测试射频和模拟电路制造技术

一种用于测试模拟或ＲＦ电路的方法和设备，其中，使电源ＶＤＤ上升（步骤１００）并且对选择的ＶＤＤ值进行静态电流测量（步骤１０２）以产生一个电流签名（步骤１０４）。当电源上升时，电路中所有的晶体管都经过几个工作区域，例如亚阈（区域Ａ）、线性（区域Ｂ）和饱和（区域Ｃ）。从区域转换到区域的优点是在每个工作区中都可以用不同的准确度来检测故障。只要已经产生电流签名，它就能够与一个无故障装置的电流签名相比较（步骤１０６），从而确定（步骤１０８）该装置是否正常工作，如果不正常工作则丢弃它。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及测试模拟和射频元件和电路，更具体而言涉及一种用于以低频(即直流)检测射频(RF)或模拟元件或电路中故障的存在的方法和设备。集成电路(IC)已经变成了许多消费者和商业的电子产品的关键元件，通常用于替代分立元件并增强产品功能。制造这些集成电路的半导体处理技术已经发展到整个系统能够被缩小成单个集成电路的程度。这些集成电路、或″芯片″，可以使用先前无法在单个芯片上一起执行的许多功能，它们包括微处理器、数字信号处理器、混合信号和模拟功能、大存储块、高速接口、和RF电路。这类集成电路的制造商通常的做法是，在制造场所彻底地测试器件的功能性。然而，当今集成电路的复杂特性存在新的测试挑战。不断地缩小器件的几何结构，与操作半导体处理设备的高成本相结合，导致对集成电路供应商改进处理收益和发展新的测试策略的需求不断增加。当前，互补金属氧化物半导体(CMOS)是用于制造集成电路的最流行技术，这是由于它在高密度设计中所固有的低功率消耗。CMOS电路使用互补的P沟道金属氧化物半导体场效应(PMOS)晶体管和N沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管来充分地制造静态设计，其理论上除了在切换状态本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种测试模拟或射频电路中故障存在的方法，该方法包括下列步骤：ａ）向被测试电路元件施加（１００）多个不同的直流电源电压，至少其中一个所述电源电压被安排来使被测试电路或元件的至少一些单元在预定的工作区中工作；和ｂ）测量（１０２） 所述电路或元件的静态电流，以作为施加所述电源电压的结果，从而产生（１０４）表示所述电路或元件工作的电流签名；该方法的特征在于：所述静态电流测量所依据的所述电源电压包括所选择的不同的电压；以及在于步骤：ｃ）比较（１０６）所述产 生的电流签名与一个表示无故障元件或电路工作的预定电流签名，以便确定（１０８）在被测试的元...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：JDJ平达德格维兹，AG格龙索德，R阿米内，
申请(专利权)人：NXP股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]