平板型快速陡波VFTO传感器制造技术

一种平板型快速陡波ＶＦＴＯ传感器，它包括ＧＩＳ壳体１、腔体屏蔽２４、电极板３、绝缘膜２、连接头５、插头１１、托盘１５、匹配电阻１４；腔体屏蔽２４装在ＧＩＳ壳体１的开孔处，电极板３隔着绝缘膜２贴靠在腔体屏蔽２４上，电极板３通过绝缘的连接件５与屏蔽式插头１１电连接，插头１１固定在腔体屏蔽２４上，连接件５与插头１１之间装有一个固定在腔体屏蔽２４内腔的托盘１５，插头１１的轴心位于托盘１５的圆心，托盘１５上沿圆周均布有多个并联的匹配电阻１４。本实用新型专利技术是一种实用化快速陡波传感器，它将电容传感器、测量系统匹配电阻、信号屏蔽防护功能及连接测量电缆的插接件连接融为一体，且多个并联的匹配电阻均匀分布在传感器内部，测量系统的寄生电感小，波形失真度小，测量频域宽，即可用于ＧＩＳ或Ｈ－ＧＩＳ中的ＶＦＴＯ测量。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于输电工程快速陡波传感器，特别适用于特高压工程设备GIS、 H—GIS 中VFTO的在线快速陡波(VFTO)测量，也可用于局部放电测量和工频电压测量。
技术介绍
气体绝缘变电站(GIS)、半气体绝缘变电站(H—GIS)中隔离开关操作极易产生电 压幅值高、上升时间陡的快速陡波过电压(VFT0)。电压等级越高，VFTO对GIS、 H—GIS 的危害越大，特别是特高压工程。当电压等级较低时(如220kV， 500kV)，实际工程中都采用封装在绝缘子中的球形 电容探头作为传感器，配套的低压臂电容器外置，外置的低压臂电容器以及附属引线导 致测量系统寄生电感较大，获得的测量信号失真严重，而且灵敏度低。造成测量信号失 真的另一个重要因素是，传感器和测量电缆之间还存在一小段引出连接导线(波阻抗达 200 Q )，这段引出连接导线和测量电缆(波阻抗通常为50Q和75Q )之间阻抗不匹配， 会发生行波的折返射。VFT0的频域范围可以达到2MHz 40MHz，这一频域的行波在阻抗 不匹配的情况下必然发生局部折反射，测量的波形和计算机仿真计算的暂态波形差异极 大，许多物理现象无法得到合理的解释。V本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平板型快速陡波ＶＦＴＯ传感器，其特征在于：它包括ＧＩＳ壳体（１）、腔体屏蔽（２４）、电极板（３）、绝缘膜（２）、连接头（５）、插头（１１）、托盘（１５）和匹配电阻（１４）；　腔体屏蔽（２４）装在ＧＩＳ壳体（１）的开孔处，电极板（３ ）隔着绝缘膜（２）贴靠在腔体屏蔽（２４）上，电极板（３）通过绝缘的连接件（５）与屏蔽式插头（１１）电连接，插头（１１）固定在腔体屏蔽（２４）上，连接件（５）与插头（１１）之间装有一个固定在腔体屏蔽（２４）内腔的托盘（１５），插头（１１）的轴心位于托盘（１５）的圆心，托盘（１５）上沿圆周均布有多个并联的匹配电阻（１４）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王晓琪，吴士普，李璿，林福昌，叶国雄，汪本进，陈晓明，鄢来君，张国兵，余春雨，
申请(专利权)人：国网武汉高压研究院，
类型：实用新型
国别省市：83[中国|武汉]