一种滤波器及其制作方法技术

本发明专利技术提供的滤波器，包括至少两个谐振器、两个相贯通的负耦合槽、导电层，通过在第一负耦合槽的内壁上设置调试块，使调试块的下表面在滤波器下表面上的投影完全覆盖住第二负耦合槽在滤波器本体下表面上的投影，使调试块的下表面与第一负耦合槽的槽底之间形成沿水平方向延伸的连通腔，并通过第一负耦合槽、第二负耦合槽、连通腔实现这两个谐振器之间的电容耦合，能够先批量制作出一致性好的滤波器本体，再制作不同尺寸的调试块来改变连通腔的尺寸，从而调整滤波器的电气性能，调试块本身并没有开槽或孔，烧结时误差小、精度高、可复现性强，该滤波器试制时效率高、成本低，适合批量化生产；本发明专利技术提供的制作方法，加工工艺简单、良品率高。

【技术实现步骤摘要】
一种滤波器及其制作方法
本申请涉及电子通信设备领域，特别涉及一种滤波器及其制作方法。
技术介绍
随着5G通信“大爆炸”时代的来临，电子通信设备逐渐在世界范围内进行普及，而滤波器正是电子通信设备中重要的一环，决定着电子基站的辐射范围和信号强度等关键因素。传统滤波器存在着体积大，损耗高，介电常数低等缺陷，无法满足5G通信的需求。由此，波导滤波器应运而生，它在相同的谐振频率下，材料的介电常数更高，体积更小。随着基站性能的不断提高，对滤波器的性能要求也越来越高，传统的波导滤波器多采用电感耦合的方式，难以满足对滤波器频段近端的抑制等特定电气性能要求，为解决这一问题，市场上出现了采用电容耦合的滤波器，如国际专利申请WO2018148905A1就公开了一种通过在块上设置通孔和导电隔断层实现谐振腔之间电容耦合的滤波器，但该方案需要额外设置导电隔断层，工序复杂，需使用额外的设备，成本高，又如中国专利技术专利CN111403872A就公开了一种无需设置导电隔断层即可实现电容耦合的介质滤波器，但该方案在匹配不同的电气性能时，是通过调整第一负耦合槽和/或第二负本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种滤波器，包括至少两个谐振器，每个谐振器包括由陶瓷材料制成的谐振器本体和位于所述谐振器本体上表面的调试孔，所述调试孔为盲孔，用于调试其所在的谐振器的谐振频率；所有所述谐振器本体构成滤波器本体，所述滤波器本体沿水平方向延伸，所述滤波器还包括：/n第一负耦合槽，所述第一负耦合槽开设于所述滤波器本体的上表面并向下延伸，所述第一负耦合槽为盲槽；/n第二负耦合槽，所述第二负耦合槽开设于所述滤波器本体的下表面并向上延伸，所述第二负耦合槽为盲槽，所述第二负耦合槽与所述第一负耦合槽相贯通；/n导电层，所述导电层覆盖在所述滤波器本体的表面、所述调试孔的内壁表面和所述第二负耦合槽的内壁表面；/n其特征在于：...

【技术特征摘要】
1.一种滤波器，包括至少两个谐振器，每个谐振器包括由陶瓷材料制成的谐振器本体和位于所述谐振器本体上表面的调试孔，所述调试孔为盲孔，用于调试其所在的谐振器的谐振频率；所有所述谐振器本体构成滤波器本体，所述滤波器本体沿水平方向延伸，所述滤波器还包括：
第一负耦合槽，所述第一负耦合槽开设于所述滤波器本体的上表面并向下延伸，所述第一负耦合槽为盲槽；
第二负耦合槽，所述第二负耦合槽开设于所述滤波器本体的下表面并向上延伸，所述第二负耦合槽为盲槽，所述第二负耦合槽与所述第一负耦合槽相贯通；
导电层，所述导电层覆盖在所述滤波器本体的表面、所述调试孔的内壁表面和所述第二负耦合槽的内壁表面；
其特征在于：
所述第一负耦合槽的内壁上设置有调试块，所述调试块的上表面位于所述第一负耦合槽在所述滤波器本体的上表面的开口区域内，所述调试块的下表面在所述滤波器本体下表面上的投影完全覆盖住所述第二负耦合槽在所述滤波器本体下表面上的投影，所述调试块的下表面与所述第一负耦合槽的槽底之间形成沿水平方向延伸的连通腔；
所述导电层还覆盖在所述第一负耦合槽的内壁表面和所述调试块的外壁表面，所述第一负耦合槽和所述调试块的结合面不覆盖所述导电层；
所述第一负耦合槽、所述第二负耦合槽、所述连通腔中至少有一个位于所述两个谐振器本体的连接位置，并连接所述两个谐振器，所述第一负耦合槽、所述第二负耦合槽、所述连通腔用于实现所述两个谐振器之间的电容耦合。


2.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述调试块与所述第一负耦合槽的结合面上设置有粘接层，所述粘接层用于将所述调试块固定在所述第一负耦合槽的内壁上并防止所述导电层进入。


3.根据权利要求2所...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱琦，孙旗，
申请(专利权)人：江苏灿勤科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32