【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】USBC型边带信号接口电路相关申请的交叉引用本申请是在2018年6月5日提交的美国专利申请第16/000,733号的国际申请,该美国专利申请要求在2018年4月11日提交的LT.S.临时申请第62/656,284号的优先权的权益,该临时申请的全部内容通过引用并入本文。
本公开内容涉及电子电路领域,特别地涉及USBC型边带信号接口电路。
技术介绍
电子电路可以包括通过电流可以通过其流过的导线或迹线连接的单独的电子部件,例如电阻器、晶体管、电容器、电感器和二极管等。电子电路可以使用分离的部件来构造,或者更常见地集成在部件和互连形成在公共衬底例如硅上的集成电路中。附图说明在附图的各图中,通过示例而非限制的方式示出本公开内容。图1是根据实施方式的USBC型(USB-C)连接器的框图。图2A、图2B和图2C是根据实施方式的单端口(TBT)笔记本电源/吸收电路的电路图的部分。图3是根据实施方式的USB-C控制器的子部分的电路图。图4A是示出根据另一实施方式的集成USBC型边带信号接口的USB-C控制器的电路图。图4B是根据实施方式的图4A的USB-C控制器的短路保护电路的电路图。图4C是根据实施方式的图4A的USB-C控制器的IEC静电放电(ESD)保护电路的电路图。图4D和图4E是根据实施方式的图4A的USB-C控制器的系统侧的附加ESD保护电路的电路图。图5A是根据实施方式的用于测量跨图4A的USB-C控制器的复用器的TB ...
【技术保护点】
1.一种包括被实例化为第一集成电路的USB-C控制器的设备,所述USB-C控制器包括:/n第一对端子,所述第一对端子以除USB协议以外的第一通信协议进行通信;/n第二对端子,所述第二对端子以除USB协议以外的第二通信协议进行通信;/n第三对端子,所述第三对端子中的每个端子耦接至C型插座的对应SBU1端子或SBU2端子;/n复用器,所述复用器选择性地将所述第一对端子耦接至所述第三对端子,并且将所述第二对端子耦接至所述第三对端子;以及/n耦接在所述复用器与所述第三对端子中的每个端子之间的一系列级联的、低电压n型场效应晶体管(LVNFET)。/n
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180411 US 62/656,284;20180605 US 16/000,7331.一种包括被实例化为第一集成电路的USB-C控制器的设备,所述USB-C控制器包括:
第一对端子,所述第一对端子以除USB协议以外的第一通信协议进行通信;
第二对端子,所述第二对端子以除USB协议以外的第二通信协议进行通信;
第三对端子,所述第三对端子中的每个端子耦接至C型插座的对应SBU1端子或SBU2端子;
复用器,所述复用器选择性地将所述第一对端子耦接至所述第三对端子,并且将所述第二对端子耦接至所述第三对端子;以及
耦接在所述复用器与所述第三对端子中的每个端子之间的一系列级联的、低电压n型场效应晶体管(LVNFET)。
2.根据权利要求1所述的设备,其中,所述第一通信协议或所述第二通信协议之一选自包括以下的协议的组:DisplayPort(DP)协议、高清多媒体接口(HDMI)协议、(TBT)协议、移动高清连接(MHL)协议以及外围部件互连高速(PCIe)协议。
3.根据权利要求1所述的设备,其中,所述复用器包括多个LVNFET,所述一系列级联的LVNFET包括一系列至少四个级联的LVNFET,并且其中,所述多个LVNFET和所述一系列至少四个级联的LVNFET中的LVNFET是五伏LVNFET。
4.根据权利要求3所述的设备,其中,所述设备用于向所述USB-C控制器的电路和主机计算设备提供至少20伏的短路保护。
5.根据权利要求1所述的设备,其中,所述第一对端子包括数据发射器端子和数据接收器端子,所述第二对端子包括正辅助端子和负辅助端子,所述第三对端子包括耦接至所述SBU1端子的SBU_UP端子和耦接至所述SBU2端子的SBU_DOWN端子,并且其中,所述复用器包括:
第一组NVFET,所述第一组NVFET用于将所述数据发送器端子和所述数据接收器端子耦接至所述SBU_UP端子或所述SBU_DOWN端子之一,并且响应于配置通道(CC)信号来提供翻转校正;以及
第二组NVFET,所述第二组NVFET用于将所述正辅助端子和所述负辅助端子耦接至所述SBU_UP端子或所述SBU_DOWN端子之一,并且响应于所述CC信号来提供翻转校正。
6.根据权利要求5所述的设备,其中,所述数据发送器端子是(TBT)协议的LSTX控制端子,并且所述数据接收器端子是(TBT)协议的LSRX控制端子,并且所述正辅助端子和所述负辅助端子是DisplayPort(DP)协议的控制端子。
7.根据权利要求1所述的设备,其中,所述复用器包括第一组四个LVNFET,并且其中,所述USB-C控制器还包括:
电荷泵,所述电荷泵耦接至所述第一组四个LVNFET和所述一系列级联的LVNFET中的每个LVNFET的栅极,所述LVNFET表现出小于七欧姆的电阻;以及
第一逻辑,所述第一逻辑用于根据在配置通道(CC)信号内使能的模式来控制所述第一组四个LVNFET中的每个LVNFET的栅极。
8.根据权利要求1所述的设备,其中,所述USB-C控制器还包括耦接在所述第三对端子中的每个端子与地之间的20VIECRC骤回钳位器。
9.根据权利要求1所述的设备,其中,所述USB-C控制器还包括耦接在所述第一对端子中的每个端子与地之间的人体模型(HBM)骤回钳位器。
10.一种系统,包括:
第一主机控制器,所述第一主机控制器以第一通信协议进行通信;
第二主机控制器,所述第二主机控制器以第二通信协议进行通信,其中,所述第一通信协议和所述第二通信协议是除USB协议以外的协议;
USBC型插座;以及
USB-C控制器,所述USB-C控制器被实例化为第一集成电路并且包括:
第一对端子,所述第一对端子耦接至所述第一主机控制器来以除USB协议以外的所述第一通信协议进行通信;
第二对端子,所述第二对端子耦接至所述第二主机控制器来以除U...
【专利技术属性】
技术研发人员:阿伦·哈梅斯拉,阿努普·纳亚克,帕塔·蒙达尔,赫曼特·P·维斯普特,拉维·孔杜鲁,
申请(专利权)人:赛普拉斯半导体公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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