显示装置及其制作方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种显示装置及其制作方法，包括以下步骤：形成薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板具有相对设置的第一面和第二面；在所述一面形成保护层；通过第一次构图工艺在所述第二面形成金属层；对所述金属层进行第二次构图工艺，以形成金属构件；在所述第二面形成图案化的绝缘层，所述绝缘层覆盖所述金属构件的至少一部分；在所述金属构件上形成电极层；在所述电极层和所述绝缘层形成平坦化层；去除所述保护层；在所述第一面设置LED芯片；在所述LED芯片上设置光学膜片。本发明专利技术实施例提供的显示装置和显示装置的制作方法用于改善显示装置的双面制程制作的步骤相对繁琐的技术问题。

【技术实现步骤摘要】
显示装置及其制作方法
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示装置及其制作方法。
技术介绍
OLED(OrganicLightEmittingDiode，有机发光二极管)显示装置和MicroLED(MicroLightEmittingDiode，微型有机发光二极管)显示装置虽然不需要框胶进行封装，但基于驱动需求，在显示区域需布置走线及绑定的位置，这样会在显示装置上出现显示区域外的面积，从而不能实现无边框显示及无缝拼接。薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)阵列基板的双面制程是将引脚绑定(OuterLeadBonding，OLB)制作于TFT阵列基板背面，再通过在TFT阵列基板的侧边制作金属线的方式将外围走线与引脚绑定的走线连接在一起，从而实现无缝拼接或物边框显示的目的。无论是先做正面的TFT阵列基板还是背面的引脚绑定，TFT阵列基板的双面制程都需要在TFT阵列基板的两面进行成膜、曝光、显影、刻蚀等工艺。目前，背面制程常用的方法是先在背面做一层透明的非金属膜，然后通过与正面标记(Mark，包括对位和切割等)精确对位制作背面制程。但是，制作该非金属膜标记需要经过真空成膜、光罩形成图案、刻蚀成形等制程，另外，非金属膜本身的反射率极低，由于后续对位仅能通过灰阶识别，为提升背面制程的标记识别能力，一般会在非金属膜标记上面再覆盖一层金属。该方法的制作步骤相对繁琐。故，有必要提出一种新的技术方案，以解决上述技术问题。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种显示装置及其制作方法，用于改善显示装置的双面制程制作的步骤相对繁琐的技术问题。本专利技术实施例提供一种显示装置的制作方法，包括以下步骤：步骤A：形成薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板具有相对设置的第一面和第二面；步骤B：在所述一面形成保护层；步骤C：通过第一次构图工艺在所述第二面形成金属层；步骤D：对所述金属层进行第二次构图工艺，以形成金属构件；步骤E：在所述第二面形成图案化的绝缘层，所述绝缘层覆盖所述金属构件的至少一部分；步骤F：在所述金属构件上形成电极层；步骤G：在所述电极层和所述绝缘层形成平坦化层；步骤H：去除所述保护层；步骤I：在所述第一面设置LED芯片；步骤J：在所述LED芯片上设置光学膜片。在本专利技术提供的显示装置的制作方法中，所述步骤C包括：步骤c11：在所述第二面形成一金属薄膜；步骤c12：在所述金属薄膜上形成第一光阻层；步骤c13：对第一预定位置的所述第一光阻层进行曝光处理；步骤c14：对所述第一预定位置的所述第一光阻层进行显影处理；步骤c15：对所述第一预定位置的所述金属薄膜进行刻蚀；步骤c16：剥离所述第一光刻胶层，以形成所述金属层。在本专利技术提供的显示装置的制作方法中，所述步骤D包括：步骤d11：在所述金属层上形成第二光阻层；步骤d12：利用光罩对所述第二预定位置的所述第二光阻层进行曝光；步骤d13：利用显影工艺除去所述第二预定位置的所述第二光阻层；步骤d14：刻蚀所述第二预定位置的所述金属层，以形成所述金属构件；步骤d15：剥离所述第二光刻胶层。在本专利技术提供的显示装置的制作方法中，所述步骤B中的保护层的材料包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅和有机物中的至少一种。在本专利技术提供的显示装置的制作方法中，所述保护层的厚度大于100纳米。在本专利技术提供的显示装置的制作方法中，所述步骤H包括：利用干法刻蚀或高温熔融法除去所述保护层。在本专利技术提供的显示装置的制作方法中，所述步骤G包括：利用狭缝涂布或喷墨打印工艺涂布正型或负型有机光阻材料，以形成所述平坦化层。在本专利技术提供的显示装置的制作方法中，所述平坦化层的厚度介于1.5微米至5.0微米之间。本专利技术还提供一种显示装置，所述显示装置包括：薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板具有相对设置的第一面和第二面；LED芯片，设置在所述第一面；光学膜片，所述光学膜片设置在所述LED芯片上；金属构件，所述金属构件设置在所述第二面；绝缘层，所述绝缘层覆盖所述第二面和所述金属构件的至少一部分；电极层，所述电极层设置在所述金属构件上；平坦化层，所述平坦化层覆盖所述电极层和所述绝缘层；其中，所述金属构件是通过两次构图工艺形成的。在本专利技术提供的显示装置中，所述金属构件通过对所述金属薄膜进行蚀刻形成金属层后，对所述金属层进行蚀刻形成的。本专利技术实施例提供一种显示装置和显示装置的制作方法。在显示装置的制作方法中，通过两次构图工艺在薄膜晶体管阵列基板的第二面形成金属构件，与已知技术制作金属构件的流程相比，本专利技术实施例中金属构件的制作不仅省略了非金属膜层和非金属膜层上用于对位的金属膜层的制作步骤，减少了一块光罩，改善显示装置的双面制程制作的步骤相对繁琐的技术问题，并且，还大大降低了时间成本和生产成本的投入。为让本专利技术的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。附图说明图1为本专利技术实施例提供的显示装置的结构示意图；图2至图4为本专利技术实施例提供显示装置的制作方法的步骤流程图；图5至图15为本专利技术实施例提供显示装置的制作方法的示意图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述，请参照附图中的图式，其中相同的组件符号代表相同的组件，以下的说明是基于所示的本专利技术具体实施例，其不应被视为限制本专利技术未在此详述的其他具体实施例。本说明书所使用的词语“实施例”意指实例、示例或例证。在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。请参考图1，本专利技术实施例提供一种显示装置，显示装置100包括：薄膜晶体管阵列基板，薄膜晶体管阵列基板具有相对设置的第一面10a和第二面10b。具体的，薄膜晶体管阵列基板还包括衬底101、遮光层102、缓冲层103、有源层104、栅极绝缘层105、栅极106、层间介质层107、源极108、漏极109、钝化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示装置的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/n步骤A：形成薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板具有相对设置的第一面和第二面；/n步骤B：在所述一面形成保护层；/n步骤C：通过第一次构图工艺在所述第二面形成金属层；/n步骤D：对所述金属层进行第二次构图工艺，以形成金属构件；/n步骤E：在所述第二面形成图案化的绝缘层，所述绝缘层覆盖所述金属构件的至少一部分；/n步骤F：在所述金属构件上形成电极层；/n步骤G：在所述电极层和所述绝缘层形成平坦化层；/n步骤H：去除所述保护层；/n步骤I：在所述第一面设置LED芯片；/n步骤J：在所述LED芯片上设置光学膜片。/n

