唑类化合物基铜箔防氧化添加剂及其制备方法技术

本发明专利技术属于电解铜箔表面处理技术领域，具体涉及一种唑类化合物基铜箔防氧化添加剂及其制备方法。本发明专利技术所提供的唑类化合物基铜箔防氧化添加剂包括：唑类化合物、成膜助剂、表面活性剂、还原剂和水，其中，所述唑类化合物的浓度为0.1～10g/L，所述成膜助剂的浓度为0.1～5g/L，所述表面活性剂的浓度为0.1～10g/L，所述还原剂的浓度为0.1～10g/L。本发明专利技术所提供的防氧化剂不含重金属离子、无需通电、无需水洗、使用方便、安全环保，是新一代电解铜箔防氧化剂。

【技术实现步骤摘要】
唑类化合物基铜箔防氧化添加剂及其制备方法
本专利技术属于电解铜箔表面处理
，具体涉及一种唑类化合物基铜箔防氧化添加剂。
技术介绍
近年来，电子铜箔技术飞速发展，尤其是在印制电路板(PCB)和锂离子电池用铜箔上面取得了巨大的技术进步，但是困扰业界的一个重要问题就是电解铜箔表面的防氧化处理技术。目前，常见的方法主要铬酸盐防氧化剂，也有使用镍盐、锌盐和钴盐防组成氧化液，或者是结合二者的防氧化液，通过防氧化槽电镀在铜箔表面镀上一层防氧化膜，达到防氧化的目的。但是，随着环保要求的也来越严格，重金属离子防氧化剂，尤其是含致癌性很高的铬离子防氧化剂将很快退出历史舞台，开发新的不含重金属离子，安全环保的电解铜箔防氧化剂具有重要的意义。
技术实现思路
为解决现有技术的不足，本专利技术提供了一种。本专利技术的目的在于提供一种电解铜箔防氧化剂及其制备方法，本专利技术所提供的防氧化剂不含重金属离子、无需通电、无需水洗、使用方便、安全环保，是新一代电解铜箔防氧化剂。本专利技术所提供的技术方案如下：一种唑类化合物基铜箔防氧化添加剂本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种唑类化合物基铜箔防氧化添加剂，其特征在于，包括：唑类化合物、成膜助剂、表面活性剂、还原剂和水，其中，所述唑类化合物的浓度为2～10g/L，所述成膜助剂的浓度为2～5g/L，所述表面活性剂的浓度为2～10g/L，所述还原剂的浓度为2～10g/L。/n

【技术特征摘要】
1.一种唑类化合物基铜箔防氧化添加剂，其特征在于，包括：唑类化合物、成膜助剂、表面活性剂、还原剂和水，其中，所述唑类化合物的浓度为2～10g/L，所述成膜助剂的浓度为2～5g/L，所述表面活性剂的浓度为2～10g/L，所述还原剂的浓度为2～10g/L。


2.根据权利要求1所述的唑类化合物基铜箔防氧化添加剂，其特征在于：所述唑类化合物选自2-巯基苯并噻唑、甲基苯并三氮唑、5-羧基苯并三氮唑、2-巯基苯并咪唑、2-甲基苯并咪唑或2-己基苯并咪唑中的任意一种或几种的组合。


3.根据权利要求1所述唑类化合物基铜箔防氧化添加剂，其特征在于：所述成膜助剂为溶胶前驱体、溶胶或硅烷偶联剂。


4.根据权利要求3所述的唑类化合物基铜箔防氧化添加剂，其特征在于：所述溶胶前驱体选自偏铝酸钠、偏铝酸钾、硅酸钠、硅酸钾或硅酸铵中的任意一种或几种的组合。


5.根据权利要求3所述的唑类化合物基铜箔防氧化添加剂，其特征在于：所述溶胶选自氧化锆溶胶、三氧化二铝溶胶、二氧化硅溶胶或二氧化钛溶胶中的任意一种或几种的组合。


6.根据权利要求3所述的唑类化合物基铜箔防氧化添加剂，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：王锋，丁瑜，付争兵，张曼，
申请(专利权)人：湖北工程学院，
类型：发明
国别省市：湖北;42