一种PMN-PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种PMN‑PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法，属于化学工程技术领域。一种PMN‑PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法，是将PMN‑PSN前驱体溶液旋涂于衬底上制得湿膜，干燥、热解，制得单层PMN‑PSN薄膜；重复以上，制得多层PMN‑PSN薄膜，将所得产品进行退火，即得所需薄膜材料。本发明专利技术的有益效果是：获得具有高的纯度、好的致密性、小的平均晶粒尺寸、超高的电场击穿强度等优点的薄膜；本发明专利技术制备方法相对简单，可以通过不同的晶化方式、不同的退火时长控制薄膜的结构和性能，是一种方便快捷的制备技术。

【技术实现步骤摘要】
一种PMN-PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法
本专利技术涉及一种PMN-PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法，属于化学工程

技术介绍
随着时代的进步，电子科技、信息技术和控制技术得到了快速的发展，即不断朝着微型化、高集成化方向的发展，以及高科技领域对于快速制冷和高储能密度高效率的需求，基于铁电/反铁电薄膜/厚膜的研究越来越多。电卡制冷在过去很长一段时间里几乎没有进展，因为只能观察到较小的△T和△S，这是由于在块体陶瓷中低介电击穿强度的限制；传统的体相陶瓷材料因自身相材料微观结构和性能的影响，难以承受高的击穿电场，因而储能密度值比较低，基于以上的种种限制，紧迫需要寻找一种具有超高电场击穿强度的材料。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种PMN-PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法。本专利技术通过利用具有超高电场击穿强度的铁电体材料nPb(MgxNb(1-x))O3-(1-n)Pb(ScyNb(1-y))O3(PMN-PSN)，通过溶胶凝胶法在Pt(111)衬底上面制备出有超高电场击穿强度的PMN-PS本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种PMN-PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：/n1)将PMN-PSN前驱体溶液旋涂于衬底上制得湿膜；/n2)将步骤1)所得的湿膜按照如下任一步骤进行处理制备一层PMN-PSN薄膜，/n2-1)、将湿膜干燥、热解、晶化制得一层PMN-PSN薄膜，/n2-2)、将湿膜干燥、热解制得一层PMN-PSN薄膜；/n3)按照如下任一步骤进行处理制备多层PMN-PSN薄膜，/n3-1)、重复步骤1)和步骤2-1)制得多层PMN-PSN薄膜，/n3-2)、重复步骤1)和步骤2-2)制得未完全晶化的PMN-PSN薄膜、晶化制得完全晶化的多层PMN-PSN薄膜；/n4)...

【技术特征摘要】
1.一种PMN-PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
1)将PMN-PSN前驱体溶液旋涂于衬底上制得湿膜；
2)将步骤1)所得的湿膜按照如下任一步骤进行处理制备一层PMN-PSN薄膜，
2-1)、将湿膜干燥、热解、晶化制得一层PMN-PSN薄膜，
2-2)、将湿膜干燥、热解制得一层PMN-PSN薄膜；
3)按照如下任一步骤进行处理制备多层PMN-PSN薄膜，
3-1)、重复步骤1)和步骤2-1)制得多层PMN-PSN薄膜，
3-2)、重复步骤1)和步骤2-2)制得未完全晶化的PMN-PSN薄膜、晶化制得完全晶化的多层PMN-PSN薄膜；
4)将步骤3)所得的产品进行退火，即得所需薄膜材料。


2.根据权利要求1所述的PMN-PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述PMN-PSN通式为nPb(MgxNb(1-x))O3-(1-n)Pb(ScyNb(1-y))O3，其中0<n<1、0<X<1、0<Y<1。


3.根据权利要求1所述的PMN-PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法，其特征在于，所述PMN-PSN前驱体溶液浓度为0.2-0.3M。


4.根据权利要求1所述的PMN-PSN超高击穿电场薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤1)所述旋涂包括第一次旋涂...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭彪林，陆秋萍，
申请(专利权)人：广西大学，
类型：发明
国别省市：广西;45