薄膜太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种薄膜太阳能电池及其制备方法，包括：衬底；背电极，设置在衬底上；铜铟镓硒光吸收层，设置在背电极上；增效层，设置在铜铟镓硒光吸收层上；前电极，设置在增效层上。其中，增效层由最低未占分子轨道能级为4.0‑5.0eV且带隙大于铜铟镓硒光吸收层的带隙的无毒材料制成。本发明专利技术的薄膜太阳能电池不排放镉污染物，进而可以避免其破坏环境。

【技术实现步骤摘要】
薄膜太阳能电池及其制备方法
本专利技术属于光伏
，具体涉及一种薄膜太阳能电池及该薄膜太阳能电池的制造方法。
技术介绍
与传统晶硅电池相比，薄膜太阳能电池的重量轻、超薄、可弯曲、可粘贴，还具有相同功率发电量可提升10％以上、温差影响系数低等技术先进性。现目前，主流的薄膜太阳能电池包含层叠布置的衬底、背电极、铜铟镓硒光吸收层、缓冲层和前电极。其中，缓冲层主要由CdS(硫化镉)制成，其有提高薄膜太阳能电池的光电转换效率的作用，但却因为缓冲层包含了有毒的重金属镉，导致该薄膜太阳能电池在生产过程中难以避免镉污染物的排放，进而破坏环境。
技术实现思路
为了解决上述全部或部分问题，本专利技术的目的是提供一种薄膜太阳能电池及该薄膜太阳能电池的制造方法，其解决了镉污染物破坏环境的问题。本专利技术第一方面提供的薄膜太阳能电池，包括：衬底；背电极，设置在所述衬底上；铜铟镓硒光吸收层，设置在所述背电极上；增效层，设置在所述铜铟镓硒光吸收层上；前电极，设置在所述增效层上；其中，所述增效层由最低未占分子轨道能级为4.0-5.0eV且带隙大本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种薄膜太阳能电池，包括：/n衬底：/n背电极，设置在所述衬底上；/n铜铟镓硒光吸收层，设置在所述背电极上；/n增效层，设置在所述铜铟镓硒光吸收层上；/n前电极，设置在所述增效层上；/n其中，所述增效层由最低未占分子轨道能级为4.0-5.0eV且带隙大于所述铜铟镓硒光吸收层的带隙的无毒材料制成。/n

【技术特征摘要】
1.一种薄膜太阳能电池，包括：
衬底：
背电极，设置在所述衬底上；
铜铟镓硒光吸收层，设置在所述背电极上；
增效层，设置在所述铜铟镓硒光吸收层上；
前电极，设置在所述增效层上；
其中，所述增效层由最低未占分子轨道能级为4.0-5.0eV且带隙大于所述铜铟镓硒光吸收层的带隙的无毒材料制成。


2.根据权利要求1所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述增效层由足球烯制成。


3.根据权利要求2所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述增效层的厚度为5-10nm。


4.根据权利要求1到3中任一项所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述衬底可为玻璃、不锈钢或聚酰亚胺。


5.根据权利要求1到3中任一项所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，所述背电极的材料为钼。

【专利技术属性】
技术研发人员：郭凯，张传升，赵剑，吴华，韩青树，
申请(专利权)人：重庆神华薄膜太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆;50