一种太赫兹衰减片的制备方法及其衰减特性标定方法技术

本发明专利技术公开了一种基于金属薄膜的高精度太赫兹衰减片制备方法及其衰减特性标定方法，衰减片设计依据的原理为：太赫兹波是无法穿透金属材质的，但当金属的厚度小于趋肤深度时情况会发生变化，一部分太赫兹波会透过金属薄膜，透射率取决于金属薄膜的厚度，厚度越小透过率也就越大，相应地，衰减就越小；反之，厚度越大，衰减也就越大。采用本发明专利技术的技术方案：(1)衰减片对工作频率没有选择性，因此适用于整个太赫兹波段；(2)衰减片为薄膜结构，因此不改变太赫兹波的传输特性，不仅适用于对平行太赫兹波束的衰减，而且同样适用于对会聚波束进行衰减；(3)衰减片通过溅射工艺制备而成，可有效保证制备精度。

【技术实现步骤摘要】
一种太赫兹衰减片的制备方法及其衰减特性标定方法
本专利技术涉及太赫兹衰减片
，尤其涉及的是，一种太赫兹衰减片的制备方法及其衰减特性标定方法。
技术介绍
太赫兹衰减片是一种对太赫兹能量进行衰减的功能器件，在测试计量等领域都具有重要应用。如在对太赫兹探测器的功率响应下限进行测量时，需要微弱的太赫兹信号作为测试源，因此一般采用具有大衰减量的衰减片对入射到探测器探测面的太赫兹波进行衰减。又如高莱管是一种高灵敏度探测器，在太赫兹系统中被广泛应用，其太赫兹功率探测上限仅为10μW左右，超出此值变无法实现有效探测，而太赫兹源的功率一般会在毫瓦至几十毫瓦量级，这就需要用太赫兹衰减片对入射到高莱管的太赫兹功率进行衰减，以满足高莱管探测器功率探测范围的要求。另外在对太赫兹探测端的线性度进行测试时，需要用一系列具有不同衰减量的衰减片对入射到探测端的太赫兹波进行衰减，从而测量不同入射功率下太赫兹探测端的输出信号值，并据此计算探测端的响应线性度。太赫兹衰减片一般是基于菲涅尔反射原理实现，现有的方案是选用在工作波段无吸收且折射率无频率依赖性的物质作为制备衰减本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太赫兹衰减片的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：/n步骤101：清洗聚酯基片并干燥；准备直径为50mm、厚度为25μm的聚酯基片，放入夹具中，依次采用酸洗、酒精和去离子水超声波清洗各5分钟，然后用氮气吹干，使得基片表面尽可能清洁，以提高表面溅射成膜的附着力；/n步骤102：将聚酯基片与托盘固定；使用螺钉，将聚酯基片与托盘固定，形成临时键合体；/n步骤103：在聚酯基片上表面沉积NiCr薄膜；采用直流磁控溅射技术，在聚酯基片上表面溅射金属薄膜，靶材采用高纯度NiCr20靶，溅射气体采用纯度为99.999％的氩气，背底真空度优于5×10

【技术特征摘要】
1.一种太赫兹衰减片的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
步骤101：清洗聚酯基片并干燥；准备直径为50mm、厚度为25μm的聚酯基片，放入夹具中，依次采用酸洗、酒精和去离子水超声波清洗各5分钟，然后用氮气吹干，使得基片表面尽可能清洁，以提高表面溅射成膜的附着力；
步骤102：将聚酯基片与托盘固定；使用螺钉，将聚酯基片与托盘固定，形成临时键合体；
步骤103：在聚酯基片上表面沉积NiCr薄膜；采用直流磁控溅射技术，在聚酯基片上表面溅射金属薄膜，靶材采用高纯度NiCr20靶，溅射气体采用纯度为99.999％的氩气，背底真空度优于5×10-5Pa，溅射气压0.5Pa，沉积温度为200℃；
步骤104：将聚酯基片与托盘分离，完成制作；从工件盘上取下固定螺钉，将聚酯基片与托盘分离，即得到在聚酯基片上表面沉积NiCr薄膜的太赫兹衰减片。


2.如权利要求1所述的太赫兹衰减片的制备方法，其特征在于，所述步骤103中，根据衰减量和金属种类来确定溅射金属薄膜的厚度，溅射金属薄膜的厚度的范围为几十纳米到几百纳米量级。


3.一种根据权利要求1所述的制备方法制备的衰减片衰减特性标定方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
第一步：设置由太赫兹源、分束镜、太赫兹标准功率计、监测功率计组成高精度衰减量标定装置；
第二步：调节太赫兹源至稳定工作状态并使其输出功率值处于功率计的测量范围内；输出的太赫兹波束经分束镜后分为两束，其中主光...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴斌，杨延召，曹乾涛，刘红元，王洪超，朱军峰，李京松，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十一研究所，
类型：发明
国别省市：山东;37