基于SiC-MOSFET的温度检测电路及电子设备制造技术

本发明专利技术提供了一种基于SiC‑MOSFET的温度检测电路及电子设备，在对待测器件进行温度检测的基础上，通过SiC‑MOSFET温度感应模块将检测电流转换为温度检测电压，进而能够减小温度检测电路对电流的依赖特性而提高检测精度。并且迟滞比较模块通过对上限电压和下限电压两个门限电压与温度检测电压进行比较，以通过上限电压和下限电压等效产生一个温度迟滞空间，避免出现温度检测电路频繁交替输出高温报警信号和解除高温报警信号的情况。

【技术实现步骤摘要】
基于SiC-MOSFET的温度检测电路及电子设备
本专利技术涉及电力电子
，更为具体地说，涉及一种基于SiC-MOSFET(siliconcarbideMetal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管)的温度检测电路及电子设备。
技术介绍
SiC是第三代宽禁带半导体材料，SiC材料的电子饱和漂移速度高，是Si材料的2.5倍左右，所以SiC功率器件开关速度快、电流密度高，特别适合应用于高频和大功率场合，开关频率的提高使滤波元件体积减小。SiC材料的临界击穿电场约为Si器件的10倍，与同种类型的Si功率器件相比，SiC功率器件能够耐受更高的工作电压，在高压应用场合有优势。SiC功率器件的比导通电阻小，可以降低系统的损耗，提高系统的效率。SiC材料的热导率高，约是Si材料的3倍，较高的热导率可以使散热系统得到简化和改善，从而使整个系统的重量和体积得到有效地减小，提高系统的功率密度。SiC基芯片优势明显，在新能源汽车中得到了广泛应用。但是，SiC基芯片工作过程中会产本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于SiC-MOSFET的温度检测电路，其特征在于，包括：/n电流产生模块，所述电流产生模块包括输出检测电流的检测电流输出支路和输出参考电流的参考电流输出支路；/n接入所述检测电流的SiC-MOSFET温度感应模块，所述SiC-MOSFET温度感应模块用于根据待测器件的温度及所述检测电流生成温度检测电压；/n接入所述参考电流的门电压产生模块，所述门电压产生模块根据所述参考电流生成上限电压和下限电压，所述上限电压大于所述下限电压；/n以及，接入所述温度检测电压、所述上限电压和所述下限电压的迟滞比较模块，所述迟滞比较模块用于判断出所述温度检测电压大于所述上限电压时输出高温报警信号，直至所述...

【技术特征摘要】
1.一种基于SiC-MOSFET的温度检测电路，其特征在于，包括：
电流产生模块，所述电流产生模块包括输出检测电流的检测电流输出支路和输出参考电流的参考电流输出支路；
接入所述检测电流的SiC-MOSFET温度感应模块，所述SiC-MOSFET温度感应模块用于根据待测器件的温度及所述检测电流生成温度检测电压；
接入所述参考电流的门电压产生模块，所述门电压产生模块根据所述参考电流生成上限电压和下限电压，所述上限电压大于所述下限电压；
以及，接入所述温度检测电压、所述上限电压和所述下限电压的迟滞比较模块，所述迟滞比较模块用于判断出所述温度检测电压大于所述上限电压时输出高温报警信号，直至所述迟滞比较模块判断出所述温度检测电压小于所述下限电压时输出解除高温报警信号。


2.根据权利要求1所述的SiC-MOSFET的温度检测电路，其特征在于，所述SiC-MOSFET温度感应模块包括：第一N型SiC-MOSFET、第二N型SiC-MOSFET、第一运算放大器、第一电阻、第二电阻、第三电阻和第四电阻；其中，所述检测电流包括第一子检测电流和第二子检测电流，且所述第二子检测电流为第一子检测电流的N倍，N为大于1的整数；
所述第一N型SiC-MOSFET的栅极、衬底及源极接入所述第一子检测电流，所述第一N型SiC-MOSFET的漏极与接地端相连，所述第一N型SiC-MOSFET的栅极与所述第一电阻的第一端相连，所述第一电阻的第二端与所述第一运算放大器的同相端及第二电阻的第一端相连，所述第二电阻的第二端与接地端相连；
所述第二N型SiC-MOSFET的栅极、衬底及源极接入所述第二子检测电流，所述第二N型SiC-MOSFET的漏极与接地端相连，所述第二N型SiC-MOSFET的栅极与所述第三电阻的第一端相连，所述第三电阻的第二端与所述第一运算放大器的反相端及第四电阻的第一端相连，所述第四电阻的第二端与所述第一运算放大器的输出端相连，所述第一运算放大器的输出端用于输出温度检测电压。


3.根据权利要求2所述的SiC-MOSFET的温度检测电路，其特征在于，所述待测器件为SiC基芯片，其中所述第一N型SiC-MOSFET和所述第二N型SiC-MOSFET均集成于所述SiC基芯片中。


4.根据权利要求2所述的SiC-MOSFET的温度检测电路，其特征在于，所述电流产生模块包括：基准电流产生子模块和镜像电流子模块；
所述基准电流产生子模块用于生成基准电流；
以及，所述镜像电流子模块用于镜像所述基准电流而生成所述第一子检测电流、所述第二子检测电流和所述参考电流，其中所述第一子检测电流和所述参考电流与所述基准电流相同。


5.根据权利要求4所述的SiC-MOSFET的温度检测电路，其特征在于，所述基准电流产生子模块包括：第二运算放大器、第一N型晶体管和第五电阻；
所述第二运算放大器的同相端接入基准电压，所述第二运算放大器的反相端与所述第五电阻的第一端和所述第一N型晶体管的衬底及源极相连，所述第二运算放大器的输出端与所述第一N型晶体管的栅极相连，所述第五电阻的第二端与接地端相连，所述第一N型晶体管的...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝炳贤，王云，郑鲲鲲，王飞，薛静，杨娜，任广辉，严文瑞，马玫娟，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，广东省大湾区集成电路与系统应用研究院，
类型：发明
国别省市：北京;11