一种全反射投影光学系统技术方案

本发明专利技术提供了一种全反射投影光学系统，以利用成像光线将位于物镜物平面内的图案投射到物镜像平面内，其包括位于物面之后该成像光线依次经过的第一至第四反射镜，该四片反射镜构成双远心投影物镜结构，即孔径光阑位于该第二反射镜上并关于光轴旋转对称，该第二反射镜位于第一反射镜焦点位置，并且该第三反射镜和第四反射镜将该孔径光阑的像成在像方无限远处。因而，本发明专利技术的物方主光线和像方主光线均与光轴平行，有利于减小畸变，扩大视场并且系统结构合理。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种投影光学系统，特别涉及一种用于半导体光刻以及照相制 版的全反射投影光学系统。
技术介绍
随着投影光刻技术的发展，投影光学系统的性能逐步提高，并可以适用于 集成电路制造等多种领域。现已将投影光刻技术成功应用于亚微米分辨率集成 电路制造领域。在半导体封装技术中，投影光刻技术可用于要求较低分辨率(如几微米)、较大焦深、较高产率的金凸块/锡凸块、硅片级芯片尺度封装(WLCSP) 技术等领域。随着半导体芯片特征尺寸的不断减小，为了得到更加精细的结构，投影物 镜所使用的波长在不断减少，同时像方数值孔径不断增大。在45nm节点技术以 后，EUV (极紫外)光刻技术将具有极大的优势，对于极紫外波段(波长小于 15nm)，几乎所有的玻璃都有很强的吸收性,此时传统的折射式和折反射结构已 不再适用，取而代之的是全反射系统结构。如图l所示，美国专利US6226346采用四片反射镜结构，R1""R4分别为第 一至第四反射镜，R3使用球面镜，其余使用高次非球面，M和Wafer分别为物 面和像面位置。此系统的特点是环形视场及使用高次非球面镜较好的控制了 畸变，系统分辨率可达0.1um，像方数值孔径在O.l以上。但是由于物方主光线 和光轴存在夹角，以及控制畸变的需要，难以扩大视场，其最大视场宽度不超 过3mm。如图2及图3所示，美国专利US6556648中给出了两种不同的光阑位于KlA 上的四片反射镜结构，视场宽度可以做到4mm,但像方远心而物方非远心，不 利于畸变校正，同时第一反射镜和第四反射镜距离过小，且像方工作距离很短， 在实际工作中^U^实现。其中Al-A4、 Bl-B4分别表示第一至第四反射镜，与专利US6226346相比，该光阑位于第二反射镜位置，有效控制了物方主光线与 视场的夹角(仍未达到物方远心)，扩大了视场。其不足之处是两种方案的像 方工作距离都很短，A1和A4的距离过近(如图2所示)，不利于机械安装。因此，如何提供一种投影光学系统以保证成像质量良好，并且提高投影物 镜系统的工作距离、并压缩光学总长，为工件台和掩模台提供较大的设计空间， 已成为业界亟待解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种全反射投影光学系统，该系统采用全折射和反 远距结构，它不仅能有效地校正像差，而且具有较大的工作距离、良好的成《象 质量，在装校和成本方面也兼具优势。本专利技术的目的是这样实现的 一种全反射投影光学系统，以利用成像光线 将位于物镜物平面内的图案投射到物镜像平面内，其包括位于物面之后该成像 光线依次经过的第一至第四反射镜，其中，该第一至第四反射镜构成双远心招二 影物镜结构，孔径光阑位于该第二反射镜上并关于光轴旋转对称，该第二反射 镜位于第一反射镜焦点位置，并且该第三反射镜和第四反射镜将该孔径光阑的 像成在^f象方无限远处。上述的全反射投影光学系统，其中该第一、四反射镜位于光轴以上，离 轴放置，该第三反射4免位于光轴以下，离轴放置，该第二反射镜位于光轴上， 为旋转对称结构。上述的全反射投影光学系统，其中在该成像光线经过第三反射镜后成像 在光轴位置的中间像点处，设置杂光光阑，以控制轴外杂散光。上述的全反射投影光学系统，其中该第一反射镜具有负折射能力，该第 二反射镜具有负折射能力，该第三反射镜具有正折射能力，该第四反射镜具有 负折射能力。上述的全反射投影光学系统，其中该第一、三、四反射镜为凹镜，该第 二反射镜为凸镜。上述的全反射投影光学系统，其中该第一至第四反射镜都采用高次非球面。本专利技术由于采用了上述的技术方案，使之与现有技术相比，具有以下的优点和积核j丈果1. 