极紫外光与等离子体复合原子尺度加工方法技术

本发明专利技术涉及一种极紫外光与等离子体复合原子尺度加工方法，协同使用极紫外光与等离子体处理材料表面，实现材料表面原子尺度的加工。模式1采用极紫外光代替化学吸附进行表面激活，拓宽了材料的普适性并提高了效率；模式2采用极紫外光代替了等离子体轰击进行材料去除，一方面避免了引入杂质元素的可能，另一方面，由于具有相同状态的大量光子能够共存(玻色子)，就可以实现很低的能量分散度(即高单色性)，提高加工的确定性；模式3在经典等离子体ALE的基础上增加了极紫外增强激发环节，使得单独由离子轰击造成的材料去除转变为由极紫外光场与离子轰击共同决定，能够有效降低入射离子能量及加工表面损伤。

【技术实现步骤摘要】
极紫外光与等离子体复合原子尺度加工方法
本专利技术属于原子及近原子尺度制造领域，涉及极紫外光技术及等离子体刻蚀技术，尤其是一种极紫外光与等离子体复合原子尺度加工方法。
技术介绍
信息、能源、材料等高
中关键元器件的性能取决于其精度，而高精度的实现需要先进的制造技术予以保证。以集成电路芯片为例，从二十世纪七十年代以来至今，单位面积内的晶体管数量一直按照摩尔定律的预测方式增长，这与光刻、超精密加工及测量等制造技术的发展密不可分。随着线宽从当前的7nm、5nm、向3nm甚至更小尺寸的发展，对具有原子及近原子级精度制造技术的迫切需求已经成为必然的结果。不论下一代芯片是基于量子效应、光子学、生物分子相互作用抑或是其它工作原理，能够对材料进行原子尺度可控的增、减或转移，同时兼具适合批量生产的高效率是制造技术将面临的核心问题与挑战。现有的原子尺度操控的实验室技术，如扫描隧道显微镜、原子力显微镜、扫描透射电镜等，虽然其中某些方法可以用于单个原子的操控，但是极低的效率阻碍了其成为产品制造的理想方案。例如，量子芯片需要将量子点分布在原子级平坦的阶梯表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种极紫外光与等离子体复合原子尺度加工方法，其特征在于：协同使用极紫外光与等离子体处理材料表面，实现材料表面原子尺度的加工。/n

【技术特征摘要】
1.一种极紫外光与等离子体复合原子尺度加工方法，其特征在于：协同使用极紫外光与等离子体处理材料表面，实现材料表面原子尺度的加工。


2.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于：先采用极紫外光辐照材料表面，使被激发的表层原子间结合能低于材料内部的体结合能，再使用等离子体粒子轰击去除被激活的原子。


3.根据权利要求2所述的加工方法，其特征在于：控制离子入射能量，使其传递给靶原子的能量介于材料表层激发态结合能与体结合能之间。


4.根据权利要求1所述的加工方法，其特征在于：先将高化学活性的等离子体粒子吸附在材料表面降低表面原子结合能，再进行极紫外光辐照。


5.根据权利要求4所...

【专利技术属性】
技术研发人员：房丰洲，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津;12