放大器制造技术

本发明专利技术的目的是简化放大器增益的调节。在第一晶体管中，施加的输入信号被输入到其栅极端子并且取决于输入信号的电流流动。负载部连接到第一晶体管的漏极端子。在第二晶体管中，栅极端子连接到负载部，并且取决于第一晶体管的漏极端子的电压变化的电流流动。第一晶体管的源极端子和第二晶体管的漏极端子共同连接到第一电阻，并且来自第一晶体管和第二晶体管的电流流入第一电阻。第三晶体管提供基本上等于第二晶体管的电流的电流。从第三晶体管提供的电流被输出到输出端。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】放大器
本公开涉及一种放大器。具体地，本公开涉及一种用于检测噪声等的放大器。
技术介绍
传统上，使用降低噪声影响的电子装置。例如，在照相机等中使用的成像装置包括二维布置的像素，每个像素产生图像信号。在成像时，许多像素各自同时产生图像信号。因此，负载变化增加，并且向成像装置供电的电源电路的电源电压也存在变化。当像素中产生的图像信号由于电源电压的变化而改变时，图像信号被噪声污染，这使得图像的质量降低。因此，使用这样的成像装置，该成像装置检测电源电压的变化并基于检测到的电源电压的变化补偿图像信号的变化。在执行将从像素输出的图像信号转换为数字图像信号的模数转换时，可以对图像信号的变化进行补偿。例如，使用通过耦接电容器连接到上述电源的放大器来检测电源电压的变化，并且根据检测到的电源电压的变化来调节用于执行模数转换的参考信号。已经提出了执行这样的处理以消除电源电压变化的影响的成像装置(例如，参考专利文献1)。引用列表专利文献专利文献1：日本专利申请特开第2018-019335号
技术实现思路
专利技术解决的技术问题在上述相关技术中公开的检测电源电压变化的放大器的情况下，电源电压的变化量作为输入信号施加到MOS晶体管的栅极。恒流电路连接到MOS晶体管的漏极端子以提供漏极电流。通过电流镜电路输出对应于基于MOS晶体管放大的输入信号的漏极电流与恒流电路提供的电流之差的电流。该输出电流是通过检测作为输入信号的电源电压的变化而获得的信号(输出电流)。在上述相关技术中，通过根据输出电流调节参考信号的波形来补偿电源电压的变化。然而，上述相关技术存在增益调节困难的问题，因为输入信号在放大器中被放大时的增益取决于MOS晶体管的互导(gm)。因此，存在问题即参考信号没有被充分调节并因此图像信号受到噪声的极大影响。鉴于上述问题完成了本公开，并且本公开的目的在于容易地调节放大器的增益。解决问题的技术手段完成本公开以解决上述问题，并且本公开的第一方面是一种放大器，该放大器包括输入端，输入信号被施加到该输入端；低频放大器电路，包括第一晶体管，该第一晶体管具有栅极端子，所施加的输入信号被输入到栅极端子，第一晶体管是取决于所施加的输入信号的电流流经的晶体管；负载部，被连接到第一晶体管的漏极端子；第二晶体管，其栅极端子被连接到负载部，第二晶体管是取决于第一晶体管的漏极端子的电压变化的电流流经的晶体管；第一电阻，第一晶体管的源极端子和第二晶体管的漏极端子共同连接至第一电阻，第一电阻是来自第一晶体管的电流和来自第二晶体管的电流流过的电阻；以及第三晶体管，提供与第二晶体管的电流大致相等的电流；高频放大器电路，包括恒流电路；串联连接到输入端和恒流电路的第四晶体管，第四晶体管是来自恒流电路的偏置电流流过的晶体管；第一电容器，与恒流电路并联连接，并使输入信号中的交流信号流入第四晶体管；第五晶体管，与第四晶体管形成电流镜电路，并提供取决于流过第四晶体管的电流的电流；以及输出端，输出由第三晶体管提供的电流和由第五晶体管提供的电流。此外，在第一方面中，可以进一步包括连接到输出端并将输出电流转换为电压的第二电阻。此外，在第一方面中，低频放大器电路还可以包括连接在输入端和第一晶体管的栅极端子之间的第二电容器，以及向第一晶体管的栅极端子提供偏置电压的偏置电路。此外，在第一方面中，负载部可以由恒流电路形成。此外，在第一方面中，高频放大器电路的恒流电路可由电流镜电路形成，该电流镜电路使取决于流过第三晶体管的电流的电流流动，并且第三晶体管可以通过高频放大器电路将电流提供给输出端。此外，在第一方面中，低频放大器电路可进一步包括以共源共栅布置的方式连接到第一晶体管的第六晶体管。此外，在第一方面中，低频放大器电路可以进一步包括向第一晶体管提供偏置电流的第二恒流电路。负载部连接到第一晶体管的漏极端子，并且第一电阻连接到第一晶体管的源极端子。输入信号被施加到第一晶体管的栅极端子。由于第二晶体管的栅极端子连接到负载部，所以取决于第一晶体管的漏极端子的电压变化的电流流过第二晶体管。第二晶体管的漏极端子连接到第一电阻，并且第二晶体管的输出电流被串联反馈到第一晶体管。因此，如果忽略第一晶体管的偏移(offset)电压，则输入信号的电压将近似等于第一电阻的端子电压。换言之，通过将输入信号除以第一电阻的电阻值所获得的值等于第二晶体管的漏极端子的电流。从第三晶体管提供与第二晶体管的漏极端子的电流相等的电流作为输出电流，因此，输入电压与输出电流之比取决于第一电阻的值。