中抛方法技术

本发明专利技术涉及一种中抛方法，该中抛方法通过将待抛光面为非圆周面的待抛光件固定于抛光治具的固定机构上，且待抛光件需要增大磨削量的面靠近立柱，减小不同面之间的磨削程度的差异，从而使得待抛光面为非圆周面的待抛光件的各个被抛光的面在抛光过程中受到的摩擦阻力均匀、磨削程度相差小而抛光均匀，提高生产良率。

【技术实现步骤摘要】
中抛方法
本专利技术涉及抛光
，特别是涉及一种中抛方法。
技术介绍
随着人们生活水平的提高，电子产品(例如手机、笔记本电脑)已成为人们物质生活不可缺少的一部分，而含有金属结构件的电子产品，由于其特有的金属质感而受到消费者青睐。一般地，金属结构件由金属经过锻压或冲压成型，然而经过锻压或冲压形成的金属结构件表面往往存在毛剌、划痕、砂眼等肉眼可见的缺陷，也不具光亮的金属光泽感或镜面效果。所以，在金属结构件成型之后一般需要对其表面进行抛光处理。抛光一般包括粗抛、中抛和精抛。粗抛、中抛和精抛是三种不同的工序，各自具有其对应的应用场景：粗抛是用粗抛光磨料或硬轮对工件表面进行磨削或研磨，主要用来除去零件表面的毛剌、刀痕、锈痕、砂眼、气泡、焊瘤、焊渣等宏观缺陷；中抛主要是除去粗抛时留下的划痕，产生平滑、中等光亮的表面效果；精抛在中抛后，可以进一步降低表面的粗糙度，达到微观平整、镜面效果。传统的中抛一般是在驱动抛光轮转动而待抛光件不动的抛光机中进行，受限于抛光轮与待抛光件之间的位置和角度关系，容易出现无法抛光的死角。近年来出现了一种运用流体抛光机的中抛技术：通过将待抛光件置于承装有中抛研磨料的流体抛光机中，在流体抛光机的驱动组件的驱使下使得待抛光件与中抛研磨料发生相对运动，从而使得待抛光件被抛光。在使用流体抛光机进行中抛时，由于中抛研磨料呈流体形态，容易使待抛光件的各个地方都被抛光，不容易出现抛光死角。对于待抛光面为圆周面的待抛光件，由于待抛光件在驱动组件的作用下沿其中心轴旋转，待抛光面能被中抛研磨料均匀抛光。然而，对于待抛光面为非圆周面的待抛光件，例如手机中框，待抛光面为四个矩形面围成的矩形周面，通过流体抛光机直接中抛之后，容易出现只有一部分被抛光的面符合中抛标准，良率较低。虽然可以通过不断地调整待抛光件的位置来使得各个面之间的抛光均匀性，提高良率，但这种方式的生产成本高。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种中抛方法，按照该方法对待抛光面为非圆周面的待抛光件进行中抛时，良率高且生产成本较低。一种中抛方法，其特征在于，包括以下步骤：将研磨料置于物料槽中，其中，所述研磨料的原料包括核桃砂和中抛添加剂，所述核桃砂的粒径为0.56mm～1.06mm，以体积份数计，所述中抛添加剂包括7份～10份的植物油、54份～60份的中抛液和30份～39份的溶剂，所述中抛液包括氧化铝颗粒、润滑剂和水，所述氧化铝颗粒的粒径在0.5μm以上且小于1μm；所述中抛添加剂的体积与所述核桃砂的质量之比为1L：(150kg～175kg)；将待抛光件装载入抛光治具后，置于所述物料槽中，其中，所述抛光治具包括固定机构、旋转轴和立柱，所述待抛光件的待抛光面为非圆周面，所述待抛光件被固定于所述固定结构中，且所述待抛光面中需要增大磨削程度的面靠近所述立柱；及驱动所述旋转轴旋转，以使所述待抛光件随所述旋转轴旋转而被所述研磨料抛光。对于待抛光面为圆周面的工件，圆周面上所有点到旋转轴的垂直距离均相等，圆周面受到的摩擦阻力相同，因此，采用流体抛光机抛光的效果是均匀的。然而，对于待抛光面为非圆周面的工件，在需要抛光的多个面中至少有一个面到旋转轴的距离与其他面到旋转轴的距离不等，使得至少一个面受到的摩擦阻力与其他面受到的摩擦阻力不同而受到不同的磨削，进而造成抛光不均匀。例如手机中框，在需要被抛光的顶面、两个侧面及底面中，顶面和底面到旋转轴的距离与侧面到旋转轴的距离不等(顶面和底面到旋转轴的距离大于侧面到旋转轴的距离)，使得顶面和底面的摩擦阻力与两个侧面受到的摩擦阻力不等，从而使得顶面和侧面在旋转过程中受到的磨削程度不同而抛光程度不同，在同一条件下无法对所有面抛光均匀，进而使得一部分被抛光的面符合中抛标准，而另一部分不符合中抛标准，中抛的良率低。上述中抛方法通过将待抛光件固定于抛光治具的固定机构上，且待抛光件需要增大磨削量的面靠近立柱，减小不同面之间的磨削程度的差异，从而使得待抛光面为非圆周面的待抛光件的各个被抛光的面在中抛过程中受到的摩擦阻力均匀、磨削程度相差小而抛光均匀，提高了生产良率，且不必在中抛过程中不断地调整待抛光件的位置，生产效率高、成本低；此外，通过对中抛研磨料的优化选择，采用包括粒径为0.56mm～1.06mm的核桃砂和中抛添加剂的研磨料，使得中抛能在较短的时间内完成且效果较好，进一步提高了中抛的生产效率。在其中一个实施例中，所述固定机构包括第一固定件和与所述第一固定件间隔且相对设置的第二固定件，所述第二固定件具有承载面，所述旋转轴位于所述第一固定件上并向远离所述第二固定件的方向延伸，所述立柱位于所述第一固定件和所述第二固定件之间，所述立柱与所述第一固定件和所述第二固定件均连接，所述立柱在所述承载面的正投影与所述旋转轴在所述承载面的正投影间隔，所述待抛光件被固定于所述第一固定件和所述第二固定件间。在其中一个实施例中，所述抛光治具具有安装面，所述安装面朝向所述承载面，在静态条件下，所述研磨料在所述物料槽中的高度与所述安装面到所述物料槽的槽底的距离的差为5cm～10cm。在其中一个实施例中，所述旋转轴的旋转频率为35Hz～55Hz，所述旋转轴正反向交替旋转，所述正反向交替旋转的时间间隔为1min～10min。在其中一个实施例中，在所述将研磨料置于物料槽中的步骤之前，还包括制备研磨料的步骤，所述制备研磨料的步骤包括：在将所述核桃砂置于物料槽中后，将所述中抛添加剂置于所述物料槽中；及用空载的所述抛光治具将所述物料槽中的核桃砂和中抛添加剂混合均匀。在其中一个实施例中，所述立柱有两根，两根所述立柱以所述旋转轴为对称轴间隔设置，所述待抛光面为矩形周面，所述待抛光面具有两个到所述旋转轴的距离较短的侧面，将所述待抛光件装载入抛光治具的步骤包括：将所述待抛光件固定于固定机构中，并使所述待抛光件的待抛光面的到所述旋转轴的距离较短的侧面朝向所述立柱。在其中一个实施例中，在所述驱动所述旋转轴旋转的步骤之后，还包括检查固定于所述固定机构上的待抛光件的中抛程度，并根据所述待抛光件的中抛程度判断是否继续抛光的步骤。在其中一个实施例中，所述检查固定于所述固定机构上的待抛光件的中抛程度，并根据所述待抛光件的中抛程度判断是否继续抛光的步骤包括：暂停旋转轴旋转；及将所述固定机构上的待抛光件取下，并置于在800LUX～1000LUX光源下检查，若所述待抛光件表面无粗抛划痕，则停止抛光；若所述待抛光件表面有粗抛划痕，则将所述待抛光件重新装载入所述抛光治具后继续抛光。在其中一个实施例中，所述立柱与第二固定件固接，所述立柱与所述第一固定件活动连接，所述立柱靠近所述第一固定件的一端具有螺纹，且靠近所述螺纹处套设有与所述螺纹相匹配的螺母，所述将待抛光件装载入抛光治具中的步骤包括：将所述待抛光件置于所述第一固定件和所述第二固定件之间；及旋转所述螺母，使得所述螺母向靠近所述第二固定件的方向运动，以将所述抛光件固定于所述第一固定件和所述第二固定件之间。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种中抛方法，其特征在于，包括以下步骤：/n将研磨料置于物料槽中，其中，所述研磨料的原料包括核桃砂和中抛添加剂，所述核桃砂的粒径为0.56mm～1.06mm，以体积份数计，所述中抛添加剂包括7份～10份的植物油、54份～60份的中抛液和30份～39份的溶剂，所述中抛液包括氧化铝颗粒、润滑剂和水，所述氧化铝颗粒的粒径在0.5μm以上且小于1μm；所述中抛添加剂的体积与所述核桃砂的质量之比为1L：(150kg～175kg)；/n将待抛光件装载入抛光治具后，置于所述物料槽中，其中，所述抛光治具包括固定机构、旋转轴和立柱，所述待抛光件的待抛光面为非圆周面，所述待抛光件被固定于所述固定结构中，且所述待抛光面中需要增大磨削程度的面靠近所述立柱；及/n驱动所述旋转轴旋转，以使所述待抛光件随所述旋转轴旋转而被所述研磨料抛光。/n

【技术特征摘要】
1.一种中抛方法，其特征在于，包括以下步骤：
将研磨料置于物料槽中，其中，所述研磨料的原料包括核桃砂和中抛添加剂，所述核桃砂的粒径为0.56mm～1.06mm，以体积份数计，所述中抛添加剂包括7份～10份的植物油、54份～60份的中抛液和30份～39份的溶剂，所述中抛液包括氧化铝颗粒、润滑剂和水，所述氧化铝颗粒的粒径在0.5μm以上且小于1μm；所述中抛添加剂的体积与所述核桃砂的质量之比为1L：(150kg～175kg)；
将待抛光件装载入抛光治具后，置于所述物料槽中，其中，所述抛光治具包括固定机构、旋转轴和立柱，所述待抛光件的待抛光面为非圆周面，所述待抛光件被固定于所述固定结构中，且所述待抛光面中需要增大磨削程度的面靠近所述立柱；及
驱动所述旋转轴旋转，以使所述待抛光件随所述旋转轴旋转而被所述研磨料抛光。


2.根据权利要求1所述的中抛方法，其特征在于，所述固定机构包括第一固定件和与所述第一固定件间隔且相对设置的第二固定件，所述第二固定件具有承载面，所述旋转轴位于所述第一固定件上并向远离所述第二固定件的方向延伸，所述立柱位于所述第一固定件和所述第二固定件之间，所述立柱与所述第一固定件和所述第二固定件均连接，所述立柱在所述承载面的正投影与所述旋转轴在所述承载面的正投影间隔，所述待抛光件被固定于所述第一固定件和所述第二固定件间。


3.根据权利要求2所述的中抛方法，其特征在于，所述抛光治具具有安装面，所述安装面朝向所述承载面，在静态条件下，所述研磨料在所述物料槽中的高度与所述安装面到所述物料槽的槽底的距离的差为5cm～10cm。


4.根据权利要求1所述的中抛方法，其特征在于，所述旋转轴的旋转频率为35Hz～55Hz，所述旋转轴正反向交替旋转，所述正反向交替旋转的时间间隔为1min～10min。


5.根据权利要求1～4任一项所述的中抛方法，其特征在于，在所述将研磨料置于物料槽中的步骤之前，还包括制备研磨料的步骤，所述制备研磨料的步骤包括：
在将所述核桃砂置于物料槽中后，将所述中抛添加剂置于所述物料槽中；及
用空载的所述抛光治具将所述物料槽中的核桃砂和中抛添加剂混...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘平，苏禹宾，张举，王绍哲，
申请(专利权)人：广东长盈精密技术有限公司，深圳市长盈精密技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44