高频下大电感值高Q值且在同一频率下Q峰值可独立调节的有源电感制造技术

高频下大电感值高Q值且在同一频率下Q峰值可独立调节的有源电感涉及射频集成电路领域，包括：第一跨导单元(1)，带有电阻和电阻‑电容双重反馈的第二跨导单元(2)，带有一个偏压可调节端的电阻损耗抵消单元(3)，以及带有二个偏压可调节端的偏置单元(4)组成。其中，第一跨导单元(1)，一方面，与第二跨导单元一起构成第一阻抗转换回路，另一方面，与偏置单元(4)一起构成第二阻抗转换回路，且第一阻抗转换回路与第二阻抗转换回路并联，增大了电感值；电阻损耗抵消单元提高了Q值；通过联合协同调谐偏置单元中的两个偏压可调节端和电阻损耗抵消单元中的一个偏压可调节端的偏压，可实现对有源电感在同一高频下Q峰值的独立调谐。

【技术实现步骤摘要】
高频下大电感值高Q值且在同一频率下Q峰值可独立调节的有源电感
本专利技术涉及射频集成电路领域，特别是涉及一种可在高频下具有大电感值和高品质因数Q，且在高频区的同一频率下Q峰值可独立调谐的电感元件。
技术介绍
由于滤波器、振荡器和放大器等射频集成电路(RFIC)不断向小尺寸、性能可重构和高性能发展，因此，对作为RFIC基本构成元件的电感，提出了高频、高Q值、电感值和Q值可调谐等性能指标的需求。然而，当今RFIC广泛使用的在片无源螺旋电感，是由多圈金属线构成的，金属线的总长度与所需的电感值呈线性关系。为了获得大的电感值，需要金属线非常长，这意味着大的面积、高的芯片成本和大的损耗电阻。同时，大的面积也意味着大的寄生电容，导致在片无源螺旋电感低的工作频率和低的Q值。另外，在片无源螺旋电感的金属线几何尺寸是固定的，也存在着电感值、Q值不可调谐的缺点。因此，尽管在片无源螺旋电感具有线性度好、功耗低等优点，但上述不足，导致它难以适应RFIC向小尺寸、性能可重构和高性能发展的需求。为了克服在片无源螺旋电感的不足，研究人员对采用有源器件合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.高频下大电感值高Q值且在同一频率下Q峰值可独立调节的有源电感，其特征在于，包括：第一跨导单元(1)、带有电阻和电阻-电容双重反馈的第二跨导单元(2)、带有一个偏压可调节端的电阻损耗抵消单元(3)、带有二个偏压可调节端的偏置单元(4)；/n其中：所述有源电感电路中第一跨导单元(1)包括第一N型MOS晶体管(M

【技术特征摘要】
1.高频下大电感值高Q值且在同一频率下Q峰值可独立调节的有源电感，其特征在于，包括：第一跨导单元(1)、带有电阻和电阻-电容双重反馈的第二跨导单元(2)、带有一个偏压可调节端的电阻损耗抵消单元(3)、带有二个偏压可调节端的偏置单元(4)；
其中：所述有源电感电路中第一跨导单元(1)包括第一N型MOS晶体管(Mn1)；带有电阻和电阻-电容双重反馈的第二跨导单元(2)包括第二N型MOS晶体管(Mn2)、第三N型MOS晶体管(Mn3)、第一无源电阻(R1)、第二无源电阻(R2)、第一无源电容(C1)、第二无源电容(C2)；带有一个偏压可调节端的电阻损耗抵消单元(3)包括带有第二可调电压源(Vtune2)的第九N型MOS晶体管(Mn9)；带有二个偏压可调节端的偏置单元(4)包括第四P型MOS晶体管(Mp4)、第五P型MOS晶体管(Mp5)、第六N型MOS晶体管(Mn6)、第七N型MOS晶体管(Mn7)、带有第一可调电压源(Vtune1)的第八N型MOS晶体管(Mn8)、带有第三可调电压源(Vtune3)的第十P型MOS晶体管(Mp10)；
其中：所述有源电感的输入端(Vin)同时连接第一N型MOS晶体管(Mn1)的源极、第三N型MOS晶体管(Mn3)的栅极、第六N型MOS晶体管(Mn6)的栅极以及第七N型MOS晶体管(Mn7)的栅极和漏极；第三N型MOS晶体管(Mn3)的漏极同时与第十P型MOS晶体管(Mp10)的漏极、第二N型MOS晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：张万荣，李祎康，谢红云，金冬月，那伟聪，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：北京;11