【技术实现步骤摘要】
一种基于双极工艺的LDO过温保护电路
本技术涉及一种基于双极工艺的LDO过温保护电路，属于保护电路领域。
技术介绍
在设计LDO电路时，通常会加入过温保护电路，一旦电路内部的温度超过其允许的最高温度时，将停止内部电路的供电，为整个LDO电路提供自身的保护，同时也保护了LDO电路所供电的整机电路免遭破坏。LDO电路的过温保护有的利用迟滞比较器与预设温度进行比较，使得电路比较复杂，对于芯片的小型化以及功耗都是不利的因素。有的LDO过温保护电路只是简单的过温关断，没有迟滞功能，使得芯片系统由于工作温度波动而造成的反复关断，容易引起芯片的热振荡，特别是双极型过温保护电路本身存在热振荡的问题。但是与CMOS工艺相比，双极工艺具有器件匹配性好、功率密度高、芯片体积小等优点，且具有较小的寄生电容，因此具有更好的瞬态响应特性，并能提供更大的驱动电流，现有传统的LDO保护电路精度不够，且电路构成较为复杂，很难满足需求。
技术实现思路
本技术解决的技术问题是：针对目前现有技术中，传统LDO过温保护电路结构较为复杂，控制精...
【技术保护点】
1.一种基于双极工艺的LDO过温保护电路，其特征在于：包括温度检测电路、采样比较电路，所述温度检测电路包括NPN管Q4、电阻R3、电阻R4，所述采样比较电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R5、电阻R6、电阻R7、NPN管Q1、NPN管Q2、NPN管Q3、NPN管Q6，其中：/n所述NPN管Q4基极与外部带隙电路输出端相连，NPN管Q4的集电极与电源Vcc相连，NPN管Q4的发射极、电阻R3、电阻R4串联接地；/n所述NPN管Q1发射极接地，NPN管Q1基极与电阻R3、电阻R4间的温度电压输出点A相连，NPN管Q1集电极通过串接电阻R1与电源Vcc相连且同时与NPN管Q2的基极...
【技术特征摘要】
1.一种基于双极工艺的LDO过温保护电路，其特征在于：包括温度检测电路、采样比较电路，所述温度检测电路包括NPN管Q4、电阻R3、电阻R4，所述采样比较电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R5、电阻R6、电阻R7、NPN管Q1、NPN管Q2、NPN管Q3、NPN管Q6，其中：
所述NPN管Q4基极与外部带隙电路输出端相连，NPN管Q4的集电极与电源Vcc相连，NPN管Q4的发射极、电阻R3、电阻R4串联接地；
所述NPN管Q1发射极接地，NPN管Q1基极与电阻R3、电阻R4间的温度电压输出点A相连，NPN管Q1集电极通过串接电阻R1与电源Vcc相连且同时与NPN管Q2的基极相连，NPN管Q2发射极接地，NPN管Q2集电极与NPN管Q3基极、集电极相连，NPN管Q2集电极同时与NPN管Q5的基极、集电极相连，NPN管Q3发射极与温度电压输出点A间串联有电阻R2，NPN管Q5集电极与电源Vcc间串联有电阻R5，NPN管Q5发射极、电阻R6、...
【专利技术属性】
技术研发人员：阳启明，王秀芝，孔瀛，莫艳图，胡贵才，宋奎鑫，张志伟，康磊，柏晓鹤，曲绍贤，胡文瑞，
申请(专利权)人：北京时代民芯科技有限公司，北京微电子技术研究所，
类型：新型
国别省市：北京;11
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