像素结构、显示装置和制造像素结构的方法制造方法及图纸

本申请提供一种像素结构。该像素结构包括：衬底基板(10)；绝缘岛(21)，其位于衬底基板(10)上；发光元件(50)，其位于绝缘岛(21)的远离衬底基板(10)的一侧；绝缘层(22)，其位于衬底基板(10)上，并且围绕绝缘岛(21)，绝缘层(22)通过凹槽(G)与绝缘岛(21)隔开；以及反射层(40)，其位于绝缘层(22)的围绕发光元件(50)的周边的侧面上，并且被配置为反射从发光元件(50)横向发射的光以从像素结构的发光表面射出。绝缘层(22)相对于衬底基板(10)的主表面的高度大于绝缘岛(21)相对于衬底基板(10)的主表面的高度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】像素结构、显示装置和制造像素结构的方法
本专利技术涉及显示技术，更具体地说，涉及像素结构、显示装置和制造像素结构的方法。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)显示装置是自发光装置，并且不需要背光源。与传统的液晶显示(LCD)装置相比，OLED显示装置还提供更鲜艳的色彩和更大的色域。此外，OLED显示装置可以制造得比典型的LCD装置更柔性、更薄和更轻。
技术实现思路
一方面，本专利技术提供一种像素结构，包括：衬底基板；绝缘岛，其位于衬底基板上；发光元件，其位于绝缘岛的远离衬底基板的一侧；绝缘层，其位于衬底基板上，并且围绕绝缘岛，绝缘层通过凹槽与绝缘岛隔开；以及反射层，其位于绝缘层的围绕发光元件的周边的侧面上，并且被配置为反射从发光元件横向发射的光以从像素结构的发光表面射出；其中，绝缘层相对于衬底基板的主表面的高度大于绝缘岛相对于衬底基板的主表面的高度。可选地，发光元件包括：第一电极、位于第一电极上的发光层、以及位于发光层的远离第一电极的一侧的第二电极；第一电极与反射层断开；并且绝缘层相对于衬底基板的主表面的高度大于位于本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种像素结构，包括：/n衬底基板；/n绝缘岛，其位于所述衬底基板上；/n发光元件，其位于所述绝缘岛的远离所述衬底基板的一侧；/n绝缘层，其位于所述衬底基板上，并且围绕所述绝缘岛，所述绝缘层通过凹槽与所述绝缘岛隔开；以及/n反射层，其位于所述绝缘层的围绕所述发光元件的周边的侧面上，并且被配置为反射从所述发光元件横向发射的光以从所述像素结构的发光表面射出；/n其中，所述绝缘层相对于所述衬底基板的主表面的高度大于所述绝缘岛相对于所述衬底基板的主表面的高度。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种像素结构，包括：
衬底基板；
绝缘岛，其位于所述衬底基板上；
发光元件，其位于所述绝缘岛的远离所述衬底基板的一侧；
绝缘层，其位于所述衬底基板上，并且围绕所述绝缘岛，所述绝缘层通过凹槽与所述绝缘岛隔开；以及
反射层，其位于所述绝缘层的围绕所述发光元件的周边的侧面上，并且被配置为反射从所述发光元件横向发射的光以从所述像素结构的发光表面射出；
其中，所述绝缘层相对于所述衬底基板的主表面的高度大于所述绝缘岛相对于所述衬底基板的主表面的高度。


2.根据权利要求1所述的像素结构，其中，所述发光元件包括：第一电极、位于所述第一电极上的发光层、以及位于所述发光层的远离所述第一电极的一侧的第二电极；
所述第一电极与所述反射层断开；并且
所述绝缘层相对于所述衬底基板的主表面的高度大于位于夹在所述第一电极和所述第二电极之间的区域中的所述发光层相对于所述衬底基板的主表面的高度。


3.根据权利要求2所述的像素结构，还包括限定像素孔的像素限定层；
其中所述发光层位于所述像素孔中；并且
所述像素限定层位于所述第一电极的远离所述绝缘岛的一侧。


4.根据权利要求3所述的像素结构，其中，所述像素限定层至少部分地位于所述凹槽中，使所述绝缘层和所述反射层与所述绝缘岛间隔开。


5.根据权利要求3所述的像素结构，其中，所述像素限定层实质上位于所述凹槽外；并且
所述第二电极和所述发光层延伸到所述凹槽中。


6.根据权利要求3所述的像素结构，其中，所述像素限定层与所述绝缘层间隔开。


7.根据权利要求1所述的像素结构，其中，所述绝缘岛具有背向所述衬底基板的第一侧、与所述第一侧相对且面向所述衬底基板的第二侧、以及连接所述第一侧和所述第二侧的第三侧；并且
所述绝缘岛的第三侧相对于所述绝缘岛的第二侧的倾斜角大于约90度。


8.根据权利要求2所述的像素结构，其中，所述绝缘岛具有背向所述衬底基板的第一侧、与所述第一侧相对且面向所述衬底基板的第二侧、以及连接所述第一侧和所述第二侧的第三侧；并且
其中，所述发光层和所述第二电极至少部分地覆盖所述绝缘岛的第三侧。


9.根据权利要求1所述的像素结构，其中，所述绝缘层具有背向所述衬底基板的第一侧、与所述第一侧相对且面向所述衬底基板的第二侧、以及连接所述第一侧和所述第二侧的第三侧；并且
所述反射层位于所述绝缘层的第三侧。


10.根据权利要求9所述的像素结构，其中，所述第三侧至少在与所述绝缘层的一部分相对应的区域中是实质上平坦的，所述绝缘层的该部分相对于所述衬底基板的主表面的高度大于所述绝缘岛相对于所述衬底基板的主表面的高度。


11.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：皇甫鲁江，樊星，刘政，樊燕，李良坚，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11