【技术实现步骤摘要】
能减小对远端电磁辐射的集成电感及集成电路
本专利技术涉及半导体领域。更具体地说,本专利技术涉及一种能减小对远端电磁辐射的集成电感及集成电路。
技术介绍
在集成电路中包含了大量的无源器件,片上电感就是其中十分重要的一种,片上电感是射频CMOS集成电路的重要元件之一。在通常的无线产品中,电感元件对总的射频性能有很重要的影响,尤其对于其他电路会产生辐射影响。因此对这些电感元件的设计和分析也得到了广泛的研究。电感作为射频电路的核心部件,它通常可以影响到整个电路的整体性能。目前,高品质因数的片上电感广泛应用在VCO,低噪声放大器等射频电路模块中。随着CMOS技术的工艺节点越来越小,电感辐射对其他电路的影响也变得越来越关键。在射频收发器中,多个VCO会产生相互影响,对其他电路也会产生影响,如何减小甚至消除这些影响是本专利技术欲解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是解决至少上述问题,并提供至少后面将说明的优点。本专利技术还有一个目的是提供一种能减小对远端电磁辐射的集成电感及集成电路,本专利技术设计了 ...
【技术保护点】
1.能减小对远端电磁辐射的集成电感,其特征在于,包括:/n导线一、导线二和四根导线三,所述导线一和导线二相互交叉且所述导线一和导线二重叠处设置有第一隔离层,所述导线一的每端通过两导线三分别与所述导线二的两端连接,以使导线一、导线二和四根导线三围成四个并联的第一电感线圈H1、H2、H3、H4,四个第一电感线圈围成区域的形状和面积均相同。/n
【技术特征摘要】
1.能减小对远端电磁辐射的集成电感,其特征在于,包括:
导线一、导线二和四根导线三,所述导线一和导线二相互交叉且所述导线一和导线二重叠处设置有第一隔离层,所述导线一的每端通过两导线三分别与所述导线二的两端连接,以使导线一、导线二和四根导线三围成四个并联的第一电感线圈H1、H2、H3、H4,四个第一电感线圈围成区域的形状和面积均相同。
2.如权利要求1所述的能减小对远端电磁辐射的集成电感,其特征在于,所述导线三呈圆弧形连接在所述导线一和导线二间。
3.如权利要求1所述的能减小对远端电磁辐射的集成电感,其特征在于,所述导线三呈折线连接在所述导线一和导线二间,且导线一、导线二和四根导线三围成至少六条边以上的多边形。
4.如权利要求1所述的能减小对远端电磁辐射的集成电感,其特征在于,还包括:
至少一组导线四,每组包含四根导线四,所述导线四也连接于所述导线一的端部与导线二的端部间,且导线一、导线二和至少一组导线四围成至少一组第二电感线圈,每组包含并联的四个第二电感线圈,四个第二电感线圈围成区域的形状和面积均相同,每组中的四个第二电感线圈分别对应设置在四个第一电感线圈外围或...
【专利技术属性】
技术研发人员:侯卫兵,雷伟龙,
申请(专利权)人:北京力通通信有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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