一种基于金属有机框架衍生的三维空心花状钨酸钴超级电容器材料的制备制造技术

一种基于金属有机框架衍生的三维空心花状钨酸钴超级电容器材料的制备本发明专利技术属于电化学储能领域，具体涉及一种在泡沫镍上生长的三维空心花状CoWO

【技术实现步骤摘要】
一种基于金属有机框架衍生的三维空心花状钨酸钴超级电容器材料的制备
本专利技术涉及储能领域，特别涉及一种在泡沫镍上生长的三维空心花状CoWO4复合材料超级电容器电极材料的制备
技术介绍
超级电容器(SCs)以其突出的比容量、优越的功率密度和理想的循环周期等优点，成为一种具有广阔应用前景的稳定储能装置。另外,根据电荷储存方式，SCs可分为双电层电容器(EDLCs)和赝电容电容器(PCs)机制。由于具有赝电容特性的电极材料拥有高比电容和优异的能量密度，因此对其进行了一系列试验。此外，具有赝电容特性的金属氧化物具有显著的能量密度、丰富的可逆氧化还原反应和较高的理论比电容，如原始的Co3O4。王等人通过一种简单的方法制备了多孔的Co3O4纳米线，其表现出高的比电容(240Fg-1)手掌环状稳定性。屠等人在泡沫镍上合成了高比电容(754Fg-1)的Co3O4纳米线阵列，得到了一个三维的空心Co3O4纳米网络，相应的比电容为820Fg-1。Deori公司等人设计了六边形Co3O4纳米颗粒，具有476Fg-1比电容的显著特性，超高功率密度。不过氧化钴纳本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.3D-H CoWO

【技术特征摘要】
1.3D-HCoWO4/NF超级电容器电极材料的制备，其特征在于一种通过简单浸渍法、水热法在泡沫镍上制备ZIF-67衍生的三维空心花状CoWO4(3D-HCoWO4/NF)电极材料。


2.根据权利要求1所述的一种3D-HCoWO4/NF超级电容器电极材料的制备，其主要特征在于准备一定量的Co(NO3)2·6H2O和2-甲基咪唑分别溶解在一定体积的去离子水中，将经处理的泡沫镍浸渍在上述混合溶液中，去离子水对样品彻底清理，干燥。
所述基于3D-HCoWO4/NF超级电容器电极材料的制备过程中：
(1)Co(NO3)2·6H2O质量为0.291g，2-甲基咪唑质量为1.3236g去离子水40ml；
(2)泡沫镍预处理：将泡沫镍(4cm×1cm)分别在丙酮溶液和去离子水中超声清洗30min，然后在空气中干燥；
(3)浸渍时...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭立超，陈威文，马慧媛，
申请(专利权)人：哈尔滨理工大学，
类型：发明
国别省市：黑龙江;23