一种具有气密封的微矩形多芯连接器及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种具有气密封的微矩形多芯连接器，包括外壳、气密封插座；所述气密封插座包括插针、绝缘介质及转接板，所述转接板上设置阵列通孔和凸台结构，插针并排烧结在转接板的通孔内，插针与转接板之间填充绝缘介质形成气密封插座，气密封插座通过转接板上部的凸台结构定位于在外壳内部，并与外壳通过钎焊固定密封连接通过选用热膨胀系数逐级递增的材料，增加热匹配缓冲结构解决了铝盒体与微矩形多芯连接器之间的热失配问题，从而保证了电子组件封装的气密性与可靠性；通过将微矩形多芯连接器与铝盒体采用焊接安装固定，实现低频连接的高密度集成，降低了封装体积；通过本发明专利技术方法制备的微矩形连接器耐温高于220℃，工艺兼容性好。

【技术实现步骤摘要】
一种具有气密封的微矩形多芯连接器及其制造方法
本专利技术涉及本专利技术属于电连接器领域，尤其涉及一种能够在铝合金盒体上气密焊接的微矩形多芯连接器及其制造方法。
技术介绍
为满足电子设备高密度、高性能、高可靠的应用需求，电子组件的封装持续向着小型化、轻量化、高散热、高强度的方向发展。具体表现为使用微矩形多芯连接器提高低频信号互连密度与效率，缩小封装体积；使用铝合金作为封装盒体材料，提高散热性能，降低产品重量，保证封装强度。在空间和水下等高可靠的应用场景，要求整个封装具有气密性。现有多芯连接器与盒体的密封集成方式有两种：(1)CN201887205U公开的微矩形多芯连接器与盒体通过焊接工艺集成，集成密度高，但由于微矩形多芯连接器的热膨胀系数约5ppm/℃，铝合金的热膨胀系数约23.5ppm/℃，二者之间的热失配严重，在连接器使用过程中，发生焊接界面焊缝拉裂或者玻璃开裂等故障，造成产品漏气失效。(2)CN204927667U公开的气密封矩形集成式电连接器与封装盒体之间采用O型密封圈密封，密封性能无法达到GJB548B-2004本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有气密封的微矩形多芯连接器，其特征在于，包括外壳、气密封插座；所述气密封插座包括插针、绝缘介质及转接板，所述转接板上设置阵列通孔和凸台结构，插针并排烧结在转接板的通孔内，插针与转接板之间填充绝缘介质形成气密封插座，气密封插座通过转接板上部的凸台结构定位于在外壳内部，并与外壳通过钎焊固定密封连接；绝缘介质热膨胀系数与转接板的热膨胀系数之差不超过2ppm/℃；插针与转接板的金属材料热膨胀系数在9ppm/℃～12ppm/℃之间，熔点不低于1000℃；外壳金属材料的热膨系数在16～24ppm/℃之间，熔点不低于600℃。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有气密封的微矩形多芯连接器，其特征在于，包括外壳、气密封插座；所述气密封插座包括插针、绝缘介质及转接板，所述转接板上设置阵列通孔和凸台结构，插针并排烧结在转接板的通孔内，插针与转接板之间填充绝缘介质形成气密封插座，气密封插座通过转接板上部的凸台结构定位于在外壳内部，并与外壳通过钎焊固定密封连接；绝缘介质热膨胀系数与转接板的热膨胀系数之差不超过2ppm/℃；插针与转接板的金属材料热膨胀系数在9ppm/℃～12ppm/℃之间，熔点不低于1000℃；外壳金属材料的热膨系数在16～24ppm/℃之间，熔点不低于600℃。


2.根据权利要求1所述的具有气密封的微矩形多芯连接器，其特征在于，所述气密封插座中绝缘介质采用玻璃烧结而成。


3.根据权利要求1所述的具有气密封的微矩形多芯连接器，其特征在于，所述多芯连接器中插针、转接板、外壳的表面均镀镍金层。


4.根据权利要求1所述的具有气密封的微矩形多芯连接器，其特征在于，所述转接板材料为低碳钢或柯伐合金，插针材料为柯伐合金。


5.根据权利要求1所述的具有气密封的微矩形多芯连接器，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：卢茜，张剑，李阳阳，董东，景飞，高阳，曾元祁，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第二十九研究所，
类型：发明
国别省市：四川;51