一种光学装置及其应用制造方法及图纸

一种光学装置及其应用，所述装置包括：光源和发光材料层，所述发光材料层中含有远红光发光材料和可见光发光材料，所述远红光发光材料为Ca

【技术实现步骤摘要】
一种光学装置及其应用
本专利技术涉及远红光光学
，特别涉及包含光源、远红光发光材料以及可见光发光材料的光学装置及其应用。
技术介绍
近年来，远红光在安防监控、超高色域背光源显示、绿色健康照明、植物照明、环境光源等领域的应用成为业内焦点，其中远红光LED因其具有指向性好、功耗低以及体积小等一系列优点已然成为国际研究焦点。目前，市场上仅有相对应的远红光半导体芯片可满足上述领域用途，如安防领域主要应用710-730nm、750nm等波段的远红光芯片。特别地，为了在夜晚探测过程中进行光线补偿以及实现更加清晰的探测效果，通常还会外置多颗350-680nm波段白光LED进行补偿。该实现方式中，远红光芯片技术实现难度系数较高；不同发光波段LED灯珠的驱动电流差异较大，不同芯片光衰差异大容易引起白光色温不稳，影响整个发光装置的使用寿命；且采用多颗芯片封装的工艺复杂不可控，成本较高，限制了远红光LED光学装置的应用和推广。相比之下，采用LED芯片复合远红光发光材料等不同波段发光材料的封装方式具有制备工艺简单、成本低、发光效率高等优点，且远红光发光材本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光学装置，其特征在于，包括：光源和发光材料层，所述发光材料层中含有远红光发光材料和可见光发光材料，所述远红光发光材料为Ca

【技术特征摘要】
1.一种光学装置，其特征在于，包括：光源和发光材料层，所述发光材料层中含有远红光发光材料和可见光发光材料，所述远红光发光材料为Ca14Al10Zn6O35结构，且分子式为aAO·zZ2O3·eE2O3·gGO·hMnO2·mM2O，其中：
A元素为Ca、Sr、Ba元素中的一种或两种，必含Ca元素；Z元素为Y、La、Lu或Gd元素中的一种或两种；E元素为Al、Ga、In、Sc元素中的一种或两种，必含Al元素；G元素为Zn和Mg中的一种或两种；M元素为Na、K、Li元素中的一种或两种；13≤a+2z+2m≤15，0≤2z/(a+2z)≤0.1，9≤2e+h≤11，5≤g≤7，0<h≤0.4，0<h/(2e+h)≤0.045，0<m<0.9。


2.根据权利要求1所述的光学装置，其特征在于，所述光学装置在680-780nm波段发射的光功率为Q，所述光学装置在350-680nm波段发射的光功率为R，R/Q*100％为0.1％-10％。


3.根据权利要求1所述的光学装置，其特征在于，E为Al和Ga，Ga和Al的摩尔百分比为i，1％≤i≤50％；
G为Zn和Mg，Mg元素与Zn元素的摩尔百分比为j，1％≤j≤30％。


4.根据权利要求1～3任一项所述的光学装置，其特征在于，2m＝h+2z。


5.根据权利要求4所述的光学装置，其特征在于，0.15≤h≤0.35，0≤2z/(a+2z)≤0.05。


6.根据权利要求1所述的光学装置，其特征在于，所述可见光发光材料选自分子式为(La,Y,Lu)α-qSiβNγ:qCe3+或(Lu,Y,Gd)η-r(Al,Ga)δOε:rCe3+的发光材料中的一种或两种，其中0.001≤q≤0.15，2.5≤α≤3...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘荣辉，高彤宇，刘元红，陈晓霞，马小乐，薛原，
申请(专利权)人：有研稀土新材料股份有限公司，河北雄安稀土功能材料创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11