【技术实现步骤摘要】
EEPROM掉电保护控制方法、装置、存储介质及存储设备
本专利技术涉及数据保护
,尤其涉及一种EEPROM掉电保护控制方法、装置、存储介质及存储设备。
技术介绍
EEPROM(ElectricallyErasableProgrammablereadonlymemory)是指带电可擦可编程只读存储器,是一种掉电后数据不丢失的存储芯片,用于数据掉电可保持数据。现有技术中,在对EEPROM写入数据之前,必须先擦除之后再写入,若数据写入时电源电压过低,在对EEPROM擦除之后电压已经不能维持EEPROM正常工作,则会出现数据擦除但是写入不成功的可能,因此,如何减少掉电瞬间写入EEPROM不成功问题对于有效地实现EEPROM的写保护具有重要意义。
技术实现思路
本专利技术提出了一种EEPROM掉电保护控制方法、装置、存储介质及存储设备,解决了现有技术中由于掉电瞬间写入EEPROM不成功导致的数据出错问题,有效地实现EEPROM的写保护。本专利技术的一个方面,提供了一种EEPROM掉电保护控制方法,所述 ...
【技术保护点】
1.一种EEPROM掉电保护控制方法,其特征在于,所述方法包括:/n监测EEPROM的供电电压;/n当所述供电电压满足预设的掉电保护条件时,生成用于标识EEPROM处于禁止写入状态的标志位;/n在执行对EEPROM的写操作时,判断所述标志位是否为禁止写入状态;/n若所述标志位为禁止写入状态,则禁止执行当前对EEPROM的写操作。/n
【技术特征摘要】
1.一种EEPROM掉电保护控制方法,其特征在于,所述方法包括:
监测EEPROM的供电电压;
当所述供电电压满足预设的掉电保护条件时,生成用于标识EEPROM处于禁止写入状态的标志位;
在执行对EEPROM的写操作时,判断所述标志位是否为禁止写入状态;
若所述标志位为禁止写入状态,则禁止执行当前对EEPROM的写操作。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述生成用于标识EEPROM处于禁止写入状态的标志位,包括:
执行预设的中断程序,以通过所述中断程序生成用于标识EEPROM处于禁止写入状态的标志位。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,预设的所述掉电保护条件为监测到所述供电电压低于预设的保护电压阈值,且之后连续N次监测到的供电电压均低于所述保护电压阈值,其中N≥2。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述方法还包括;
若在监测到所述供电电压低于预设的保护电压阈值之后,未能连续N次监测到供电电压低于所述保护电压阈值,则生成用于标识EEPROM处于允许写入状态的标志位;
进一步地,在执行对EEPROM的写操作时,若判定所述标志位为允许写入状态,则执行当前对EEPROM的写操作。
5.一种EEPROM掉电保护控制装置,其特征在于,所述装置包括:
电压检测单元,用于监测EEPROM的供电电压;
处理单元,用于当所述供电电压满足预...
【专利技术属性】
技术研发人员:翁剑宏,温珍岑,张博超,
申请(专利权)人:珠海格力电器股份有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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