能减小对远端电磁辐射的集成电感及集成电路制造技术

本发明专利技术公开了一种能减小对远端电磁辐射的集成电感，其包括：四个紧靠一起的环形一体化电感，四个环形按照一定顺序相互并联，这样这四个紧靠一起的环形电感磁场方向相邻相反。具体为导线一、导线二和四根导线三，所述导线一和导线二相互交叉且所述导线一和导线二重叠处设置有第一隔离层，所述导线一的每端通过两导线三分别与所述导线二的两端连接，以使导线一、导线二和四根导线三围成四个并联的电感线圈H1、H2、H3、H4，四个电感围成区域的形状和面积均相同。本发明专利技术大大减小了集成电感整体对远端的电磁辐射，因而减小了对其他VCO的影响；另外，可以制造出较小值电感，提高VCO的工作频率上限范围，减小相噪，提升Q值。

【技术实现步骤摘要】
能减小对远端电磁辐射的集成电感及集成电路
本专利技术涉及半导体领域。更具体地说，本专利技术涉及一种能减小对远端电磁辐射的集成电感及集成电路。
技术介绍
在集成电路中包含了大量的无源器件，片上电感就是其中十分重要的一种，片上电感是射频CMOS集成电路的重要元件之一。在通常的无线产品中，电感元件对总的射频性能有很重要的影响，尤其对于其他电路会产生辐射影响。因此对这些电感元件的设计和分析也得到了广泛的研究。电感作为射频电路的核心部件，它通常可以影响到整个电路的整体性能。目前,高品质因数的片上电感广泛应用在VCO，低噪声放大器等射频电路模块中。随着CMOS技术的工艺节点越来越小，电感辐射对其他电路的影响也变得越来越关键。在射频收发器中，多个VCO会产生相互影响，对其他电路也会产生影响，如何减小甚至消除这些影响是本专利技术欲解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是解决至少上述问题，并提供至少后面将说明的优点。本专利技术还有一个目的是提供一种能减小对远端电磁辐射的集成电感及集成电路，本专利技术设计了四个紧靠在一起的环形一体化电感，四个环形一体化电感按照一定顺序相互并联，这样这四个紧靠一起的环形一体化电感磁场方向相邻的两个相反，通过设计四个紧靠一起的形一体化电感，对远端电路的辐射影响就会相互抵消，大大减小了能减小对远端电磁辐射的集成电感整体对远端的电磁辐射，因而减小了对其他VCO的影响；另外，可以制造出较小值电感，提高VCO的工作频率上限范围，减小相噪，提升Q值。为了实现根据本专利技术的这些目的和其它优点，提供了一种能减小对远端电磁辐射的集成电感，其特征在于，包括：导线一、导线二和四根导线三，所述导线一和导线二相互交叉且所述导线一和导线二重叠处设置有第一隔离层，所述导线一的每端通过两导线三分别与所述导线二的两端连接，以使导线一、导线二和四根导线三围成四个并联的第一电感线圈H1、H2、H3、H4，四个第一电感线圈围成区域的形状和面积均相同。优选的是，所述导线三呈圆弧形连接在所述导线一和导线二间。优选的是，所述导线三呈折线连接在所述导线一和导线二间，且导线一、导线二和四根导线三围成至少六条边以上的多边形。优选的是，所述集成电感还包括：至少一组导线四，每组包含四根导线四，所述导线四也连接于所述导线一的端部与导线二的端部间，且导线一、导线二和至少一组导线四围成至少一组第二电感线圈，每组包含并联的四个第二电感线圈，四个第二电感线圈围成区域的形状和面积均相同，每组中的四个第二电感线圈分别对应设置在四个第一电感线圈外围或者内部，不同组的第二电感线圈围成的区域面积逐渐增大或者逐渐减小。本专利技术还提供一种应用上述的能减小对远端电磁辐射的集成电感制成的第一集成电感，所述第一集成电感由多个上述能减小对远端电磁辐射的集成电感在同一平面串联而成。本专利技术还提供一种应用上述的能减小对远端电磁辐射的集成电感制成的第二集成电感，所述第二集成电感由多个上述能减小对远端电磁辐射的集成电感重叠串联制成，且相邻两能减小对远端电磁辐射的集成电感间设置有第二隔离层。本专利技术还提供一种应用上述的能减小对远端电磁辐射的集成电感制成的第三集成电感，所述第三集成电感由多个上述的能减小对远端电磁辐射的集成电感在同一平面串联而成。本专利技术还提供一种应用上述的能减小对远端电磁辐射的集成电感制成的第四集成电感，所述第四集成电感由多个上述的能减小对远端电磁辐射的集成电感重叠串联制成，且相邻两能减小对远端电磁辐射的集成电感间设置有第三隔离层。本专利技术还提供一种包含上述的能减小对远端电磁辐射的集成电感的集成电路。本专利技术至少包括以下有益效果：本专利技术设计了四个紧靠在一起的环形一体化电感，四个环形一体化电感按照一定顺序相互并联，这样这四个紧靠一起的环形一体化电感的磁场方向相邻的两个相反，通过设计四个紧靠一起的环形一体化电感，对远端电路的辐射影响就会相互抵消，大大减小了能减小对远端电磁辐射的集成电感整体对远端的电磁辐射，因而减小了对其他VCO的影响。宏观上就像其中一个的辐射进入相邻一个，互感形成闭环，泄露很少。另外，上述能减小对远端电磁辐射的集成电感通过四个环形一体化电感并联减小了电感值，可提高VCO的工作频率上限范围，减小相噪，提升Q值。本专利技术的其它优点、目标和特征将部分通过下面的说明体现，部分还将通过对本专利技术的研究和实践而为本领域的技术人员所理解。附图说明图1为本专利技术其中一实施例所述能减小对远端电磁辐射的集成电感的第一种结构示意图；图2为本专利技术其中一实施例所述能减小对远端电磁辐射的集成电感设置接线端后的结构示意图；图3为本专利技术其中一实施例所述能减小对远端电磁辐射的集成电感的第二种结构示意图；图4为本专利技术其中一实施例所述能减小对远端电磁辐射的集成电感的第三种结构示意图图5为本专利技术其中另一实施例所述能减小对远端电磁辐射的集成电感的第一种结构示意图；图6为本专利技术其中另一实施例所述能减小对远端电磁辐射的集成电感的第二种结构示意图；图7为本专利技术其中一实施例所述第一集成电感的结构示意图；图8为本专利技术其中一实施例所述第二集成电感的结构示意图；图9为本专利技术其中一实施例所述第三集成电感的结构示意图；图10为本专利技术其中一实施例所述第四集成电感的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。需要说明的是，下述实施方案中所述实验方法，如无特殊说明，均为常规方法，所述试剂和材料，如无特殊说明，均可从商业途径获得；在本专利技术的描述中，术语“横向”、“纵向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，并不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。如图1～4所示，本专利技术提供一种能减小对远端电磁辐射的集成电感，其包括：导线一1、导线二2和四根导线三3，所述导线一1和导线二2相互交叉且所述导线一1和导线二2重叠处设置有第一隔离层，所述导线一1的每端通过两导线三3分别与所述导线二2的两端连接，以使导线一1、导线二2和四根导线三3围成四个并联的第一电感线圈H1、H2、H3、H4，四个第一电感线圈围成区域的形状和面积均相同；如图2所示，这里为了方便上述能减小对远端电磁辐射的集成电感使用，故在所述导线一1的一端设置了第一接线端4，在所述导线二2的一端设置了第二接线端5，实际上也可不设置第一接线端4和第二接线端5，使用时直接通过导线一1的一端和所述导线二2的一端将上述能减小对远端电磁辐射的集成电感接入电路中。这里导线3可以围成平滑的圆弧形，使第一电感线圈围成区域的形状为不规则环形，如图1～2所示；导线3也可以围成折线形，使第一电感线圈围成区域的形状为多边形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.能减小对远端电磁辐射的集成电感，其特征在于，包括：/n导线一、导线二和四根导线三，所述导线一和导线二相互交叉且所述导线一和导线二重叠处设置有第一隔离层，所述导线一的每端通过两导线三分别与所述导线二的两端连接，以使导线一、导线二和四根导线三围成四个并联的第一电感线圈H1、H2、H3、H4，四个第一电感线圈围成区域的形状和面积均相同。/n

