半导体籽晶晶向测量工装制造技术

一种半导体籽晶晶向测量工装，包括上部盖体、下部盖体，上部盖体与下部盖体铰接，上部盖体的一端设置有上部基准端面，上部盖体的内部开设有上部籽晶卡槽，下部盖体的一端设置有下部基准端面，下部基准端面与上部基准端面处于同侧，下部盖体上与上部籽晶卡槽相对应的位置开设有下部籽晶卡槽；本实用新型专利技术通过将籽晶夹持固定在上部籽晶卡槽及下部籽晶卡槽内，从而可以将籽晶固定，使光源可以在照射籽晶时，光源入设点固定不变，重复性稳定性变好；在将籽晶安放到上部籽晶卡槽及下部籽晶卡槽内，并固定放好后，人员不需要接触，就可以进行测量，不会造成射线对人员的辐射伤害。

【技术实现步骤摘要】
半导体籽晶晶向测量工装
本技术涉及半导体晶向测量
，尤其涉及一种半导体籽晶晶向测量工装。
技术介绍
单晶硅棒在拉制前需要籽晶进行引晶,籽晶的晶向偏离直接影响了晶棒的晶向偏离度，晶棒的晶向偏离度变化，会造成后加工较多不良，例如端面片，裂片，TTV超标，warp超标等不良问题。但是一般的拉晶企业，不会购买专用的籽晶加工设备，所以也就不存在籽晶晶向检验的专用设备，为了降低设备成本，可以使用其他类型的X—ray设备对籽晶的晶向偏离角进行检验；现有设备是非专用设备，在使用的时候存在以下问题：1、现有设备没有籽晶测量时参考面；2、籽晶的光源入射点不能固定，导致测量的重复性，再现性变；3、人工手持扶正量会造成人员伤害。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种半导体籽晶晶向测量工装。一种半导体籽晶晶向测量工装，包括上部盖体、下部盖体，上部盖体设置在下部盖体的上方，上部盖体与下部盖体铰接，上部盖体的一端设置有上部基准端面，上部盖体的内部开设有上部籽晶卡槽，上部籽晶卡槽的一端沿上部基准端面向上部盖体远离上部基准面的一端延伸，并且上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体籽晶晶向测量工装，其特征在于：包括上部盖体、下部盖体，上部盖体设置在下部盖体的上方，上部盖体与下部盖体铰接，上部盖体的一端设置有上部基准端面，上部盖体的内部开设有上部籽晶卡槽，上部籽晶卡槽的一端沿上部基准端面向上部盖体远离上部基准面的一端延伸，并且上部籽晶卡槽不贯穿上部盖体，下部盖体的一端设置有下部基准端面，下部基准端面与上部基准端面处于同侧，并且下部基准端面与上部基准端面重合，下部盖体上与上部籽晶卡槽相对应的位置开设有下部籽晶卡槽，下部籽晶卡槽沿下部基准端面向下部盖体远离下部基准端面的一端延伸，并且下部籽晶卡槽不贯穿下部盖体。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体籽晶晶向测量工装，其特征在于：包括上部盖体、下部盖体，上部盖体设置在下部盖体的上方，上部盖体与下部盖体铰接，上部盖体的一端设置有上部基准端面，上部盖体的内部开设有上部籽晶卡槽，上部籽晶卡槽的一端沿上部基准端面向上部盖体远离上部基准面的一端延伸，并且上部籽晶卡槽不贯穿上部盖体，下部盖体的一端设置有下部基准端面，下部基准端面与上部基准端面处于同侧，并且下部基准端面与上部基准端面重合，下部盖体上与上部籽晶卡槽相对应的位置开设有下部籽晶卡槽，下部籽晶卡槽沿下部基准端面向下部盖体远离下部基准端面的一端延伸，并且下部籽晶卡槽不贯穿下部盖体。


2.根据权利要求1所述的半导体籽晶晶向测量工装，其特征在于：所述上部籽晶卡槽沿上部盖体的轴线方向设置，下部籽晶卡槽沿下部盖体的轴线方向设置，并且上部籽晶卡槽与下部籽晶卡槽相正对。...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵延祥，刘波，程博，历莉，马玉怀，
申请(专利权)人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：宁夏;64