在更短的时间内产生更好的驻极效果，提高了驻极效率，减少开关损耗。相较于基于半桥LLC谐振电路的熔喷布驻极机电源，本专利技术提出了一种基于全桥LLC谐振电路的熔喷布驻极电源，可以提高电压利用率将高压包所需变比下降一半，并可使电力电子器件及高压包低压侧的电流减小一半，因此降低高压包制作难度，减小电源重量与体积，提高系统运行的可靠性且提高经济性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种基于全桥LLC谐振电路的熔喷布驻极电源电路拓扑，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于全桥LLC谐振电路的熔喷布驻极电源电路拓扑,其特征在于：所述拓扑由以下部件构成：交流电源(V

【技术特征摘要】
1.一种基于全桥LLC谐振电路的熔喷布驻极电源电路拓扑,其特征在于：所述拓扑由以下部件构成：交流电源(Va)，滤波电容(C)，谐振电感(Lr)，谐振电容(Cr)，第一二极管(VD1)、第二二极管(VD2)、第三二极管(VD3)、第四二极管(VD4)、第五二极管(VD5)、第六二极管(VD6)、第七二极管(VD7)和第八二极管(VD8)，第一电力电子器件MOSFET(M1)、第二电力电子器件MOSFET(M2)、第三电力电子器件MOSFET(M3)、第四电力电子器件MOSFET(M4)；
其中，由第一二极管(VD1)、第二二极管(VD2)、第三二极管(VD3)、第四二极管(VD4)构成不控整流桥，与交流电源(Va)相连；第五二极管(VD5)、第六二极管(VD6)、第七二极管(VD7)和第八二极管(VD8)分别与第一电力电子器件MOSFET(M1)、第二电力电子器件MOSFET(M2)、第三电力电子器件MOSFET(M3)、第四电力电子器件MOSFET(M4)反并联。


2.根据权利要求1所述的一种基于全桥LLC谐振电路的熔喷布驻极电源电路拓扑，其特征在于：所述第一电力电子器件MOSFET(M1)和第二电力电子器件MOSFET(M2)构成的半桥的中间端口接谐振电感(Lr)、谐振电容(Cr)和高压包低压侧一端，高压包低压侧另一端与第三电力电子器件MOSFET(M3)、第四电力电子器件MOSFET(M4)构成的半桥的中间端口相连接。


3.根据权利要求2所述的一种基于全桥LLC谐振电路的熔喷...

【专利技术属性】
技术研发人员：张雷，崔瑾，郑一专，姚子豪，邹昊，金周楠，黄凯，马梁钧，戴腾飞，
申请(专利权)人：南通大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32