图像传感器及用于控制图像传感器的方法技术

本公开涉及图像传感器及用于控制图像传感器的方法，该传感器包括像素(1)，每个像素包括：第一晶体管(118)和第一开关(120)，该第一晶体管和该第一开关串联在像素的第一节点(124)与内部节点(122)之间，第一晶体管(118)的栅极耦合到第二节点(106)；电容性元件(110)，其第一端子连接至第二节点；以及多个组件(A、B)，每个组件包括与耦合到内部节点的第二开关(130)串联的电容(128)，传感器包括电路(150)，该电路被配置为每次在组件(A、B)之一中存储电压时，通过以下方式来控制第一节点(124)与内部节点(122)之间的电流的中断：切换施加到电容性元件的第二端子(112)的第一电位(Vech)；或者断开第一开关(120)。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及用于控制图像传感器的方法本申请要求于2019年6月3日提交的法国专利申请号19/05862的优先权，其内容在法律允许的最大程度上通过整体引用结合于此。
本公开总体上涉及图像传感器，并且更特别地涉及全局快门类型的图像传感器。
技术介绍
全局快门传感器包括通常以行和列布置的像素矩阵。全局快门传感器的像素通常被称为全局快门像素。在全局快门传感器中，由传感器的所有像素共享(或者换句话说，对于传感器的所有像素同时进行)其间由传感器捕获图像的积分阶段。更具体地，积分阶段开始于对于每个像素同时地初始化像素的光敏区域。当对于每个像素同时将表示自积分阶段开始以来在像素的光敏区域中累积的光生电荷的电压存储在像素中时，积分阶段结束。接下来，通常通过同时读取传感器的同一行的所有像素来依次地读取存储在传感器的像素中的电压，这些行被逐一地读取。
技术实现思路
需要一种全局快门图像传感器，以及一种用于控制这种传感器的方法，以解决已知的全局快门图像传感器及用于控制其的方法的全部或一些缺点。一个实施例解决了已知的全局快门图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种图像传感器，包括像素(1、3)的矩阵，每个所述像素包括：/n第一晶体管(118)和第一开关(120)，所述第一晶体管和所述第一开关串联连接在被配置为接收第一电位(VD)的第一节点(124)与所述像素的内部节点(122)之间，所述第一晶体管(118)的栅极被耦合到所述像素的浮置扩散节点(106)；/n电容性元件(110)，所述电容性元件的第一端子连接至所述像素的所述浮置扩散节点；以及/n多个组件(A、B)，每个所述组件包括与第二开关(130)串联连接的电容(128)，所述第二开关将所述电容耦合到所述像素的所述内部节点(122)，/n所述传感器进一步包括电路(150)，所述电路被配置为每次...

【技术特征摘要】
20190603 FR 19058621.一种图像传感器，包括像素(1、3)的矩阵，每个所述像素包括：
第一晶体管(118)和第一开关(120)，所述第一晶体管和所述第一开关串联连接在被配置为接收第一电位(VD)的第一节点(124)与所述像素的内部节点(122)之间，所述第一晶体管(118)的栅极被耦合到所述像素的浮置扩散节点(106)；
电容性元件(110)，所述电容性元件的第一端子连接至所述像素的所述浮置扩散节点；以及
多个组件(A、B)，每个所述组件包括与第二开关(130)串联连接的电容(128)，所述第二开关将所述电容耦合到所述像素的所述内部节点(122)，
所述传感器进一步包括电路(150)，所述电路被配置为每次电压被存储(MEM-INIT、MEM-SIGNAL)在所述像素之一的所述组件(A、B)之一中时，通过以下方式来控制在所述像素的所述第一节点(124)与所述内部节点(122)之间流通的电流的中断(t8、t16)：
-控制施加到所述像素的所述电容性元件(110)的第二端子(112)的第一电位(Vech)从第一电平到第二电平的切换，而不管所述像素和完成所述存储(MEM-INIT、MEM-SIGNAL)的所述像素的所述组件(A、B)如何；或者
-控制所述像素的所述第一开关(120)的断开，而不管所述像素和完成所述存储(MEM-INIT、MEM-SIGNAL)的所述像素的所述组件(A、B)如何。


2.根据权利要求1所述的传感器，其中在所述像素中的每个像素中，所述第一晶体管(118)的源极不耦合到恒定极化电流源。


3.根据权利要求1所述的传感器，其中所述电路被配置为：在所述存储(MEM-INIT、MEM-SIGNAL)期间，在所述电流的所述中断(t8、t16)之前，控制施加到所述第一节点(124)的所述电位(VD)从优选为低的第三电平到优选为高的第四电平的切换。


4.根据权利要求3所述的传感器，其中所述电路被配置为：在所述存储(MEM-INIT、MEM-SIGNAL)期间，将所述电流的所述中断(t8、t16)的控制与施加到所述第一节点的所述电位(VD)从所述第三电平到所述第四电平的切换的控制分开一持续时间(Td)，所述持续时间(Td)是相同的，而不管所述像素和完成所述存储(MEM-INIT、MEM-SIGNAL)的所述像素的所述组件(A、B)如何。


5.根据权利要求3所述的传感器，其中所述电路(150)被配置为：在所述存储(MEM-INIT、MEM-SIGNAL)期间，保持施加到所述第一节点(124)的所述电位(VD)的所述第四电平，至少直到所述电流的所述中断(t8、t16)为止。


6.根据权利要求3所述的传感器，其中所述电路(150)被配置为：在所述存储(MEM-INIT、MEM-SIGNAL)期间，在所述电流的所述中断(t8、t16)之后，控制所述组件(A、B)的所述第二开关(130)的断开，并且优选地，保持施加到所述第一节点(124)的所述电位(VD)的所述第四电平，至少直到所述第二开关的所述断开为止。


7.根据权利要求3所述的传感器，其中所述电路(150)被配置为：在所述存储(MEM-INIT、MEM-SIGNAL)期间，在施加到所述第一节点(124)的所述电位(VD)从所述第三电平到所述第四电平的切换之前，保持所述像素的所述第一开关(120)和所述组件(A、B)的所述第二开关(130)闭合。


8.根据权利要求1所述的传感...

【专利技术属性】
技术研发人员：L·希莫尼，P·马林格，
申请(专利权)人：意法半导体格勒诺布尔二公司，意法半导体克洛尔二公司，
类型：发明
国别省市：法国;FR