双排管旋涡沉降装置制造方法及图纸

技术编号:26678399 阅读:21 留言:0更新日期:2020-12-12 02:11
本发明专利技术涉及材料制备技术领域,公开一种双排管旋涡沉降装置,包括合成槽和沉降槽,合成槽内设有搅拌器及两个侧边分别与合成槽槽壁连接的挡板,合成槽在位于挡板两侧的槽壁上分别设有第一接口和第二接口,第一接口和搅拌器位于挡板同侧,挡板靠近合成槽底部的边缘可供合成槽内溶液在挡板两侧流通,沉降槽底部为锥形底部,锥形底部的锥面上设置具有高度差的第一入口和第二入口,第一入口的设置高度高于第二接口的设置高度,第一接口、第二接口和第一入口、第二入口两两之间通过排管接通,沉降槽的非锥形端槽壁上设有出清管。本装置可实现前驱体物料呈漩涡式下沉,改善沉降槽与合成槽通畅性,上清液由出清管引流时可减少物料溢流损失,有效提升产能。

【技术实现步骤摘要】
双排管旋涡沉降装置
本专利技术涉及材料制备
,具体地,涉及一种双排管旋涡沉降装置。
技术介绍
锂电池三元正极材料前驱体通常采用湿法制备,常用方法为控制结晶氢氧化物连续共沉淀法,随着社会对新能源材料要求的改变,常规设备制得的镍钴锰前驱体材料内部结构不能按一定方向规则排列,且细粉较多,引起正极材料中锂离子不易脱嵌、阳离子容易发生混排,影响循环和倍率性能,导致电池的电性能无法进一步提升。使用现有沉降设备通过间歇法制取的前驱体,仅依靠自身重力沉降,实现上清液排出,部分物料直接随上清液排出,导致产能降低,虽然增加提浓设备能解决物料随上清排出,但投入较大,使用中滤芯损耗严重,在换型过程中也不易清理,极大地影响了生产效率。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题在于克服现有技术的缺陷,提供一种实现前驱体物料呈漩涡式下沉、减少物料溢流损失、大幅提升产能的双排管旋涡沉降装置。本专利技术的目的通过以下技术方案实现:一种双排管旋涡沉降装置,包括合成槽和沉降槽,合成槽内设有搅拌器及两个侧边分别与合成槽槽壁连接的挡板,合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双排管旋涡沉降装置,其特征在于,包括合成槽和沉降槽,合成槽内设有搅拌器及两个侧边分别与合成槽槽壁连接的挡板,合成槽在位于挡板两侧的槽壁上分别设有第一接口和第二接口,第一接口和搅拌器位于挡板同侧,挡板靠近合成槽底部的边缘可供合成槽内溶液在挡板两侧流通,沉降槽底部为锥形底部,锥形底部的锥面上设置具有高度差的第一入口和第二入口,第一入口的设置高度高于第二入口的设置高度,第一接口、第二接口和第一入口、第二入口两两之间通过排管接通,沉降槽的非锥形端槽壁上设有出清管。/n

【技术特征摘要】
1.一种双排管旋涡沉降装置,其特征在于,包括合成槽和沉降槽,合成槽内设有搅拌器及两个侧边分别与合成槽槽壁连接的挡板,合成槽在位于挡板两侧的槽壁上分别设有第一接口和第二接口,第一接口和搅拌器位于挡板同侧,挡板靠近合成槽底部的边缘可供合成槽内溶液在挡板两侧流通,沉降槽底部为锥形底部,锥形底部的锥面上设置具有高度差的第一入口和第二入口,第一入口的设置高度高于第二入口的设置高度,第一接口、第二接口和第一入口、第二入口两两之间通过排管接通,沉降槽的非锥形端槽壁上设有出清管。


2.根据权利要求1所述的双排管旋涡沉降装置,其特征在于,第一接口设置在搅拌器的搅拌高度处。


3.根据权利要求2所述的双排管旋涡沉降装置,其特征在于,第一接口和第二接口之间具有高度差且第二接口设置在第一接口高度以下。


4.根据权利要求3所述的双排管旋涡沉降装置,其特征在于,第一接口与第一入口通过第一排管接通,第二接口与第二入口通过第二排...

【专利技术属性】
技术研发人员:苏帅张海艳胡志兵何绪锋朱璟胡海诗孟立君熊意球张娉婷朱凯刘进周春仙
申请(专利权)人:金驰能源材料有限公司湖南长远锂科股份有限公司
类型:发明
国别省市:湖南;43

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