功率转换装置制造方法及图纸

提供能根据气氛温度来保护半导体开关元件的功率转换装置。包括基于传感器(3)的输出和阈值的比较来产生输出的比较器(5)、生成阈值的基准电压电路(4)、构成为基于比较器(5)的输出能使主电路(2)的动作停止的控制电路(6)，基准电压电路(4)构成为使阈值取决于半导体开关元件所处的气氛而变化。

【技术实现步骤摘要】
功率转换装置
本申请涉及功率转换装置。
技术介绍
众所周知，AC/DC转换器、DC/DC转换器及逆变器等功率转换装置中所使用的半导体开关元件，通常为在200[V]至400[V]的电压区间所使用的MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor：金属氧化物半导体场效应管)、或者IGBT(InsulatedGeteBipolarTransistor:绝缘栅双极型晶体管)等半导体开关元件，但这些半导体开关元件通常具有在低温侧下的耐压值较低这一特性。因此，现有的功率转换装置进行将半导体开关元件在低温侧下的耐压值考虑在内根据环境温度将通电的电流值抑制在额定值以下的、所谓的温度降额(derating)，或根据低温侧的耐压值来使用更高耐压的半导体开关元件，以使半导体开关元件的保护在低温侧也成立。另外，现有的功率转换装置为了防止内部的半导体开关元件的损坏，设置使用了软件的软件断开方式的保护装置、或使用了硬件的硬件断开方式的保护装置。尤其是，硬件断开方式的保护装置中，在功率转换装置的主本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率转换装置，其特征在于，包括：/n主电路，该主电路进行动作以驱动半导体开关元件来进行功率转换；/n传感器，该传感器检测所述主电路的预先确定的部位的电量，产生与检测出的所述电量对应的输出；/n比较器，该比较器基于对所述传感器的输出和阈值进行的比较来产生输出；/n基准电压电路，该基准电压电路生成所述阈值；及/n控制电路，该控制电路构成为能基于所述比较器的输出使所述主电路的动作停止，/n所述基准电压电路构成为使所述阈值取决于所述半导体开关元件所处的气氛温度而变化。/n

【技术特征摘要】
20190606 JP 2019-1058801.一种功率转换装置，其特征在于，包括：
主电路，该主电路进行动作以驱动半导体开关元件来进行功率转换；
传感器，该传感器检测所述主电路的预先确定的部位的电量，产生与检测出的所述电量对应的输出；
比较器，该比较器基于对所述传感器的输出和阈值进行的比较来产生输出；
基准电压电路，该基准电压电路生成所述阈值；及
控制电路，该控制电路构成为能基于所述比较器的输出使所述主电路的动作停止，
所述基准电压电路构成为使所述阈值取决于所述半导体开关元件所处的气氛温度而变化。


2.如权利要求1所述的功率转换装置，其特征在于，
所述传感器构成为相对于所述电量产生负特性的输出，
所述基准电压电路包括第1分压电阻、与所述第1分压电阻串联连接的第2分压电阻、及与电阻串联连接的具有NTC特性的热敏电阻，
所述电阻和所述热敏电阻的串联电路与所述第2分压电阻并联连接。


3.如权利要求2所述的功率转换装置，其特征在于，
与所述热敏电阻串联连接的电阻相对于所述第2分压电阻的电阻值，具有所述第2分压电阻的电阻值的1位倍数以上2位倍数以下范围内的电阻值。


4.如权利要求1所述的功率转换装置，其特征在于，
所述传感器构成为相对于所述电量产生负特性的输出，
所述基准电压电路包括第1分压电阻、与所述第1分压电阻串联连接的第2分压电阻、及与电阻串联连接的具有PTC特性的热敏电阻，
所述电阻和所述热敏电阻的串联电路与所述第1分压电阻并联连接。


5.如权利要求4所述的功率转换装置，其特征在于，
与所述热敏电阻串联连接的电阻相对于所述第1分压电阻的电阻值，具有所述第1分压电阻的电阻值的1位倍数以上2位倍数以下范围内的电阻值。


6.如权利要求1所述的功率转换装置，其特征在于，
所述传感器构成为相对于所述电量产生正特性的输出，
所述基准电压电路包括第...

【专利技术属性】
技术研发人员：高桥一，高木俊和，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP