具有减少的信号采样反冲的图像传感器制造技术

本发明专利技术题为“具有减少的信号采样反冲的图像传感器”。本发明专利技术公开了一种图像传感器，图像传感器可包括图像像素阵列。图像像素可被布置成列和行。图像像素的每一列可经由相应列线耦接到列读出电路。列读出电路可包括放大器电路、第一源极跟随器级和第二源极跟随器级。第一源极跟随器级和第二源极跟随器级可插置在放大器电路和采样电容器之间。开关可插置在第一源极跟随器级和第二源极跟随器级之间。第二源极跟随器晶体管可被配置为将中间采样电压提供给采样电容器。第一源极跟随器晶体管可被配置为将最终采样电压提供给采样电容器。以这种方式，可减少使用读出电路对信号进行采样而产生的反冲。

【技术实现步骤摘要】
具有减少的信号采样反冲的图像传感器
本专利技术整体涉及成像设备，并且更具体地讲，涉及减轻信号采样反冲的成像设备。
技术介绍
图像传感器常常在电子设备诸如移动电话、相机和计算机中用来捕获图像。在典型的布置中，电子设备设置有布置成像素行和像素列的图像像素阵列。常常将读出电路耦接到每个像素列以读出来自图像像素的图像信号。读出电路对来自图像像素的信号进行采样以供存储在采样节点处。然而，由放大器或其他读出电路部件进行的采样过程可能会在放大器的输入处引起反冲噪声，从而不期望地在信号路径上添加了附加相位延迟(例如，增加了稳定时间)。相似地，不期望提供附加电流来改善线路稳定，因为这会增加电流需求，这在某些应用中可能是不可接受的。因此，期望提供具有减少的信号采样反冲的成像设备。附图说明图1是根据一些实施方案的具有用于使用图像像素阵列来捕获图像的图像传感器和处理电路的例示性电子设备的示意图。图2是根据一些实施方案的例示性像素阵列以及用于从该像素阵列读出图像信号的相关联读出电路的示意图。图3A是根据一些实施方案本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器，包括：/n图像像素，所述图像像素能够操作为生成信号；和/n读出电路，所述读出电路能够操作为对所述信号进行采样，所述读出电路包括：/n放大器电路；/n第一源极跟随器级；/n第二源极跟随器级；和/n电荷存储结构，所述电荷存储结构能够操作为存储经采样的信号，其中所述第一源极跟随器级和所述第二源极跟随器级插置在所述放大器电路和所述电荷存储结构之间。/n

【技术特征摘要】
20190604 US 62/856,835;20190702 US 16/460,7461.一种图像传感器，包括：
图像像素，所述图像像素能够操作为生成信号；和
读出电路，所述读出电路能够操作为对所述信号进行采样，所述读出电路包括：
放大器电路；
第一源极跟随器级；
第二源极跟随器级；和
电荷存储结构，所述电荷存储结构能够操作为存储经采样的信号，其中所述第一源极跟随器级和所述第二源极跟随器级插置在所述放大器电路和所述电荷存储结构之间。


2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述放大器电路包括输出端子，并且其中所述输出端子直接耦接到所述第一源极跟随器级并且直接耦接到所述第二源极跟随器级。


3.根据权利要求2所述的图像传感器，其中所述第一源极跟随器级包括串联连接在第一电源端子和第二电源端子之间的一组晶体管，其中所述第二源极跟随器级包括串联连接在第三电源端子和第四电源端子之间的附加组晶体管，其中所述一组晶体管中的第一晶体管具有耦接到所述放大器电路的输出端子的栅极端子，并且其中所述附加组晶体管中的第二晶体管具有耦接到所述放大器电路的输出端子的栅极端子。


4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述读出电路包括：
开关，所述开关将所述第一源极跟随器级耦接到所述第二源极跟随器级；
附加开关，所述附加开关将所述第二源极跟随器级耦接到所述电荷存储结构；和
偏置电路，所述偏置电路能够操作为通过所述附加开关将偏置电压提供给所述电荷存储结构。


5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述放大器电路包括耦接到与所述图像像素相连的列线的输入端子和耦接到所述第一源极跟随器级中的第一晶体管的栅极端子的输出端子，其中所述第一源极跟随器级包括与所述第一晶体管串联耦接的第二晶体管和第三晶体管，其中所述第二晶体管和所述第三晶体管的共源极-漏极端子耦接到所述放大器电路的输入端子，其中所述第二源极跟随器级包括串联耦接的第四晶体管和第五晶体管，并且其中所述第四晶体管和所述第五晶体管的共源极-漏极端子经由开关耦接到所述第二晶体管和所述第三晶体管的所述共源极-漏极端子。


6.一种使用列线操作耦接到图像传感器像素的读出电路的方法，所述方法包括：
利用所述读出电路中的放大...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·本嘉拉姆，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US