一种刮涂法制备大尺寸晶粒钙钛矿薄膜的方法技术

本发明专利技术涉及一种刮涂法制备大尺寸晶粒钙钛矿薄膜的方法，首先制备离子液体钙钛矿刮涂前驱体，拖动刮刀从基底的一端匀速运动至另一端后，在基底上留下一层湿润的钙钛矿薄膜；在刮涂涂布机上退火20±5秒，然后将已完全变相的钙钛矿薄膜转移至110±10℃的热台上再退火10分钟，得到充分沉积的大尺寸晶粒钙钛矿薄膜。有益效果：大尺寸晶粒的钙钛矿薄膜的制备在空气中进行，无特殊保护气氛要求；通过调整刮涂速率、缝隙间距等可按照实际需求调节钙钛矿薄膜参数；刮涂涂布机设备结构简单、易操作，仪器成本较低，适用于规模化生产；大尺寸晶粒的钙钛矿薄膜不仅可应用于太阳能电池，也可被用于发光二极管、光电探测器等其它领域。

【技术实现步骤摘要】
一种刮涂法制备大尺寸晶粒钙钛矿薄膜的方法
本专利技术属于制备钙钛矿薄膜的方法，涉及一种刮涂法制备大尺寸晶粒钙钛矿薄膜的方法。
技术介绍
随着社会的急速发展和人口数量的激增，发展对环境无污染的绿色能源的需求日益突出，充分利用太阳能会使人类面临的能源危机以及环境污染等重大问题得到解决。钛矿太阳能电池作为新一代的太阳能电池，具有低成本、带隙宽度合适、载流子寿命长、扩散距离远等优点，是一种高效率的金属卤化物半导体材料，短短几年钙钛矿太阳能电池的光电转化效率已经超过了25％，接近单晶硅电池的最高效率记录。目前高效率的钙钛矿吸光层的制备方法主要是旋涂法，然而由于旋涂法制备过程耗时长，难以大规模生产，限制了钙钛矿太阳能电池的进一步应用。根据以往的经验，由于电荷缺陷所导致的非辐射符合是影响钙钛矿光电转化效率较低的重要原因，这些缺陷与晶格空位、晶界陷阱等密切相关，而钙钛矿内部缺陷往往以浅态缺陷为主，对器件性能影响较小。制备大尺寸晶粒的钙钛矿薄膜关键在于控制钙钛矿的结晶成核过程，钙钛矿薄膜的结晶成核过程受到制备工艺、溶剂组成、溶液组分等众多因素的影响，并且钙钛矿薄本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种刮涂法制备大尺寸晶粒钙钛矿薄膜的方法，其特征在于步骤如下：/n步骤1、离子液体钙钛矿刮涂前驱体的制备：将无机卤化物YX

【技术特征摘要】
1.一种刮涂法制备大尺寸晶粒钙钛矿薄膜的方法，其特征在于步骤如下：
步骤1、离子液体钙钛矿刮涂前驱体的制备：将无机卤化物YX2和有机卤化物RNH2按照摩尔比1︰1加入到质子型离子液体中，在惰性气体气氛中，加热55℃搅拌6～9小时，然后将钙钛矿前驱体溶液转移到空气环境中；
步骤2、采用碱液、活性洗涤剂、去离子水和乙醇清洗FTO掺氟二氧化锡涂层玻璃基底：
步骤3：将基底在100±10℃条件下预热10±5分钟，调节涂布刮刀与基底之间的间距为0.2±0.1mm，然后用移液枪吸取钙钛矿前驱体溶液10±5μL转移到刮刀和基底之间的狭缝中；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈永华，陈畅顺，黄维，宋霖，冉晨鑫，
申请(专利权)人：西北工业大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61