【技术实现步骤摘要】
相移掩模的制备方法
本专利技术涉及半导体
，特别是一种相移掩模的制备方法。
技术介绍
相移掩模可以使分辨率改善，其原理是通过掩模版上掩模图形的相邻透光区的光束，通过不带相移层区的光束和通过带相移层区光束之间产生180度相位差，使得硅片表面上相邻图形之间因相消干涉使暗区光强减弱，实现了同一光学系统下的倍增分辨率的提高，改善了边缘陡度和曝光量宽容度。现有技术中，采用湿式蚀刻进行大批量相移掩模制备中广泛使用的技术。一般地，在石英基板上阵列均匀分布多个掩模层，进行大批量制备。由于相干效应的干扰，掩模层的分布密度需保持足够小以避免相干作用的干扰，这不利于相移掩模的尺寸的形成且提高了生产成本。而提高掩模层的分布密度还存在以下问题，当密度增加后，湿式蚀刻更难以精确控制掩模层的边缘处的形状，使得相移掩模的垂直度不够，降低相移效果，另外，湿式蚀刻液渗入至光阻剂膜与铬掩模层之间，蚀刻速度快且在底部边缘处的厚度减少，也进一步降低相移效果。因此，采用湿式蚀刻进行大批量相移掩模制备中，本领域急需提高分布密度的同时，避免相干作用且...
【技术保护点】
1.一种相移掩模的制备方法，其包括如下步骤：/n提供第一厚度的透明基板，蚀刻所述透明基板形成具有第一厚度的第一基板表面和第二厚度的第二基板表面，第一厚度和第二厚度之间的差值使得照射第一基板表面的第一光束和照射第二基板表面的第二光束具有预定相位差；/n在氮气气氛下于第一基板表面和第二基板表面上分别溅射金属硅化物形成具有第三厚度的第一半透明层，其中，金属与硅的比值处于四分之一至八分之一之间，氮含量40原子％至45原子％，在氮气和氪气的混合气氛下于第一半透明层表面上溅射金属硅化物形成具有第四厚度的第二半透明层，其中，金属与硅的比值处于二分之一至四分之一之间，其氮含量低于第一半透明...
【技术特征摘要】
1.一种相移掩模的制备方法，其包括如下步骤：
提供第一厚度的透明基板，蚀刻所述透明基板形成具有第一厚度的第一基板表面和第二厚度的第二基板表面，第一厚度和第二厚度之间的差值使得照射第一基板表面的第一光束和照射第二基板表面的第二光束具有预定相位差；
在氮气气氛下于第一基板表面和第二基板表面上分别溅射金属硅化物形成具有第三厚度的第一半透明层，其中，金属与硅的比值处于四分之一至八分之一之间，氮含量40原子％至45原子％，在氮气和氪气的混合气氛下于第一半透明层表面上溅射金属硅化物形成具有第四厚度的第二半透明层，其中，金属与硅的比值处于二分之一至四分之一之间，其氮含量低于第一半透明层的氮含量且氮硅比值4至8之间，第三厚度小于第四厚度；
在氪气气氛下于第二半透明层表面上溅射铬化合物形成具有第五厚度的遮光层，在遮光层上涂布光刻胶层，曝光后冲洗形成预定宽度和预定间隙的光刻图案；
基于光刻图案湿式蚀刻遮光层形成遮光层图案，基于所述遮光层图案湿式蚀刻第一半透明层和第二半透明层形成半透明图案。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，第二半透明层和遮光层之间设有第六厚度的绝缘层，所述第六厚度小于第三厚度。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述遮光层和光刻胶层之间溅射第七厚度的...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：安徽省徽腾智能交通科技有限公司泗县分公司，
类型：发明
国别省市：安徽;34
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