光阑位于第一反射镜焦点处，使入瞳呈在物方无限远，保证物方远心性；2. 经过第三镜和第四镜后，出瞳在像方无限远，保证像方的远心性，这样系统 物方主光线和像方主光线均与光轴平行，有利于减小畸变，扩大视场；3. 结构合理第一反射镜与第四反射镜之间距离大于20mm，像方工作距离在 40mm以上，为机械结构设计留有余量，第三反射镜和第四反射镜之间存在 中间像面位置，且位于光轴附近，有足够的空间放置杂光光阑，控制杂散光。附图说明本专利技术的全反射投影光学系统的具体结构由以下的实施例及附图给出。图1为一种传统的光学系统结构及光路示意图。图2为另一种传统的光学系统结构及光路示意图。图3为又一种传统的光学系统结构及光路示意图。图4为本专利技术的全反射投影光学系统的结构及光路示意图。图5为本专利技术的视场示意图。具体实施方式以下将对本专利技术的全反射投影光学系统作进一步的详细描述。本专利技术提供了一种全反射投影光学系统，如图4所示，该投影光学系统为 四片反射镜双远心的投影物镜结构，其由镜组组成，即包括第一至第四反射镜 Ml - M4。孔径光阑STOP位于第二反射镜M2上，关于光轴Cl旋转对称。成 像光线经过第三反射镜M3后成像在光轴Cl的中间^f象点处，此处可以设置杂光 光阑S2以控制轴外杂散光，最后光线经过第四反射镜M4后到达像面。该镜组具有位于物面之后光线依次经过的具有负折射能力的第一反射镜 Ml;位于其后面的具有负折射能力的第二反射镜M2;位于其后面的具有正折 射能力的第三反射镜M3，及位于其后面的具有负折射能力的第四反射镜M4。 该第一到第四反射镜M1 - M4都采用高次非球面。其中，该第一、三、四片反射镜M1、 M3、 M4为凹4竟，该第二反射4竟M2四反射镜M1、 M4位于光轴C1以上，离轴放置，该第三反 射镜M3位于光轴C1以下，离轴》文置。该第二反射镜M2位于光轴C1上，为 旋转对称结构。本专利技术的全反射投影光学系统采用物方像方双远心结构，光阑STOP位于 该第二反射镜M2处，该第二反射镜M2位于第一反射镜M1焦点位置，从而保 证入瞳在物方无限远。同时该第三反射镜M3和第四反射镜M4将光阑STOP的 像成在像方无限远处，即出瞳位于像方无限远，整个系统满足双远心结构。这 样既可以有效的控制畸变，也有利于扩大视场。光线经过该第三反射镜M3反射后，在该第三和第四反射镜M3、 M4之间 存在中间像面，位置在光轴C1附近，有利于放置光阑S2以控制杂光。整个全反射投影光学系统结构合理，物方和像方工作距离均在40mm以上， 第 一反射镜Ml和第四反射镜M4之间水平方向上间隔可以控制在15mm以上， 有利于机械结构的安装调试。如图5所示，为本专利技术的视场特征，即整个视场呈四分之一环形结构，对 中心张角60°,最大3见场半径120mm,宽度大于2mm，并且宽度最大可达5mm。 系统物方数值孔径NA-0.05,像方数值孔径NA^.15，并且最大可达0.22。如表l所示，为本专利技术各反射镜的曲率半径值，镜片间距及非球面系数值。表1<table>table see original document page 6</column></row><table>综上所述，本专利技术的全反射投影光学系统通过采用全折射和反远距结构， 能有效地校正像差，而且具有较大的工作距离、良好的成^f象质量，在装校和成 本方面也兼具优势。权利要求1、一种全反射投影光学系统，以利用成像光线将位于物镜物平面内的图案投射到物镜像平面内，其包括位于物面之后该成像光线依次经过的第一至第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种全反射投影光学系统，以利用成像光线将位于物镜物平面内的图案投射到物镜像平面内，其包括位于物面之后该成像光线依次经过的第一至第四反射镜，其特征在于：该第一至第四反射镜构成双远心投影物镜结构，孔径光阑位于该第二反射镜上并关于光轴旋转对称，该第二反射镜位于第一反射镜焦点位置，并且该第三反射镜和第四反射镜将该孔径光阑的像成在像方无限远处。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱立荣，储兆祥，
申请(专利权)人：上海微电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]