【技术实现步骤摘要】
基于硅基三维集成的微小型雷达高频大功率有源子阵
本专利技术涉及射频收发领域，具体设计一种基于硅基三维集成的微小型雷达高频大功率有源子阵，可以应用于精确制导、电子对抗、汽车防撞雷达等领域。
技术介绍
雷达高频大功率有源子阵作为相控阵雷达的核心部件，是决定雷达整机小型化、轻量化、低成本以及高可靠工作的最重要因素。现有的雷达高频大功率有源子阵一般采用多芯片组件技术(MCM)或选择LTCC工艺实现规模集成。授权专利技术专利(CN104062636B，专利技术名称：S波段16通道T/R组件片上系统集成设计方法，公开日：2017年1月11日)介绍了一种采用了片上系统集成设计方法实现的S波段16通道T/R组件，该组件内部按照功能模块进行划分，采用以“金丝键合”或者“倒扣焊”为代表的高密度微组装电路技术来实现片上系统集成设计，共使用3种芯片和1个集成模块实现T/R组件通道内部功能。相比于本专利技术，基于MCM技术的T/R组件内部高频时键合引线的寄生效应、键合引线之间的耦合效应、倒扣焊相邻焊点过大的间距和寄生参数直接制约雷达大功率有源...
【技术保护点】
1.一种基于硅基三维集成的微小型雷达高频大功率有源子阵，其特征在于，包含由上至下依次设置的硅基阵列天线层(1)、散热冷板层(2)和硅基T/R组件层(3)，所述散热冷板层(2)设置射频绝缘子(31)，所述硅基阵列天线层(1)与所述硅基T/R组件层(3)固定于所述散热冷板层(2)的两侧，并通过冷板层(2)内的所述射频绝缘子(31)实现信号连接；所述硅基T/R组件层(3)包含若干个单元组件(5)，所述单元组件(5)呈两层结构；任意一个所述单元组件(5)作为三维堆叠的基本模块，将多个所述基本模块向上堆叠延伸以形成整个硅基T/R组件层(3)；/n所述单元组件(5)中的每层结构设置一层...
【技术特征摘要】
1.一种基于硅基三维集成的微小型雷达高频大功率有源子阵，其特征在于，包含由上至下依次设置的硅基阵列天线层(1)、散热冷板层(2)和硅基T/R组件层(3)，所述散热冷板层(2)设置射频绝缘子(31)，所述硅基阵列天线层(1)与所述硅基T/R组件层(3)固定于所述散热冷板层(2)的两侧，并通过冷板层(2)内的所述射频绝缘子(31)实现信号连接；所述硅基T/R组件层(3)包含若干个单元组件(5)，所述单元组件(5)呈两层结构；任意一个所述单元组件(5)作为三维堆叠的基本模块，将多个所述基本模块向上堆叠延伸以形成整个硅基T/R组件层(3)；
所述单元组件(5)中的每层结构设置一层硅转接板(6)和位于所述硅转接板(6)上方的一层硅帽(13)；
所述硅转接板(6)上设置金属和多层二氧化硅介质层(7)，用于信号交叉互联；每层二氧化硅介质层(7)上布置有金属，最上层的二氧化硅介质层(7)上布置的金属的上表面设有金属微凸点阵列，用于倒装芯片的键合或转接板的堆叠封帽。
2.如权利要求1所述的微小型雷达高频大功率有源子阵，其特征在于，
所述硅帽(13)的腔体(10)内侧设有屏蔽金属层(11)，以实现电磁屏蔽。
3.如权利要求2所述的微小型雷达高频大功率有源子阵，其特征在于，
硅基T/R组件层(3)的三维堆叠封装后，将所述腔体(10)内的功能芯片的信号从转接板(13)的上表面的焊球(15)导出；
所述功能芯片包含：功率放大器、接收限幅低噪放多功能芯片、四通道收发幅相多功能芯片、控制和驱动芯片。
4.如权利要求1所述的微小型雷达高频大功率有源子阵，其特征在于，
所述金属微凸点阵列为铜微凸点阵列(9)，所述金属为铜金属。
5.如权利要求1所述的微小型雷达高频大功率有源子阵，其特征在于，
所述单元组件(5)的上层包含收发放大模块，所述单元组件(5)的下层包含控制模块；所述单元组件(5)的上、下两层之间通过硅通孔(TSV)...
【专利技术属性】
技术研发人员：张乐琦，汪霆雷，苏坪，周凯，丁勇，郭培培，茹莉，王继昇，
申请(专利权)人：上海无线电设备研究所，
类型：发明
国别省市：上海;31
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。