【技术实现步骤摘要】
提升闪存数据安全性的扫描方法
本专利技术涉及计算机数据存储领域,具体涉及了一种提升闪存数据安全性的扫描方法。
技术介绍
随着时间的流逝,存储在NANDFlash浮栅中的电荷会慢慢流失,当流失的电子数量达到一定程度时,存储单元会发生比特翻转,当比特翻转的数量超过ECC纠错能力时,数据就丢失了,这种现象就是dataretention问题。读取闪存中的某个闪存页时,其他未选中的闪存页的控制极上都会加一个正电压,以保证未被选中的MOS管是导通的。频繁地在一个MOS管控制极上加正电压,使得电子被吸入浮栅中,这样就会导致未被选中的闪存页存在一个轻微的编程,最终导致比特翻转。这就是readdisturb现象,特别需要注意的是,readdisturb影响的是同一个存储块的中其他的闪存页而非被读取的闪存页本身。Readdisturb对NANDFlash造成的是非永久性损伤,重新擦除后这个存储块还能正常使用。针对dataretention问题,一般可以考虑在闪存设备上电运行时对存储空间进行扫描,一旦发现纠错情况超过设定的阈值时, ...
【技术保护点】
1.一种提升闪存数据安全性的扫描方法,其特征在于,该方法包括:/nS100,创建扫描线程,通过所述扫描线程对设定编号的闪存页进行间隔扫描;/nS200,每执行一次扫描之后所述扫描线程进入第一设定时间段的休眠,直至完成对设定编号对应的存储块的扫描;/nS300,完成所有设定编号的闪存页的扫描后,所述扫描线程进入第二设定时间段的休眠。/n
【技术特征摘要】
1.一种提升闪存数据安全性的扫描方法,其特征在于,该方法包括:
S100,创建扫描线程,通过所述扫描线程对设定编号的闪存页进行间隔扫描;
S200,每执行一次扫描之后所述扫描线程进入第一设定时间段的休眠,直至完成对设定编号对应的存储块的扫描;
S300,完成所有设定编号的闪存页的扫描后,所述扫描线程进入第二设定时间段的休眠。
2.根据权利要求1所述的提升闪存数据安全性的扫描方法,其特征在于,所述设定编号被配置为:在每个所述存储块上均匀分布若干个被编号的所述闪存页。
3.根据权利要求2所述的提升闪存数据安全性的扫描方法,其特征在于,每个所述存储块的闪存页的数量为20。
4.根据权利要求1所述的提升闪存数据安全性的扫描方法,其特征在于,所述S100还包括:实时监控闪存设备的上层IO...
【专利技术属性】
技术研发人员:曾裕,
申请(专利权)人:珠海妙存科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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