一种半导体发光二极管的防静电外延装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种半导体发光二极管的防静电外延装置，包括导电的壳体，壳体的一侧设有与半导体发光二极管正极相连的第一导线，壳体的另一侧设有与半导体发光二极管负极相连的第二导线，壳体顶面设有第三导线，壳体的内部设有成E字形结构的第一导板。本实用新型专利技术中，通过在壳体内部设置第一导板和第二导板构成负压端的静电电容结构，而第一导板上的侧板与第三导板构成正压端的静电电容结构，而当半导体发光二极管在工作时，形成静电场的正负电压通过第一导板、第二导板和第三导板进行传递、抵消，在通过第三导线将第一导板上过多的电荷导向地面，从而将静电场抵消，并且多个第二导板和第一导板配合，能够实像更大的静电破坏量。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体发光二极管的防静电外延装置
本技术涉及半导体发光二极管领域，具体为一种半导体发光二极管的防静电外延装置。
技术介绍
现如今，在半导体元器件之间，信号传输速度的越来越快，克服静电的静电破坏耐量的要求也越来越高，所以半导体装置中各种防静电破坏装置越来越丰富。而为了满足越来越高的使用要求，增加静电破坏耐量，则会导致半导体基板会占用较多的面积，致使整个装置的体积增大，成本增加。因此，设计一种防静电外延装置是有必要的。
技术实现思路
本技术的目的在于提供了一种半导体发光二极管的防静电外延装置，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种半导体发光二极管的防静电外延装置，包括导电的壳体，所述壳体的一侧设有与半导体发光二极管正极相连的第一导线，所述壳体的另一侧设有与半导体发光二极管负极相连的第二导线，所述壳体顶面设有第三导线，所述壳体的内部设有成E字形结构的第一导板，所述第一导板与第三导线电性连接，所述第一导板之间均设有第二导板，且第二导板均与第二导线电性连接，所述壳体的一侧内本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体发光二极管的防静电外延装置，包括导电的壳体(1)，其特征在于：所述壳体(1)的一侧设有与半导体发光二极管正极相连的第一导线(2)，所述壳体(1)的另一侧设有与半导体发光二极管负极相连的第二导线(3)，所述壳体(1)顶面设有第三导线(4)，所述壳体(1)的内部设有成E字形结构的第一导板(5)，所述第一导板(5)与第三导线(4)电性连接，所述第一导板(5)之间均设有第二导板(6)，且第二导板(6)均与第二导线(3)电性连接，所述壳体(1)的一侧内壁上嵌有第三导板(7)，且第一导线(2)与第三导板(7)电性连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种半导体发光二极管的防静电外延装置，包括导电的壳体(1)，其特征在于：所述壳体(1)的一侧设有与半导体发光二极管正极相连的第一导线(2)，所述壳体(1)的另一侧设有与半导体发光二极管负极相连的第二导线(3)，所述壳体(1)顶面设有第三导线(4)，所述壳体(1)的内部设有成E字形结构的第一导板(5)，所述第一导板(5)与第三导线(4)电性连接，所述第一导板(5)之间均设有第二导板(6)，且第二导板(6)均与第二导线(3)电性连接，所述壳体(1)的一侧内壁上嵌有第三导板(7)，且第一导线(2)与第三导板(7)电性连接。


2.根据权利要求1所述的一种半导体发光二极管的防静电外延装置，其特征在于：所述第二导板(6)远离第三导板(7)的一端均与第四导板(8)的侧面电性连接，且第四导板(8)与壳体(1)的内壁之间设有第一绝缘层(9)。


3.根据权利要求1所述的一种半...

【专利技术属性】
技术研发人员：张士春，
申请(专利权)人：常州市善能光电有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32