三维高分辨电阻率勘探及直接成像方法技术

本发明专利技术公开了一种三维高分辨电阻率勘探及直接成像方法，主要内容是用单极－偶极装置在全测区形成相互交错的正交观测系统；应用该三维高分辨电阻率勘探及直接成像方法可以克服现有二维高分辨电阻率勘探方法由于旁侧效应引起的洞道定位不准，和洞道形状不确定的问题。较一般的三维高密度电阻率勘探对地下洞道的敏感性高，真正实现了对地下分析分辨单元的多次覆盖测量，因而具有较强的抗干扰和剔除静态偏移的能力，易于实现测区的滚动测量和无缝衔接。三维直接成像方法快速、有效，无不易收敛的问题。该方法可以获得更精确的地下洞道的位置、大小和形状的信息，对于研究浅层精细地质结构有重要意义。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于地质勘探领域，具体是涉及一种。
技术介绍
为了满足对浅层精细地质结构的探测需求，发展了高密度电阻率法(Griffiths D H，Barker R D.Two-dimensional resistivity imaging and modeling in areas of complex geology.Journal of Applied Geophysics，1993，29211～226)。该方法沿测线采用较小的电极极距、较高密度的电极排列，如温纳装置，施仑贝尔装置，偶极-偶极、单极-单极、联合剖面、中间梯度等装置进行阵列式观测，然后进行反演拟合成像。在小极距、高密度的探测方法中，采用了单极-偶极装置的高分辨电阻率法(Oven T E.Detection and mapping of tunnels andcaves.in Fitch A A(ed.)，Developments in Geophysical Exploration Methods-5，London and NewYorkApplied Science Publishers，1983161本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三维高分辨电阻率勘探及直接成像方法，包括勘探方法和直接成像两部分，其特征在于：　所说的勘探方法是：　１）、在测区内设置均匀的正方形或矩形网格测点；　２）、在上述测点中以横向与纵向间隔小于最大探测深度的二分之一的距离确定供电电极Ａ↓［ｉ］的位置；　３）、无穷远极Ｂ↓［ｉ］与对应的供电电极Ａ↓［ｉ］的距离大于５～１０倍的最大探测深度，或者几个供电电极共用一个无穷远极Ｂ↓［ｊ］，或者当测区面积较小时，所有的供电电极共用一个无穷远极Ｂ，只要保证无穷远极离最近的供电电极的距离大于５～１０倍最大探测深度即可；　４）、在各测点放置测量电极ＭＮ；　５）、依次向各供电电极供电，与各供电电极有关的测量电极是以...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：闫述，
申请(专利权)人：江苏大学，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]