陶瓷基板和使用了该陶瓷基板的安装用基板以及电子装置制造方法及图纸

本公开的陶瓷基板含有氧化铝晶粒和氧化锆晶粒。而且，全部成分100质量％中，氧化铝为70质量％以上且95质量％以下，稳定剂成分、氧化铪和氧化锆合计为5质量％以上且30质量％以下。此外，上述氧化铝晶粒的当量圆直径的平均值大于氧化锆晶粒的当量圆直径的平均值，并且为1.2μm以上且1.9μm以下。另外，上述氧化铝晶粒的当量圆直径的累积分布中的累积10％时的当量圆直径(d10)与累积90％时的当量圆直径(d90)之差为1.5μm以上且2.5μm以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】陶瓷基板和使用了该陶瓷基板的安装用基板以及电子装置
本公开涉及陶瓷基板和使用了该陶瓷基板的安装用基板以及电子装置。
技术介绍
作为用于经由金属层安装半导体元件、发热元件、珀尔帖元件等各种电子部件的基板(安装用基板)，广泛使用陶瓷基板。而且，作为用于安装用基板的陶瓷基板，已知有包含氧化锆的氧化铝基板。例如，专利文献1(日本特开平8－195450号公报)中公开了一种由陶瓷基板构成的安装用基板，上述陶瓷基板含有作为主成分的氧化铝和氧化锆，并在其中添加了选自氧化钇、氧化钙、氧化镁、氧化铈中的1种以上添加剂。
技术实现思路
本公开的陶瓷基板含有氧化铝晶粒和氧化锆晶粒。而且，全部成分100质量％中，氧化铝为70质量％以上且95质量％以下，稳定剂成分、氧化铪和氧化锆合计为5质量％以上且30质量％以下。此外，上述氧化铝晶粒的当量圆直径的平均值大于氧化锆晶粒的当量圆直径的平均值，并且为1.2μm以上且1.9μm以下。另外，上述氧化铝晶粒的当量圆直径的累积分布中的累积10％时的当量圆直径(d10)与累积90％时的当量圆直径(d90)之差本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种陶瓷基板，其含有氧化铝晶粒和氧化锆晶粒，/n全部成分100质量％中，氧化铝为70质量％以上且95质量％以下，稳定剂成分、氧化铪和氧化锆合计为5质量％以上且30质量％以下，/n所述氧化铝晶粒的当量圆直径的平均值大于氧化锆晶粒的当量圆直径的平均值，并且为1.2μm以上且1.9μm以下，/n所述氧化铝晶粒的当量圆直径的累积分布中的累积10％时的当量圆直径d10与累积90％时的当量圆直径d90之差为1.5μm以上且2.5μm以下。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180426 JP 2018-0853791.一种陶瓷基板，其含有氧化铝晶粒和氧化锆晶粒，
全部成分100质量％中，氧化铝为70质量％以上且95质量％以下，稳定剂成分、氧化铪和氧化锆合计为5质量％以上且30质量％以下，
所述氧化铝晶粒的当量圆直径的平均值大于氧化锆晶粒的当量圆直径的平均值，并且为1.2μm以上且1.9μm以下，
所述氧化铝晶粒的当量圆直径的累积分布中的累积10％时的当量圆直径d10与累积90％时的当量圆直径d90之差为1.5μm以上且2.5μm以下。


2.根据权利要求1所述的陶瓷基板，其中，所述氧化锆晶粒的当量圆直径的平均值为0.4μm以上且0.7μm以下。


3.根据权利要求1或2所述的陶瓷基板，其中，所述氧化锆晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：西本健一，三垣俊二，
申请(专利权)人：京瓷株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP