【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于确定天然气热容量的传感器
本专利技术涉及一种用于确定天然气的热容量的传感器装置。本专利技术的另外的方面涉及一种传感器系统,该传感器系统包括气体流量传感器和用于确定天然气的热容量的传感器装置。其他方面涉及用于操作传感器装置的相应方法和相应的计算机程序产品。
技术介绍
US2014/0208830描述了一种气体传感器,该气体传感器具有跨越硅基板中的开口的膜。该膜形成热板并具有集成的钨加热器。此外,通过介电层与钨加热器隔开的铂层形成电极,所述电极用于测量感测材料贴片的电阻。使用热膜传感器测量流体的热导率,例如为在WO0118500A1或在EP1426740B1中所述。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种用于测量天然气的热性质的传感器。根据本专利技术的第一方面的实施例,提供了一种用于确定天然气的热容量的传感器装置。该传感器装置包括:基板;设置在基板中的凹部或开口;第一加热部件和第一感测部件,这两者都延伸跨过所述凹部或开口;以及控制电路。第一加热部件包括第一加热结构和温度传感器,并且第一感测部件包括温度传感器。传感器装置被配置成:在第一测量步骤,将第一加热结构加热至第一加热温度,并在第一测量步骤,通过第一感测部件的温度传感器来测量第一感测部件处的与第一加热结构的加热有关的温度变化,从而在第一测量温度处对天然气的热导率进行测量。传感器装置还被配置成:在第二测量步骤,将第一加热结构加热至第二加热温度,并在第二测量步骤,通过第一感测部件的温度传感器来测量第一感测部件处的与第一加热 ...
【技术保护点】
1.一种用于确定天然气的热容量的传感器装置,所述传感器装置包括:/n基板(1);/n设置在所述基板(1)中的凹部或开口(2);/n延伸跨过所述凹部或开口(2)的第一加热部件(11)和第一感测部件(31);和/n控制电路(4a、4b);其中,/n所述第一加热部件(11)包括第一加热结构(21)和温度传感器(TS1);以及/n所述第一感测部件(31)包括温度传感器(TS2);其中,/n所述传感器装置被配置成:/n在第一测量步骤处,将第一加热结构(21)加热到第一加热温度;/n在所述第一测量步骤处,通过所述第一感测部件(31)的所述温度传感器(TS2)来测量在所述第一感测部件(31)处的与所述第一加热结构(21)的加热有关的温度变化,从而在第一测量温度处对所述天然气的热导率进行测量;/n在第二测量步骤处,将所述第一加热结构(21)加热到第二加热温度,所述第二加热温度不同于所述第一加热温度;/n在所述第二测量步骤处,通过所述第一感测部件(31)的所述温度传感器(TS2)来测量在所述第一感测部件处的与所述第一加热结构(21)的加热有关的温度变化,从而在第二测量温度处对所述天然气的热导率进行测量; ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180430 EP 18170159.01.一种用于确定天然气的热容量的传感器装置,所述传感器装置包括:
基板(1);
设置在所述基板(1)中的凹部或开口(2);
延伸跨过所述凹部或开口(2)的第一加热部件(11)和第一感测部件(31);和
控制电路(4a、4b);其中,
所述第一加热部件(11)包括第一加热结构(21)和温度传感器(TS1);以及
所述第一感测部件(31)包括温度传感器(TS2);其中,
所述传感器装置被配置成:
在第一测量步骤处,将第一加热结构(21)加热到第一加热温度;
在所述第一测量步骤处,通过所述第一感测部件(31)的所述温度传感器(TS2)来测量在所述第一感测部件(31)处的与所述第一加热结构(21)的加热有关的温度变化,从而在第一测量温度处对所述天然气的热导率进行测量;
在第二测量步骤处,将所述第一加热结构(21)加热到第二加热温度,所述第二加热温度不同于所述第一加热温度;
在所述第二测量步骤处,通过所述第一感测部件(31)的所述温度传感器(TS2)来测量在所述第一感测部件处的与所述第一加热结构(21)的加热有关的温度变化,从而在第二测量温度处对所述天然气的热导率进行测量;
确定所述热导率的温度依赖函数的第一温度系数和第二温度系数,所述第一温度系数特别地是恒定温度系数,所述第二温度系数特别地是线性温度系数;以及
基于拟合函数来确定所述天然气的热容量,其中,所述拟合函数依赖于所述第一温度系数和所述第二温度系数。
2.根据权利要求1所述的传感器装置,所述传感器装置被配置成:
在第三测量步骤处,将所述第一加热结构(21)加热到第三加热温度;
在所述第三测量步骤处,通过所述第一感测部件(31)的所述温度传感器(TS2)来测量在所述第一感测部件处的与所述第一加热结构(21)的加热有关的温度变化,从而在第三测量温度处对所述天然气的热导率的进行测量;以及
根据所述第一测量步骤、所述第二测量步骤和所述第三测量步骤来确定所述热导率的所述温度依赖函数的所述第一温度系数、所述第二温度系数和第三温度系数,所述第三温度系数特别地是二次温度系数,其中,所述拟合函数依赖于所述第一温度系数、所述第二温度系数和所述第三温度系数。
3.根据权利要求1或2所述的传感器装置,所述传感器装置还被配置成:
通过对所述第一加热部件(11)的所述温度传感器(TS1)的温度测量来补偿所述第一加热结构(21)的漂移。
4.根据前述权利要求中的任一项所述的传感器装置,其中,所述第一加热部件(11)是锚定在所述基板(2)中的第一加热桥,并且所述第一感测部件(31)是锚定在所述基板(1)中的第一感测桥。
5.根据权利要求4所述的传感器装置,其中,所述传感器装置包括第二加热桥(12),所述第二加热桥包括第二加热结构(22)和温度传感器(TS4),其中,所述第一感测桥(31)布置在所述第一加热桥(11)和所述第二加热桥(12)之间,特别地,所述第一感测桥(31)居中地布置在所述第一加热桥和所述第二加热桥之间。
6.根据权利要求4或权利要求5所述的传感器装置,其中,所述传感器装置包括第二感测桥(32),所述第二感测桥包括温度传感器(TS3),其中,所述第二感测桥(32)被布置在距所述第一加热桥(11)的一距离处,其中所述第二感测桥(32)距所述第一加热桥(11)的距离不同于距所述第一感测桥(31)的距离。
7.根据权利要求5所述的传感器装置,所述传感器装置还包括第三加热桥(13),所述第三加热桥包括第三加热结构(23)和温度传感器(TS5);以及
第二感测桥(32),所述第二感测桥包括温度传感器(TS3);其中,所述第二感测桥(32)布置在所述第二加热桥(12)和所述第三加热桥(13)之间。
8.根据前述权利要求中的任一项所述的传感器装置,其中,所述传感器装置包括壳体(50),并且其中,所述壳体(50)包括排放介质(51),所述排放介质(51)被构造成允许与所述传感器装置的周围环境进行扩散流体交换。
9.根据权利要求4至8中的任一项所述的传感器装置,其中,所述第一感测桥(31)的所述温度传感器和/或所述第二感测桥(32)的所述温度传感器被实施为热电堆元件或电阻元件;和/或
所述第一加热桥(11)的所述温度传感器、所述第二加热桥(12)的所述温度传感器和/或所述第三加热桥(13)的所述温度传感器被实施为电阻元件或热电堆元件;并且特别地其中,所述第一加热桥的所述温度传感器、所述第二加热桥的所述温度传感器和/或所述第三加热桥的所述温度传感器、以及/或者所述第一感测桥的所述温度传感器和所述第二感测桥的所述温度传感器是相同的类型。
10.根据权利要求4至9中的任一项所述的传感器装置,其中,所述传感器装置被配置成执行校准过程,所述校准过程包括:
使所述拟合函数适于所述第一加热桥(11)、...
【专利技术属性】
技术研发人员:马克·霍尔农,安德烈亚斯·吕埃格,大卫·基利亚尼,尼古拉斯·穆勒,
申请(专利权)人:盛思锐股份公司,
类型:发明
国别省市:瑞士;CH
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