一种稀土掺杂硫化铟纳米片薄膜光电阳极的制备方法及其产品技术

本发明专利技术公开一种稀土掺杂硫化铟纳米片薄膜光电阳极的制备方法及其产品，制备方法包括以下步骤，取硝酸铥、硝酸镱、铟源和硫源溶于水中，搅拌得到前驱体溶液置于反应釜中，将导电玻璃导电面朝下靠在反应釜中，在170℃～200℃下保温20h～24h，取出、干燥得到所述稀土掺杂硫化铟纳米片薄膜光电阳极；本发明专利技术通过在硫化铟纳米片薄膜中进行铥离子和镱离子掺杂，显著提高了硫化铟纳米片薄膜光电阳极的光电流密度以及光电化学性能。

【技术实现步骤摘要】
一种稀土掺杂硫化铟纳米片薄膜光电阳极的制备方法及其产品
本专利技术涉及光电催化
，具体涉及一种稀土掺杂硫化铟纳米片薄膜光电阳极的制备方法及其产品。
技术介绍
硫化铟(In2S3)具有良好的窄带隙、高稳定性、低毒性等特性，以及包括纳米片、纳米管、纳米棒和空心微球在内的多种形貌，这使得它不仅可以作为宽光谱光催化/光电催化剂的良好候选物，而且可以作为宽带隙光催化/光电催化剂的优良敏化剂。然而，In2S3的光催化/光电催化效率仍然较低，这是由于自身的光生载流子快速复合。到现在为止，有很多方法已被用来提升In2S3的光催化/光电催化效率，包括有控制地合成In2S3的不同的形态纳米结构，例如，纳米管、纳米片和微球，或者In2S3与其他物质的半导体复合材料(如TiO2)，或者In2S3与其它碳纳米材料(例如石墨烯和碳纳米管)的复合材料。过渡金属离子掺杂可以有效抑制光生电子和空穴的复合，此外掺杂过渡金属离子还可以导致带隙减小或带隙内态形成，以便更有效的增强光吸收和捕获-释放电子，当前围绕过渡金属离子掺杂半导体光催化/光电催化纳米材料的研究本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种稀土掺杂硫化铟纳米片薄膜光电阳极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，取硝酸铥、硝酸镱、铟源和硫源溶于去离子水中，搅拌得到前驱体溶液置于反应釜中，将导电玻璃导电面朝下靠在反应釜中，在170℃～200℃下保温20h～24h，冷却、取出、干燥得到所述稀土掺杂硫化铟纳米片薄膜光电阳极。/n

【技术特征摘要】
1.一种稀土掺杂硫化铟纳米片薄膜光电阳极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤，取硝酸铥、硝酸镱、铟源和硫源溶于去离子水中，搅拌得到前驱体溶液置于反应釜中，将导电玻璃导电面朝下靠在反应釜中，在170℃～200℃下保温20h～24h，冷却、取出、干燥得到所述稀土掺杂硫化铟纳米片薄膜光电阳极。


2.根据权利要求1所述的稀土掺杂硫化铟纳米片薄膜光电阳极的制备方法，其特征在于，所述导电玻璃为FTO导电玻璃，进行薄膜制备前分别利用丙酮、乙醇和去离子水超声清洗各30min。


3.根据权利要求1所述的稀土掺杂硫化铟纳米片薄膜光电阳极的制备方法，其特征在于，所述硫源为硫代乙酰胺，所述铟源为四水合三氯化铟，搅拌时间30min～1h。


4.根据权利要求3所述的稀土掺杂硫化铟纳米片薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡晓云，李秋洁，苗慧，樊君，刘恩周，成宇飞，王佳伟，张德恺，赵俊峰，
申请(专利权)人：西北大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61