【技术实现步骤摘要】
一种用于测试门极电流的功率半导体器件
本专利技术属于电力电子领域，特别涉及一种用于测试门极电流的功率半导体器件。
技术介绍
功率半导体器件主要包括功率半导体芯片、低感管壳以及控制驱动三部分。传统的功率半导体器件中阳极铜块与阳极焊接环焊接在一起成为阳极管壳，阴极铜块、阴极焊接环、阴极引出环、下陶瓷、门极引出环、上陶瓷与上陶瓷上的阳极焊接环焊接在一起成为阴极管壳，剩余的门极组件包括门极碟簧，绝缘座下金属环、门极绝缘座、绝缘座内金属环按照顺序依次安放在阴极管壳的门极槽中，最后在阴极管壳内同时安装内阴极接触片、门极接触环、外阴极接触片、功率半导体芯片以及阳极接触片，最后安装阳极管壳并采用压力从外界压接，使晶闸管芯片与管壳紧密接触。在直流电网的关键设备如直流断路器及交直流变换器中，门极集成换流晶闸管的最大可关断电流是重要的应用指标，而目前对于门极集成换流晶闸管关断失效机理的认识，受全封闭低感管壳结构和芯片版图的限制，仅停留在芯片外围的电流信息层面，关于芯片内部的电流信息分布无法探测，进一步，如图1所示是传统的晶闸管芯片的阴极面...
【技术保护点】
1.一种用于测试门极电流的功率半导体器件，包括功率半导体芯片和管壳，其特征在于，/n所述功率半导体芯片包括多个第一绝缘层和多个子门极环形电极，所述第一绝缘层将功率半导体芯片的门极公共金属区分割为多个子门极公共金属区，所述多个子门极公共金属区分别与多个子门极环形电极一一对应连接；/n所述管壳包括多个子门极接触环和多个子绝缘座内金属环，所述多个子门极接触环和多个子绝缘座内金属环与所述多个子门极环形电极一一对应设置；/n所述管壳门极槽外侧的阴极铜块上设置有多个方形槽，所述多个方形槽中均设置有门极引出条，以分别引出相应子门极环形电极上的门极电流。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于测试门极电流的功率半导体器件，包括功率半导体芯片和管壳，其特征在于，
所述功率半导体芯片包括多个第一绝缘层和多个子门极环形电极，所述第一绝缘层将功率半导体芯片的门极公共金属区分割为多个子门极公共金属区，所述多个子门极公共金属区分别与多个子门极环形电极一一对应连接；
所述管壳包括多个子门极接触环和多个子绝缘座内金属环，所述多个子门极接触环和多个子绝缘座内金属环与所述多个子门极环形电极一一对应设置；
所述管壳门极槽外侧的阴极铜块上设置有多个方形槽，所述多个方形槽中均设置有门极引出条，以分别引出相应子门极环形电极上的门极电流。
2.根据权利要求1所述的用于测试门极电流的功率半导体器件，其特征在于，所述门极引出条的第一端延伸至门极绝缘座内，且门极引出条第一端的上表面与相应的子门极接触环接触连接，门极引出条第一端的下表面与相应的子绝缘座内金属环接触连接。
3.根据权利要求2所述的用于测试门极电流的功率半...
【专利技术属性】
技术研发人员：赵彪，周文鹏，曾嵘，余占清，陈政宇，刘佳鹏，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京;11
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