【技术特征摘要】
1.一种显示装置的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤A：形成薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板具有相对设置的第一面和第二面；
步骤B：在所述一面形成保护层；
步骤C：通过第一次构图工艺在所述第二面形成金属层；
步骤D：对所述金属层进行第二次构图工艺，以形成金属构件；
步骤E：在所述第二面形成图案化的绝缘层，所述绝缘层覆盖所述金属构件的至少一部分；
步骤F：在所述金属构件上形成电极层；
步骤G：在所述电极层和所述绝缘层形成平坦化层；
步骤H：去除所述保护层；
步骤I：在所述第一面设置LED芯片；
步骤J：在所述LED芯片上设置光学膜片。


2.根据权利要求1所述的显示装置的制作方法，其特征在于，所述步骤C包括：
步骤c11：在所述第二面形成一金属薄膜；
步骤c12：在所述金属薄膜上形成第一光阻层；
步骤c13：对第一预定位置的所述第一光阻层进行曝光处理；
步骤c14：对所述第一预定位置的所述第一光阻层进行显影处理；
步骤c15：对所述第一预定位置的所述金属薄膜进行刻蚀；
步骤c16：剥离所述第一光刻胶层，以形成所述金属层。


3.根据权利要求1所述的显示装置的制作方法，其特征在于，所述步骤D包括：
步骤d11：在所述金属层上形成第二光阻层；
步骤d12：利用光罩对所述第二预定位置的所述第二光阻层进行曝光；
步骤d13：利用显影工艺除去所述第二预定位置的所述第二光阻层；
步骤d14：刻蚀所述第二预定位置的所述金属层，以形成所述金属构件；<...

【专利技术属性】
技术研发人员：莫超德，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44