【技术实现步骤摘要】
一种生产高纯度粉体材料的纯化坩埚
本技术属于粉体材料加工
,具体涉及一种生产高纯度粉体材料的纯化坩埚。
技术介绍
第三代半导体,又称宽禁带半导体,是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的半导体材料,具备高压、高温、高频大功率等特性。目前已广泛应用在无线基础设施(基站)、卫星通信、轨道交通、新能源汽车、消费电子等领域。目前高纯度粉体是在高温低真空炉中提纯,粉体提纯过程中需要保证热量能够传导进去,气化杂质能够排出来,这样纯化的粉体纯度才能达到三代半导体所需的纯度等级。目前在高纯度粉体纯化过程中,普遍采用的是使用普通石墨坩埚对粉体进行高温纯化,但是在普通石墨坩埚纯化高纯度粉体存在坩埚中心部位的温度低,外部高温不容易传导进去,纯化的工艺气体也很难进入粉体芯部,并且里面的气化杂质排除也很困难,导致纯化粉体一致性较差,纯度不高,生产周期长。
技术实现思路
本技术克服了现有技术的不足,提出一种生产高纯度粉体材料的纯化坩埚,解决石墨坩埚中心温度与边缘温度不均匀和气化杂质排除困难的问题。为了达到上述目的,本技术是通过如下技术方案实现的。一种生产高纯度粉体材料的纯化坩埚,包括坩埚底座、坩埚侧壁、中空套管和坩埚顶盖,所述坩埚底座和坩埚侧壁之间、坩埚侧壁与坩埚顶盖之间为可拆卸连接;在坩埚底座和坩埚顶盖的中心分别设置有连接件;所述中空套管上下分别通过连接件可拆卸的与坩埚顶盖和坩埚底座相连接;所述坩埚底座的侧壁、坩埚顶盖的侧壁、连接件、坩埚侧壁的上下两端以及中空套管的上下两端分别设置有通气孔;且坩埚底 ...
【技术保护点】
1.一种生产高纯度粉体材料的纯化坩埚,其特征在于,包括坩埚底座(1)、坩埚侧壁(2)、中空套管和坩埚顶盖(3),所述坩埚底座(1)和坩埚侧壁(2)之间、坩埚侧壁(2)与坩埚顶盖(3)之间为可拆卸连接;在坩埚底座(1)和坩埚顶盖(3)的中心分别设置有连接件(4);所述中空套管上下分别通过连接件(4)可拆卸的与坩埚顶盖(3)和坩埚底座(1)相连接;所述坩埚底座(1)的侧壁、坩埚顶盖(3)的侧壁、连接件(4)、坩埚侧壁(2)的上下两端以及中空套管的上下两端分别设置有通气孔;且坩埚底座(1)侧壁上的通气孔与坩埚侧壁(2)下端的通气孔相连通,坩埚侧壁(2)上端的通气孔与坩埚顶盖(3)侧壁的通气孔相连通,中空套管上的通气孔与连接件(4)的通气孔相连通。/n
【技术特征摘要】
1.一种生产高纯度粉体材料的纯化坩埚,其特征在于,包括坩埚底座(1)、坩埚侧壁(2)、中空套管和坩埚顶盖(3),所述坩埚底座(1)和坩埚侧壁(2)之间、坩埚侧壁(2)与坩埚顶盖(3)之间为可拆卸连接;在坩埚底座(1)和坩埚顶盖(3)的中心分别设置有连接件(4);所述中空套管上下分别通过连接件(4)可拆卸的与坩埚顶盖(3)和坩埚底座(1)相连接;所述坩埚底座(1)的侧壁、坩埚顶盖(3)的侧壁、连接件(4)、坩埚侧壁(2)的上下两端以及中空套管的上下两端分别设置有通气孔;且坩埚底座(1)侧壁上的通气孔与坩埚侧壁(2)下端的通气孔相连通,坩埚侧壁(2)上端的通气孔与坩埚顶盖(3)侧壁的通气孔相连通,中空套管上的通气孔与连接件(4)的通气孔相连通。
2.根据权利要求1所述的一...
【专利技术属性】
技术研发人员:冯光志,王慧明,田冬龙,张军彦,侯宏瑾,
申请(专利权)人:山西中电科新能源技术有限公司,
类型:新型
国别省市:山西;14
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