【技术实现步骤摘要】
一种可工作于任意偏振态的光透过率调制超表面
本专利技术涉及光通信、光互联以及光器件集成领域,具体说,涉及一种基于导模共振与透明导电氧化物(Transparent-Conducting-Oxide,TCO)的可工作于任意偏振态的光透过率调制超表面。
技术介绍
电磁超表面是具有波长级厚度的人造材料,可按需人工调整电磁响应,为控制入射波的局部幅度,相位和极化提供了一种很有前途的解决方案,从而在波前控制中开辟了新途径,广泛用于聚焦透镜、波片、分束器、波导模式控制和全息图。间隙等离子激元、米氏共振、Pancharatnam-Berry(PB)相位和导模共振常常用于设计和优化超表面。无源超表面已经被学者们深入研究,其卓越的性能、较高的设计自由度、激发了人们探索更复杂应用的欲望,有源超表面应运而生。目前已经提出了许多技术来实现在红外、近红外(NIR)和可见频率下的超表面的动态控制,包括机械驱动、弹性聚合物以及利用有源材料,例如液晶半导体、相变材料和透明导电氧化物(TCO)。但是,这些超表面中的大多数都包含金属,从而导致了较大的吸收损耗和反 ...
【技术保护点】
1.一种可工作于任意偏振态的光透过率调制超表面,其特征在于,包括基底层(1),位于所述基底层(1)之上的导模共振超表面层;所述导模共振超表面层包括硅介质平板(2),所述硅介质平板(2)上沿两正交方向周期性刻蚀出凹槽,其中凹槽深度小于所述硅介质平板(2)的厚度;在所述凹槽内表面依次填充介质层(3)、透明导电氧化物层(4);所述硅介质平板(2)的非凹槽区设有第一电极(5),所述透明导电氧化物层(4)上设有第二电极(6)。/n
【技术特征摘要】
1.一种可工作于任意偏振态的光透过率调制超表面,其特征在于,包括基底层(1),位于所述基底层(1)之上的导模共振超表面层;所述导模共振超表面层包括硅介质平板(2),所述硅介质平板(2)上沿两正交方向周期性刻蚀出凹槽,其中凹槽深度小于所述硅介质平板(2)的厚度;在所述凹槽内表面依次填充介质层(3)、透明导电氧化物层(4);所述硅介质平板(2)的非凹槽区设有第一电极(5),所述透明导电氧化物层(4)上设有第二电极(6)。
2.如权利要求1所述的光透过率调制超表面,其特征在于,所述两正交方向的凹槽的槽宽相同或不同均可。
3.如权利要求1或2所述的光透过率调制超表面,其特征在于,不同凹槽内的介质层(3)厚度相同或不同均可;不同凹槽内的透明导电氧化物层(4)宽度、厚度相同或不同均可。
4.如权利要求1所述的光透过率调制超表面,其特征在于,所述第一电极(5)为能与硅形成欧姆接触的金属;所述第二电极(6)为能与...
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