【技术特征摘要】
1.能减小对远端电磁辐射的集成电感，其特征在于，包括：
导线一、导线二和四根导线三，所述导线一和导线二相互交叉且所述导线一和导线二重叠处设置有第一隔离层，所述导线一的每端通过两导线三分别与所述导线二的两端连接，以使导线一、导线二和四根导线三围成四个并联的第一电感线圈H1、H2、H3、H4，四个第一电感线圈围成区域的形状和面积均相同。


2.如权利要求1所述的能减小对远端电磁辐射的集成电感，其特征在于，所述导线三呈圆弧形连接在所述导线一和导线二间。


3.如权利要求1所述的能减小对远端电磁辐射的集成电感，其特征在于，所述导线三呈折线连接在所述导线一和导线二间，且导线一、导线二和四根导线三围成至少六条边以上的多边形。


4.如权利要求1所述的能减小对远端电磁辐射的集成电感，其特征在于，还包括：
至少一组导线四，每组包含四根导线四，所述导线四也连接于所述导线一的端部与导线二的端部间，且导线一、导线二和至少一组导线四围成至少一组第二电感线圈，每组包含并联的四个第二电感线圈，四个第二电感线圈围成区域的形状和面积均相同，每组中的四个第二电感线圈分别对应设置在四个第一电感线圈外围或...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯卫兵，雷伟龙，
申请(专利权)人：北京力通通信有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11