一种集成式PCB板级熔喷布驻极电源拓扑制造技术

本发明专利技术公开了一种集成式PCB板级熔喷布驻极电源拓扑，该驻级电源不再需要额外的高压包，直接在PCB板上用升压变压器与高压不控整流桥实现高压包的功能。其拓扑由以下部件构成：交流电源V

【技术实现步骤摘要】
一种集成式PCB板级熔喷布驻极电源拓扑
本专利技术涉及熔喷布驻极电源
，具体为一种集成式PCB板级熔喷布驻极电源拓扑。
技术介绍
高压驻极处理技术是提升熔喷布病毒吸附效果，达到N95标准的核心技术。高压设备的短缺与性能的参差不齐是制约口罩质量与产量的关键因素。然而，传统熔喷布驻极电源采用的逆变电路与高压包结合的分立电路不利于电路的整体设计，也使驻极电源的重量与体积很难下降，功率密度较低。为此，本专利技术提出了一种集成式板级熔喷布驻极电源，采用板上升压变压器与板上高压二极管，将所有元件集成到一块PCB板子上，形成高集成度的熔喷布驻极电源，降低系统的重量与体积。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种集成式PCB板级熔喷布驻极电源拓扑，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种集成式PCB板级熔喷布驻极电源拓扑,所述拓扑由以下部件构成：交流电源，第一滤波电容、第二滤波电容，第一均压电阻、第二均压电阻，谐振电感，谐振电容，板上升压变压器，第一开关管MOSFET、第二开关管MO本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成式PCB板级熔喷布驻极电源拓扑,其特征在于：所述拓扑由以下部件构成：交流电源(V

【技术特征摘要】
1.一种集成式PCB板级熔喷布驻极电源拓扑,其特征在于：所述拓扑由以下部件构成：交流电源(Va)，第一滤波电容(C1)、第二滤波电容(C2)，第一均压电阻(R1)、第二均压电阻(R2)，谐振电感(Lr)，谐振电容(Cr)，板上升压变压器(T)，第一开关管MOSFET(M1)、第二开关管MOSFET(M2)和多个二极管，其中，由第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第三二极管(D3)、第四二极管(D4)组成低压侧的不控整流桥，且交流电源(Va)和低压侧不控整流桥相连；由所述第一开关管MOSFET(M1)、第二开关管MOSFET(M2)串联构成半桥。


2.根据权利要求1所述的一种集成式PCB板级熔喷布驻极电源拓扑，其特征在于：所述第一滤波电容(C1)和第二滤波电容(C2)的中间端口接谐振电感(Lr)、谐振电容(Cr)和板上升压变压器低压侧一端，变压器低压侧另一端与第一开关管MOSFET(M1)、第二开关管MOSFET(M2)的中间端口相连接，构成半桥LLC谐振逆变电路。


3.根据权利要求1所述的一种集成式PCB板级熔喷布驻极电源拓扑，其特征在于：第五二极管(D5i)、第六二极管(D6i)、第七二极管(D7i)、第八二极管(D8i)(i＝1,2,3,…,N)组成高压侧的不控整流桥。
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【专利技术属性】
技术研发人员：张雷，周玲玲，姚子豪，郑一专，高嘉洛，孙艺鹤，陈礼先，戴腾飞，
申请(专利权)人：南通大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32