期望独立于第一晶体管的gm来调节增益。本专利技术的有利效果本公开提供了容易地调节放大器的增益的优异效果。附图说明图1示出了可以应用本公开的拍摄装置的配置示例。图2示出了根据本公开的实施方式的AD转换的示例。图3示出了根据本公开的第一实施方式的放大器的配置示例的电路图。图4示出了根据本公开的第一实施方式的放大器的特性的示例。图5示出了根据本公开的第二实施方式的放大器的配置示例的电路图。图6示出了根据本公开的第三实施方式的放大器的配置示例的电路图。图7示出了根据本公开的第四实施方式的放大器的配置示例的电路图。具体实施方式接下来，将参考附图描述用于实现本公开的方式(下文称为实施方式)。在附图中，相同或相似的部分将由相同或相似的附图标记表示。然而，附图是示意性的，并且例如各个组件的尺寸之比不必与实际的相同。此外，当然，某个图和另一个图对于同一部分具有不同的尺寸关系和不同的尺寸比率。此外，将按以下顺序描述实施方式。1.第一实施方式2.第二实施方式3.第三实施方式4.第四实施方式<1.第一实施方式>[拍摄装置的配置]图1示出了可以应用本公开的拍摄装置的配置示例。图中的成像装置1包括像素阵列2、控制器3、模数转换器(AD转换器)4、参考信号发生器5、电源6、噪声检测器7和加法器8。注意，后面描述的放大器100应用于噪声检测器7。像素阵列2包括排列成二维网格的像素21。这里，像素21根据照射光产生图像信号。像素21包括对照射光执行光电转换的光电二极管；以及从由光电转换产生的电荷产生图像信号的像素电路。像素阵列2包括排列成XY矩阵并相对于像素21布线的信号线11和12。信号线11是传输像素21的控制信号的信号线。信号线11针对布置成像素阵列2的像素21的每一行布置，并且对于布置在每一行中的像素21共有而布线。信号线12是传输由像素21产生的图像信号的信号线。信号线12针对布置成像素阵列2的像素21的每一列布置并且对于布置在每一列中的像素21共有而布线。像素21基于来自后述的控制器3的控制信号进行光电转换，并将生成的图像信号输出到信号线12。控制器3生成像素21的控制信号。控制器3通过信号线11向每个像素21发送控制信号。AD转换器4进行将由像素21产生的模拟本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种放大器，包括：/n输入端，施加有输入信号；/n低频放大器电路，包括/n第一晶体管，所施加的输入信号输入至所述第一晶体管的栅极端子，取决于所施加的所述输入信号的电流流过所述第一晶体管；/n负载部，连接到所述第一晶体管的漏极端子；/n第二晶体管，所述第二晶体管的栅极端子连接到所述负载部，取决于所述第一晶体管的漏极端子的电压变化的电流流过所述第二晶体管，/n第一电阻，所述第一晶体管的源极端子和所述第二晶体管的漏极端子共同连接到所述第一电阻，来自所述第一晶体管的电流和来自所述第二晶体管的电流流过所述第一电阻，以及/n第三晶体管，提供与所述第二晶体管的电流大致相等的电流；/n高频放大器电路，包括：/n恒流电路，/n第四晶体管，串联连接到所述输入端和所述恒流电路，来自所述恒流电路的偏置电流流过所述第四晶体管；/n第一电容器，与所述恒流电路并联连接，并且使所述输入信号中的交流信号流入所述第四晶体管；/n第五晶体管，与所述第四晶体管形成电流镜电路，并提供取决于流过所述第四晶体管的电流的电流；以及/n输出端，输出由所述第三晶体管提供的电流和由所述第五晶体管提供的电流。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180511 JP 2018-0920581.一种放大器，包括：
输入端，施加有输入信号；
低频放大器电路，包括
第一晶体管，所施加的输入信号输入至所述第一晶体管的栅极端子，取决于所施加的所述输入信号的电流流过所述第一晶体管；
负载部，连接到所述第一晶体管的漏极端子；
第二晶体管，所述第二晶体管的栅极端子连接到所述负载部，取决于所述第一晶体管的漏极端子的电压变化的电流流过所述第二晶体管，
第一电阻，所述第一晶体管的源极端子和所述第二晶体管的漏极端子共同连接到所述第一电阻，来自所述第一晶体管的电流和来自所述第二晶体管的电流流过所述第一电阻，以及
第三晶体管，提供与所述第二晶体管的电流大致相等的电流；
高频放大器电路，包括：
恒流电路，
第四晶体管，串联连接到所述输入端和所述恒流电路，来自所述恒流电路的偏置电流流过所述第四晶体管；
第一电容器，与所述恒流电路并联连接，并且使所述输入信号中的交流信号流入所述第四晶体管；
第五晶体管，与所述第四晶体管形成电流镜电路，并提供取决于流过所述第四晶体管的电流的电流；以及
输出端，输出由所...

【专利技术属性】
技术研发人员：西村和将，一桥正宽，片仓雅幸，近藤绚哉，田代哲也，郝博扬，塚本耕治，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP